説明

古河電気工業株式会社により出願された特許

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【課題】ジャンパー線の内部の劣化の程度を活線状態で確認できるがいしジャンパー線の劣化検査装置および劣化検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本体部11と、この本体部11に設けられてがいしのジャンパー線Jに着脱自在に装着される装着体12a、12bと、第1の絶縁操作棒1の操作によって前後方向に進退し、第2の絶縁操作棒2の操作によって軸心を中心に回転する進退子23と、進退子23の前部に突設されてジャンパー線Jを構成する素線jと素線jの間に進入し、前記回転によって素線jと素線jを強制的に拡開させて内部Kの素線を露呈させる進入子24と、進入子24の先端部付近を撮像する撮像手段とからジャンパー線の劣化検査装置を構成した。 (もっと読む)


【課題】十分な導電率と引張強度を有し、耐屈曲疲労特性に優れたアルミニウム合金導体を提供する。
【解決手段】Feを0.01〜1.5mass%、Mgを0.01〜1.2mass%、及びSiを0.01〜1.2mass%を含有し、残部が実質的にAlと不可避的不純物よりなる合金組成を有し、MgSi針状析出物の分散密度が10〜200個/μmであり、引張強度240MPa未満、かつ、引張破断伸び10%以上を満たすアルミニウム合金線。 (もっと読む)


【課題】 十分な可撓性と、高い遮水性とを両立することが可能な海中ケーブルを提供する。
【解決手段】 海中ケーブル3の内部の電力用線心13は、導体部15、絶縁部17、シールド層19、遮水層21、防食層22等から構成される。導体部15の外周部には、絶縁部17が設けられる。絶縁部17は、例えば架橋ポリエチレンで構成される。絶縁部17の外周には、シールド層19が設けられる。シールド層19の外周部には遮水層21が設けられる。遮水層21は、金属層31が樹脂層33a、33bで挟みこまれた複層テープ30により構成される。遮水層21の外周部には防食層22が設けられる。なお、複層テープ31の断面形状が、金属層31は波形状を有する。 (もっと読む)


【課題】1工程で切断加工や貫通孔形成加工ができ、切断速度や貫通孔形成速度が速く、切断幅や貫通孔径の狭いセラミック基板の加工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】波長1000nm以上1100nm以下の光の反射率が80%以上であるセラミック基板の表面に、連続発振のレーザ光を照射して前記セラミック基板を切断加工する、レーザ光によるセラミック基板の加工方法であって、前記セラミック基板の加工点における前記レーザ光のパワー密度が、1.0×10W/cm以上である加工方法。 (もっと読む)


【課題】光ファイバ束状コイルを乱すことなくボビンから取り外すことができ、取り外し後にもコイルを良好な状態で維持できるボビンおよび光ファイバコイルの形成方法を提供すること。
【解決手段】外周面8に、軸方向に配置された帯状のくぼみ部9を有する円筒形の胴部7の両端面19に、くぼみ部9に対応する位置から外縁部4に向けて放射状に配置された切込み部3を有する平板状の鍔部1をネジ等で固定し、ボビン11を組み立てる。次に、胴部7に光ファイバ13を巻きつけてコイル17を作製する。そして、くぼみ部9と切込み部3の端部6付近に紐15を通し、くぼみ部9と切込み部3に沿って紐15を配置して、コイル17を結束する。その後、鍔部1と胴部7との固定を解除して、鍔部1をコイル17から取り外す。また、胴部7もコイル17から取り外す。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、半導体素子、及び半導体素子と多孔質状金属層との接合面等における、クラックや剥がれを抑制可能な半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板(K)またはリードフレーム(L)に設けられたパッド部(P)上に多孔質状金属層(C)を介して半導体素子(S)の金属層が接合されている半導体装置であって、前記多孔質状金属層(C)の外周側部位の金属密度がその内側に位置する中心側と比較して低いことを特徴とする半導体装置。 (もっと読む)


【課題】耐摩耗性、耐溶剤性に優れた耐インバータサージ絶縁ワイヤ、また、部分放電発生電圧を上げるための絶縁層の厚膜化を、絶縁ワイヤの導体とエナメル層の接着強度を下げることなく実現できる耐インバータサージ絶縁ワイヤを提供する。
【解決手段】導体の外周に、直接あるいは他の絶縁層を介して、少なくともポリアミドイミドを含むエナメル焼き付け層を有し、さらにその外側に少なくとも1層の押出被覆樹脂層を有する絶縁ワイヤであって、該エナメル焼き付け層表面にカルボキシル基、エステル基、エーテル基及びヒドロキシル基からなる群から選ばれる少なくとも1種の官能基を存在させ該押出被覆樹脂層を該エナメル焼き付け層と密着させてなる絶縁ワイヤ。 (もっと読む)


【課題】接合部同士の短絡が生じにくく、めっきやスパッタよりも接合強度が高い、金属焼結膜により金属部品同士を銅微粒子の焼結により接合する方法を提供する。
【解決手段】セラミック板表面に、銅微粒子(P)と分散媒(A)を含む加熱接合材料からなるパターン化物を配置し、更に該パターン化物上に導電性金属板を配置後、該加熱接合材料を加熱、焼結して銅微粒子(P)焼結体からなる接合層(L)を形成することにより、
セラミック板と導電性金属板とが接合層(L)を介して接合されたセラミック接合体であって、前記銅微粒子(P)が平均一次粒子径2〜500nmの銅微粒子(P1)を含み、接合層(L)の空孔率が3〜30体積%で平均空孔径が5〜500nmであり、厚みが0.005〜0.500mmであることを特徴とする、セラミック接合体。 (もっと読む)


【課題】保存時及び使用時に手間がかからず、取り扱いが容易で、接合時にボイドが発生するのを低減することができる接続シートを提供する。
【解決手段】本発明の接続シート1は、半導体素子17と基板16とを接続するための接続シート1であって、金属ペーストをシート状に形成した接合層2と、接合層2の一方の面側に設けられ、接合層2を保護する第一の保護フィルム4とを有し、接合層2は、金属微粒子と有機分散剤とを含み、加熱することにより、有機分散剤が除去され、金属微粒子同士が互いに結合することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板(K)等と半導体素子(S)の金属層とが多孔質状金属層により接合されためっきやスパッタよりも接合強度にすぐれ信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】基板(K)またはリードフレーム(L)に設けられたパッド部(P)と、半導体素子(S)の金属層とが、多孔質状金属層(C)を介して接合され、該半導体素子(S)と他の電極端子(T)間とが金属製ワイヤで接続され、かつ前記パッド部(P)、多孔質状金属層(C)、半導体素子(S)、被覆樹脂部(I)、及び半導体素子(S)と電極端子(T)間を接続する金属製ワイヤが封止樹脂(H)で封止されている半導体装置であって、
前記多孔質状金属層(C)の外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子(S)の外周側面の少なくとも一部に被覆樹脂部(I)が配置され、かつ、前記被覆樹脂部(I)と前記封止樹脂(H)との間に界面が存在している
ことを特徴とする半導体装置。 (もっと読む)


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