説明

古河電気工業株式会社により出願された特許

1,041 - 1,050 / 4,457


【課題】高湿下でも安定して動作可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板101と、第1の電極113と、第2の電極117と、第1の反射鏡102と、第2の反射鏡120と、第1の反射鏡および第2の反射鏡との間の共振器130であって、活性層105と電流狭窄層107とを含む共振器と、基板101の一主面上に形成されたメサポスト110であって、電流狭窄層107を含むメサポスト110と、メサポスト110および基板101の一主面を覆うパッシベーション膜123と、メサポスト110の基部を覆う耐湿性の金属膜133とを備える。 (もっと読む)


【課題】シート抵抗が十分低く、巨大結晶粒の形成を防止し表面の平滑性を確保し、高い
生産性を維持しながら、有機ELガラス基板用薄板ガラス表面への透明導電膜等の薄膜、
特に酸化スズ膜の成膜された薄板ガラス条を製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス板20をリドロー加熱炉1にて加熱延伸し、延伸後のガラス条21表
面に熱CVD法により無機材料からなる薄膜を成膜させ、その後、ガラス条21を成膜用
予熱炉6にて再加熱して最初の成膜時よりも高温で表面に熱CVD法により無機材料から
なる薄膜を成膜させる。 (もっと読む)


【課題】屈曲可能な鞘管を使用しても安定した取付形状を維持して、適正な取り付けを実現することができる鞘管構造及びワイヤーハーネスを提供することを目的とする。
【解決手段】
高圧用シールド電線270,270Aの挿通を許容する鞘管を複数隣接して並列配置し、前記並列配置された複数の鞘管のうち少なくとも1本を、前記並列する他の鞘管より硬度の高い高硬度鞘管で構成する。例えば前記鞘管を、屈曲可能な蛇腹形状で形成された長尺の蛇腹管210,220で構成し、前記高硬度鞘管を、前記蛇腹管を屈曲させた屈曲部が少なくとも、前記並列する他の蛇腹管220より硬度の高い高硬度屈曲部である高硬度蛇腹管210で構成する。 (もっと読む)


【課題】ピックアップする際には半導体素子と接着剤層とを容易に粘着剤層から剥離して使用することができ、さらに接着剤層がダイボンド材として十分な接着性を有するダイシングダイボンドシートを提供する。
【解決手段】基材フィルム上に、粘着剤層と接着剤層とがこの順に形成されてなるダイシングダイボンドシートであって、前記粘着剤層が、分子中にヨウ素価0.5〜20の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物Aと、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂およびエポキシ樹脂から少なくとも1種選ばれる化合物Bとを含有し、前記接着剤層が、エポキシ樹脂a、水酸基当量150g/eq以上のフェノール樹脂b、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを0.5〜6重量%を含む重量平均分子量が10万以上のエポキシ基含有アクリル共重合体c、フィラーd及び硬化促進剤eを含有する。 (もっと読む)


【課題】半導体製造プロセスを用いてフォトニック結晶構造を有する各種光デバイスを容易に形成することができるフォトニック結晶半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】n−InP基板11上に下部DBR層1、コア層2、上部DBR層3、誘電体多層膜6が順次積層される。コア層2及び上部DBR層3には膜厚方向に延びる複数の空孔9が形成され、これによりフォトニック結晶構造が実現される。このフォトニック結晶構造は、複数の空孔9に挟まれて空孔9が存在しない線欠陥部10を有し、線欠陥部10が光導波路として機能する。 (もっと読む)


【課題】ノイズ対策に優れ可とう性を備えたシールドパイプと、接続されるシールドパイプ接続部を備えた、広い周波数域における電気シールド特性に優れたシールドパイプ接続構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂製の波付き管状体と、波付き管状体の外表面に無電解めっきによって形成された第1のめっき層とを備えたシールドパイプと、シールドパイプの一方の端部を、間隙無く内部に収納して接続する金属製のシールドパイプ接続部と、接続されたシールドパイプおよびシールドパイプ接続部との外表面に電解めっきによって形成された第2のめっき層とを備えたシールドパイプ接続構造体である。 (もっと読む)


【課題】金属線材の突合せ端部の圧接時に生じたバリを確実に除去することができるとともに、金属線材同士の圧接と、その際に生じたバリの除去とを一連の工程でスムーズに行なうことができる金属線材同士の圧接およびバリ取り装置並びにその方法の提供を目的とする。
【解決手段】複数のダイス片12からなるダイス11と、金属線材Wに対して各側で対向配置する一対のVブロック14とを設け、該一対のVブロック14による金属線材W側への押圧により、該押圧力を、前記ダイス11による金属線材Wの直交方向Xの押圧力と、金属線材Wの突合せ端部同士の線材方向Yの圧接力とに変換するよう、前記ダイス片12を前記Vブロック14に嵌め込んで構成し、金属線材Wの突合せ端部同士の圧接後に、金属線材Wに対して各側で対向配置する一対のVブロック14のそれぞれを、線材方向Yへ相対移動するよう構成した。 (もっと読む)


【課題】非水溶媒二次電池の充放電サイクル寿命と充電初期の電池容量は負極用銅箔の表面状態によって左右される。このため、優れた充放電サイクル寿命と高い電池容量の保持を可能とする非水溶媒二次電池負極集電体用銅箔とその製造方法とを提供する。
【解決手段】本発明の非水溶媒二次電池負極集電体用銅箔は、銅箔の表面に有機化合物皮膜が形成され、少なくとも片面における電気二重層容量の逆数(1/C)が0.31〜0.9cm/μFであることを特徴とする。
前記有機化合物皮膜はトリアゾール化合物を含有する皮膜、あるいは、トリアゾール化合物及びアミン化合物を含有する皮膜である。 (もっと読む)


【課題】離型フィルム上に接着剤層及び粘着フィルムを有するウエハ加工用テープをロール状に巻き取った場合に、接着剤層への転写跡の発生を充分に抑制することができるウエハ加工用テープ体を提供する。
【解決手段】ウエハ加工用テープ体60は、長尺の離型フィルム51と、前記離型フィルム51の第1の面上に設けられた所定の平面形状を有する接着剤層52と、前記接着剤層52を覆い、且つ、前記接着剤層52の周囲で前記離型フィルム51に接触するように設けられた所定の平面形状を有するラベル部と、前記ラベル部の外側を囲むような周辺部とを有する粘着フィルム53とを有するウエハ加工用テープ50を円筒状のコア1に巻き取ったウエハ加工用テープ体60であって、前記コア1の円筒両端部の円筒直径が円筒中央部の直径よりも大きい太径部3を有する。 (もっと読む)


【課題】ノーマリオフ動作を可能にし、かつしきい値電圧を自由に制御出来るGaN系MOSFETを提供する。
【解決手段】p−GaNからなる電子走行層13とゲート電極18との間にゲート絶縁膜15が形成されたGaN系MOSFET10である。ゲート電極18は、AlGaInP混晶からなる。ゲート電極18は、p型AlGaInP混晶からなる第1のゲート層19と、この上に形成されたp型GaAsからなる第2のゲート層20と、この上に形成された金属層(AuGe/Au電極)21とを有する。AlGaInP混晶の混晶比を変化させることにより、しきい値電圧を制御することが出来る。 (もっと読む)


1,041 - 1,050 / 4,457