【課題】離型フィルム上に接着剤層及び粘着フィルムを有するウエハ加工用テープをロール状に巻き取った場合に、接着剤層への転写跡の発生を充分に抑制することができるウエハ加工用テープ体を提供する。
【解決手段】ウエハ加工用テープ体６０は、長尺の離型フィルム５１と、前記離型フィルム５１の第１の面上に設けられた所定の平面形状を有する接着剤層５２と、前記接着剤層５２を覆い、且つ、前記接着剤層５２の周囲で前記離型フィルム５１に接触するように設けられた所定の平面形状を有するラベル部と、前記ラベル部の外側を囲むような周辺部とを有する粘着フィルム５３とを有するウエハ加工用テープ５０を円筒状のコア１に巻き取ったウエハ加工用テープ体６０であって、前記コア１の円筒両端部の円筒直径が円筒中央部の直径よりも大きい太径部３を有する。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ動作を可能にし、かつしきい値電圧を自由に制御出来るＧａＮ系ＭＯＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】ｐ−ＧａＮからなる電子走行層１３とゲート電極１８との間にゲート絶縁膜１５が形成されたＧａＮ系ＭＯＳＦＥＴ１０である。ゲート電極１８は、ＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる。ゲート電極１８は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる第１のゲート層１９と、この上に形成されたｐ型ＧａＡｓからなる第２のゲート層２０と、この上に形成された金属層（ＡｕＧｅ／Ａｕ電極）２１とを有する。ＡｌＧａＩｎＰ混晶の混晶比を変化させることにより、しきい値電圧を制御することが出来る。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ表面保護用粘着テープを半導体ウエハに貼り付け、半導体ウエハの裏面を研削後、前記粘着テープを剥離する工程において、従来剥離が困難であった、ウエハの厚さ、口径、表面の膜状態（ポリイミド、ベンゾシクロブテン等）であっても、紫外線硬化型表面保護用粘着テープを用いることなく、良好に剥離することができ、半導体ウエハを汚染しない半導体ウエハ表面保護用粘着テープを提供する。
【解決手段】基材フィルム上に粘着剤層を有する半導体ウエハ表面保護用粘着テープであって、前記粘着剤層が感圧型粘着剤であり、前記粘着剤層表面のヨウ化メチレンに対する接触角が３０度以上６０度以下であり、前記感圧型粘着剤を構成する主成分であるポリマーの重量平均分子量または架橋後の分子の重量平均分子量が１００万以上であることを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着テープである。 （もっと読む）

【課題】 作業性に優れ、雨水等による表面劣化を抑制し、かつ、見た目に優れたコンクリート構造体を得ることが可能な、コンクリート構造体の補修方法およびこれに用いられる樹脂製パネルを提供する。
【解決手段】 既設コンクリート構造体３の表面劣化が進行し、強度低下等の恐れがある。したがって、既設コンクリート構造体３には、表面を覆うように構造体３から所定の隙間をあけて樹脂パネル７が縦横に設置され、この隙間にコンクリートが打設されて形成される。樹脂パネル７は、略長方形の板状部材である。本体９の表面１３には、意匠性のある凹凸や模様などが施され、設置した際に外観に優れる。 （もっと読む）

【課題】接着剤層が薄い（１０μｍ以下）場合であっても、センサ認識性が良好であり、生産性や検査精度が良好であるウエハ加工用テープ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ加工用テープ１０は、長尺の離型フィルム１１と、接着剤層１２と、放射線硬化型の第１粘着フィルム１３と、非放射線硬化型の第２粘着フィルム１４とを備えている。接着剤層１２は、離型フィルム１１上に設けられ、半導体ウエハの形状に対応したラベル形状を有している。第１粘着フィルム１３は、接着剤層１２上に設けられ、該接着剤層１２と同一の形状を有している。第２粘着フィルム１４は、ラベル部１４ａと周辺部１４ｂとから構成される。ラベル部１４ａは、ラベル形状積層体１５を覆い、且つ、ラベル形状積層体１５の周囲で離型フィルム１１に接触するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】紫外域から近赤外域における反射率が良好で、かつワイヤボンディング性が良好であり、耐食性に優れるリードフレームおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレームは、導電性基体上にロジウムまたはロジウム合金からなる反射層の上層に、金またはパラジウムまたは白金またはこれらの合金のいずれかで形成された最表層を少なくともワイヤボンディングが施される箇所に有している。最表層の厚さは、０．００１〜０．０５μｍとすることで、光の反射率に優れ、耐食性も良好であり、よりワイヤボンディング性の信頼性を高められた光半導体装置用リードフレームを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】エキスパンド工程において、半導体ウエハの分断時のチップ反りを低減し、ピックアップ工程でのチップ反りによるチップ認識不良を低減することが可能な半導体ウエハの加工方法を提供する。
【解決手段】裏面がウエハ加工用テープに貼合されており、チップ単位にダイシングあるいは切断の起点が形成された半導体ウエハのパターン面に、表面保護テープを貼合する工程を備えることを特徴とする半導体ウエハの加工方法を用いる。その後、前記ウエハ加工用テープの下面より突き上げ部材を上昇させることで、前記ウエハ加工用テープを引き伸ばすとともに、前記半導体ウエハを半導体チップに分断するエキスパンド工程と、を備えることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
高湿度状態や水浸状態においても伝送ロスが増加しにくい光ファイバ心線を提供する。
【解決手段】
本発明の光ファイバ着色心線２２は、少なくとも軟質層と硬質層との２層の被覆層により被覆されたガラス光ファイバからなる光ファイバ素線１４に着色層を塗布してなる光ファイバ着色心線２２であって、光ファイバ着色心線２２の着色層を塗布した後の被覆層と着色層を塗布する前の光ファイバ素線１４の被覆層との熱膨張係数の比が０．８７以上である。また、本発明の光ファイバテープ心線３２は、光ファイバ着色心線２２を複数本平面状に並べ、テープ樹脂により一括被覆してなる光ファイバ心線３２であって、光ファイバ着色心線２２の着色層を塗布した後の被覆層と着色層を塗布する前の光ファイバ素線の被覆層との熱膨張係数の比が０．９０以上である。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造することができ、かつ、高い絶縁破壊耐圧を有するＩＩＩ族窒化
物系半導体素子、およびＩＩＩ族窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン層、絶縁層、および表面にシリコンからなる複数の核領域と前記複
数の核領域の間を埋める絶縁領域を有する複合層がこの順に形成された基板と、前記基板
上に形成されたＩＩＩ族窒化物系半導体からなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成
されたＩＩＩ族窒化物半導体からなる動作層と、前記動作層上に形成された第１の電極お
よび第２の電極とを備え、前記核領域のそれぞれの最大幅Ｌ_１が、前記第１の電極および
前記第２の電極の間の距離Ｌ_２よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】組み立てが容易で、部品点数を低減でき、機械的強度に優れた小型化・軽量化されたバッテリ冷却装置を提供することを目的とする。
【解決手段】縁部が曲げられた一対の板と、前記一対の板に挟持されたヒートパイプと、前記一対の板上に載置されたバッテリモジュールとを備えたバッテリパックが、前記曲げられた縁部により、側面が形成されるように積重されたことを特徴とするバッテリ冷却装置である。 （もっと読む）