富士電機株式会社により出願された特許
1 - 10 / 3,146
熱源転換ソリューション装置および方法
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189
半導体装置に形成された拡散領域の横方向拡散幅の評価方法
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189
センサネットワーク端末、システム及び無線通信方法
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189
園芸用ハウス
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189
スイッチング電源装置
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189
超電導コイルおよび超電導変圧器
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189
並列インバータ装置
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189
レーザ式ガス分析計
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189
自動販売機の表示装置
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189
半導体装置の製造方法
【課題】表面側保護膜が裏面側フォトレジストの剥離液に対する耐性を備えていなくても、表面側に保護膜を形成し裏面側Ｓｉ基板にパターンエッチングして溝を形成した後、裏面側のフォトレジストだけを剥離することができるプロセス工程を有する半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】半導体基板１の表面側に半導体機能領域２０を形成し、裏面側を研削して半導体基板１を所要の厚さに減じた後、表面側に保護膜２４を塗布し、裏面側にフォトレジスト２５を用いて所要の開口パターンを形成し、該パターン開口部から半導体基板１をエッチングして裏面に溝１６を形成し、その後、裏面側のフォトレジスト２５を研磨により除去し、裏面側半導体機能層を形成する半導体装置の製造方法とする。
（もっと読む）
1 - 10 / 3,146
[ Back to top ]