【課題】高湿下でも安定して動作可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板１０１と、第１の電極１１３と、第２の電極１１７と、第１の反射鏡１０２と、第２の反射鏡１２０と、第１の反射鏡および第２の反射鏡との間の共振器１３０であって、活性層１０５と電流狭窄層１０７とを含む共振器と、基板１０１の一主面上に形成されたメサポスト１１０であって、電流狭窄層１０７を含むメサポスト１１０と、メサポスト１１０および基板１０１の一主面を覆うパッシベーション膜１２３と、メサポスト１１０の基部を覆う耐湿性の金属膜１３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】シート抵抗が十分低く、巨大結晶粒の形成を防止し表面の平滑性を確保し、高い
生産性を維持しながら、有機ＥＬガラス基板用薄板ガラス表面への透明導電膜等の薄膜、
特に酸化スズ膜の成膜された薄板ガラス条を製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス板２０をリドロー加熱炉１にて加熱延伸し、延伸後のガラス条２１表
面に熱ＣＶＤ法により無機材料からなる薄膜を成膜させ、その後、ガラス条２１を成膜用
予熱炉６にて再加熱して最初の成膜時よりも高温で表面に熱ＣＶＤ法により無機材料から
なる薄膜を成膜させる。 （もっと読む）

【課題】屈曲可能な鞘管を使用しても安定した取付形状を維持して、適正な取り付けを実現することができる鞘管構造及びワイヤーハーネスを提供することを目的とする。
【解決手段】
高圧用シールド電線２７０，２７０Ａの挿通を許容する鞘管を複数隣接して並列配置し、前記並列配置された複数の鞘管のうち少なくとも１本を、前記並列する他の鞘管より硬度の高い高硬度鞘管で構成する。例えば前記鞘管を、屈曲可能な蛇腹形状で形成された長尺の蛇腹管２１０，２２０で構成し、前記高硬度鞘管を、前記蛇腹管を屈曲させた屈曲部が少なくとも、前記並列する他の蛇腹管２２０より硬度の高い高硬度屈曲部である高硬度蛇腹管２１０で構成する。 （もっと読む）

【課題】ピックアップする際には半導体素子と接着剤層とを容易に粘着剤層から剥離して使用することができ、さらに接着剤層がダイボンド材として十分な接着性を有するダイシングダイボンドシートを提供する。
【解決手段】基材フィルム上に、粘着剤層と接着剤層とがこの順に形成されてなるダイシングダイボンドシートであって、前記粘着剤層が、分子中にヨウ素価０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物Ａと、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂およびエポキシ樹脂から少なくとも１種選ばれる化合物Ｂとを含有し、前記接着剤層が、エポキシ樹脂ａ、水酸基当量１５０ｇ／ｅｑ以上のフェノール樹脂ｂ、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを０．５〜６重量％を含む重量平均分子量が１０万以上のエポキシ基含有アクリル共重合体ｃ、フィラーｄ及び硬化促進剤ｅを含有する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスを用いてフォトニック結晶構造を有する各種光デバイスを容易に形成することができるフォトニック結晶半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ−ＩｎＰ基板１１上に下部ＤＢＲ層１、コア層２、上部ＤＢＲ層３、誘電体多層膜６が順次積層される。コア層２及び上部ＤＢＲ層３には膜厚方向に延びる複数の空孔９が形成され、これによりフォトニック結晶構造が実現される。このフォトニック結晶構造は、複数の空孔９に挟まれて空孔９が存在しない線欠陥部１０を有し、線欠陥部１０が光導波路として機能する。 （もっと読む）

【課題】ノイズ対策に優れ可とう性を備えたシールドパイプと、接続されるシールドパイプ接続部を備えた、広い周波数域における電気シールド特性に優れたシールドパイプ接続構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂製の波付き管状体と、波付き管状体の外表面に無電解めっきによって形成された第１のめっき層とを備えたシールドパイプと、シールドパイプの一方の端部を、間隙無く内部に収納して接続する金属製のシールドパイプ接続部と、接続されたシールドパイプおよびシールドパイプ接続部との外表面に電解めっきによって形成された第２のめっき層とを備えたシールドパイプ接続構造体である。 （もっと読む）

【課題】金属線材の突合せ端部の圧接時に生じたバリを確実に除去することができるとともに、金属線材同士の圧接と、その際に生じたバリの除去とを一連の工程でスムーズに行なうことができる金属線材同士の圧接およびバリ取り装置並びにその方法の提供を目的とする。
【解決手段】複数のダイス片１２からなるダイス１１と、金属線材Ｗに対して各側で対向配置する一対のＶブロック１４とを設け、該一対のＶブロック１４による金属線材Ｗ側への押圧により、該押圧力を、前記ダイス１１による金属線材Ｗの直交方向Ｘの押圧力と、金属線材Ｗの突合せ端部同士の線材方向Ｙの圧接力とに変換するよう、前記ダイス片１２を前記Ｖブロック１４に嵌め込んで構成し、金属線材Ｗの突合せ端部同士の圧接後に、金属線材Ｗに対して各側で対向配置する一対のＶブロック１４のそれぞれを、線材方向Ｙへ相対移動するよう構成した。 （もっと読む）

【課題】非水溶媒二次電池の充放電サイクル寿命と充電初期の電池容量は負極用銅箔の表面状態によって左右される。このため、優れた充放電サイクル寿命と高い電池容量の保持を可能とする非水溶媒二次電池負極集電体用銅箔とその製造方法とを提供する。
【解決手段】本発明の非水溶媒二次電池負極集電体用銅箔は、銅箔の表面に有機化合物皮膜が形成され、少なくとも片面における電気二重層容量の逆数（１／Ｃ）が０.３１〜０．９ｃｍ^２／μＦであることを特徴とする。
前記有機化合物皮膜はトリアゾール化合物を含有する皮膜、あるいは、トリアゾール化合物及びアミン化合物を含有する皮膜である。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ動作を可能にし、かつしきい値電圧を自由に制御出来るＧａＮ系ＭＯＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】ｐ−ＧａＮからなる電子走行層１３とゲート電極１８との間にゲート絶縁膜１５が形成されたＧａＮ系ＭＯＳＦＥＴ１０である。ゲート電極１８は、ＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる。ゲート電極１８は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる第１のゲート層１９と、この上に形成されたｐ型ＧａＡｓからなる第２のゲート層２０と、この上に形成された金属層（ＡｕＧｅ／Ａｕ電極）２１とを有する。ＡｌＧａＩｎＰ混晶の混晶比を変化させることにより、しきい値電圧を制御することが出来る。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ表面保護用粘着テープを半導体ウエハに貼り付け、半導体ウエハの裏面を研削後、前記粘着テープを剥離する工程において、従来剥離が困難であった、ウエハの厚さ、口径、表面の膜状態（ポリイミド、ベンゾシクロブテン等）であっても、紫外線硬化型表面保護用粘着テープを用いることなく、良好に剥離することができ、半導体ウエハを汚染しない半導体ウエハ表面保護用粘着テープを提供する。
【解決手段】基材フィルム上に粘着剤層を有する半導体ウエハ表面保護用粘着テープであって、前記粘着剤層が感圧型粘着剤であり、前記粘着剤層表面のヨウ化メチレンに対する接触角が３０度以上６０度以下であり、前記感圧型粘着剤を構成する主成分であるポリマーの重量平均分子量または架橋後の分子の重量平均分子量が１００万以上であることを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着テープである。 （もっと読む）