富士電機株式会社により出願された特許
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熱源転換ソリューション装置および方法
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半導体装置に形成された拡散領域の横方向拡散幅の評価方法
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センサネットワーク端末、システム及び無線通信方法
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園芸用ハウス
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スイッチング電源装置
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超電導コイルおよび超電導変圧器
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並列インバータ装置
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レーザ式ガス分析計
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自動販売機の表示装置
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半導体装置の製造方法
【課題】表面側保護膜が裏面側フォトレジストの剥離液に対する耐性を備えていなくても、表面側に保護膜を形成し裏面側Si基板にパターンエッチングして溝を形成した後、裏面側のフォトレジストだけを剥離することができるプロセス工程を有する半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】半導体基板1の表面側に半導体機能領域20を形成し、裏面側を研削して半導体基板1を所要の厚さに減じた後、表面側に保護膜24を塗布し、裏面側にフォトレジスト25を用いて所要の開口パターンを形成し、該パターン開口部から半導体基板1をエッチングして裏面に溝16を形成し、その後、裏面側のフォトレジスト25を研磨により除去し、裏面側半導体機能層を形成する半導体装置の製造方法とする。
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