説明

富士電機株式会社により出願された特許

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【課題】表面側保護膜が裏面側フォトレジストの剥離液に対する耐性を備えていなくても、表面側に保護膜を形成し裏面側Si基板にパターンエッチングして溝を形成した後、裏面側のフォトレジストだけを剥離することができるプロセス工程を有する半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】半導体基板1の表面側に半導体機能領域20を形成し、裏面側を研削して半導体基板1を所要の厚さに減じた後、表面側に保護膜24を塗布し、裏面側にフォトレジスト25を用いて所要の開口パターンを形成し、該パターン開口部から半導体基板1をエッチングして裏面に溝16を形成し、その後、裏面側のフォトレジスト25を研磨により除去し、裏面側半導体機能層を形成する半導体装置の製造方法とする。 (もっと読む)


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