【課題】圧縮機を必要としないケーブル導体接続方法を提供する。
【解決手段】周方向に等角度間隔で形成した４個１組のねじ穴を、軸線方向に間隔をあけて２組形成した導体接続スリーブ２を使用する。この導体接続スリーブ２にケーブル導体１を挿入した後、次の順序で各ねじ穴にねじ込まれた雄ねじの締め込みを行う。一方のねじ穴の組では、まず第一の雄ねじ３ａを締め込んでケーブル導体１をその雄ねじ３ａと反対側のスリーブ内周面に押し付け、次に第一の雄ねじ３ａの両側に位置する第二、第三の雄ねじ３ｂ、３ｃを締め込み、最後に第四の雄ねじ３ｄを締め込む。他方のねじ穴の組では、第一の雄ねじ３ａと反対側付近に位置する第五の雄ねじ３ｅを締め込んでケーブル導体１をその雄ねじ３ｅと反対側のスリーブ内周面に押し付け、次に第五の雄ねじ３ｅ両側に位置する第六、第七の雄ねじ３ｆ、３ｇを締め込み、最後に第八の雄ねじ３ｈを締め込む。 （もっと読む）

【課題】基板面に垂直方向に形成された複数の活性層に流れる電流の水平方向の調整の精度を高めることができる半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】第１の一導電型クラッド層３、第１の活性層５及び第１の反対導電型クラッド層７が順に形成され、第１の反対導電型クラッド層７の上に第２の一導電型クラッド層１１、第２の活性層１３及び第２の反対導電型クラッド層１５が順に形成され、さらに、第１の反対導電型クラッド層７と第２の一導電型クラッド層１１の間に部分的に形成されたトンネルジャンクション層１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】炉心管内部を正圧状態に維持するために必要な不活性ガスの供給量を低減できるガラスロッド延伸装置およびガラスロッド延伸方法を実現できること。
【解決手段】本発明にかかるガラスロッド延伸装置１００は、加熱炉１の炉心管４内に導入したガラスロッド１５を加熱処理し、この加熱処理によって溶融軟化したガラスロッド１５を所望の外径に延伸加工し、この延伸加工後のガラスロッド（延伸済みロッド１５ａ）を炉心管４から引き出すものである。このようなガラスロッド延伸装置１００では、加熱炉１の引出口側の下部開口部３ｂと支持棒１７および下部チャック１９との間を伸縮自在な筒部２によって覆い、炉心管４の内部空間に連通する閉空間を形成する。 （もっと読む）

【課題】配管系の設置費用をより低減することにより、一層低コストの燃料電池コジェネレーションシステムを提供すること。
【解決手段】電解質膜を加湿湿潤化するための水を供給する加湿水配管を有する燃料電池ユニットと、当該燃料電池ユニットで発生した熱を回収する熱回収ユニットとを備え、前記熱回収ユニットにおける冷却水配管中の熱交換器内の管路上に結露した凝縮水を供給配管を通じて前記加湿水配管へ供給するように構成し、前記熱交換器内の管路，前記凝縮水の供給配管の管路及び前記加湿水配管の管路を銅又は銅合金により構成し、前記熱交換器内の管路の外面，前記の供給配管の管路の内面及び前記加湿水配管の管路の内面には銅イオン溶出抑止手段を施したことを最も主用な特徴としている。 （もっと読む）

【課題】結晶成長装置へ負担をかけず、かつデバイス特性の劣化やばらつきを生じさせずに、凹型形状を表面に有する半導体部の表面にその凹型形状を維持して半導体層を成長した半導体素子を製造できる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】（００１）面を有する底面と低指数面を有する内側面とで形成された凹型形状を表面に有する凹型半導体部を形成する凹型半導体部形成工程と、前記凹型半導体部の表面に、エチル基を有する成長原料を用いて、前記成長原料の再蒸発領域の温度で半導体層を成長する半導体層成長工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】逆引きタイプの剛性筒体に用いても、剛性筒体を解体する時の拡径保持材の引抜き力を適切に管理できる筒状ゴムユニット拡径保持材を提供する。
【解決手段】断面略矩形の紐状部２の一方の側面に外周側噛み合い片３Ｇを形成し、他方の側面に内周側噛み合い片３Ｎを形成してなる筒状ゴムユニット拡径保持材１において、内周側噛み合い片３Ｎの一部に変形容易な易変形部３０を設ける。この拡径保持材１で逆引きタイプの剛性筒体を形成すると、拡径保持材１を引き抜いて剛性筒体を解体するときに、内周側噛み合い片３Ｎが内側へ容易に倒れ、外周側噛み合い片３Ｇが外れやすくなるので、拡径保持材１の引抜き力が弱くて済む。 （もっと読む）

【課題】接続端子の摺動部などに好適なめっき材料、および前記めっき材料を用いて挿抜性を改善した、嵌合型多極コネクタなどの電気電子部品を提供する。
【解決手段】導電性基体１上にＮｉなどの下地層２が設けられ、その上に銅または銅合金の中間層３が設けられ、その上にＣｕ−Ｓｎ金属間化合物からなる最外層４が設けられためっき材料５。めっき材料５を、端子などの摺動面に用いたとき、最外層４が硬質のＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層からなるため、端子間の接触圧力を小さくしても、フレッティング現象が起き難い。従ってめっき材料５を摺動面に用いた端子はめっき層を薄くするなどして挿抜性を高めることができる。めっき材料５は、製造中または使用中の基体成分の熱拡散が前記下地層２により防止され、下地層成分の熱拡散が中間層３に阻止されるので、最外層４のＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層が汚染されず、その機能が良好に保持される。 （もっと読む）

【課題】本発明は放熱性、加工精度、加工性を高めることができ、小径のスルーホールの形成を容易にすることができるメタルコアプリント配線板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のメタルコアプリント配線板は、金属コア層１と、金属コア層１上に形成された絶縁層３と、絶縁層３の表面上に形成された第１の導体層４と、絶縁層１の裏面上に形成された第２の導体層５とを有し、第１の導体層４及び第２の導体層５を貫通するスルーホール６が形成され、金属コア層１には、スルーホール６の貫通位置に厚さの薄い薄肉部１ａが形成されている。薄肉部１ａの厚さは、第１の導体層４及び第２の導体層５の厚さと略同一であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】銅箔と低融点金属を含む導電性ペーストとの界面に生成する低融点金属の拡散層を抑え、銅箔と導電性ペーストとの界面にボイドや亀裂が発生しない銅箔、および該銅箔の製造方法を提供する。
【解決手段】元箔表面に、結晶方位が、Ｘ線回折法により測定した１１１面がもっとも多く、１１１面と２００面との結晶方位の積分強度比率（１１１面／２００面）が３以上である突起物群を設けた銅箔である。前記銅箔は、元箔表面に、過硫酸塩を０．１ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下の比率で添加した硫酸銅めっき液を用いて、電気めっき法にて析出させて製造する。
【選択面】なし （もっと読む）

【課題】本発明は回路基板の高密度化及び回路基板に形成される回路パターンの配策自由度を向上させることができる回路基板構造及び電気接続箱を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板構造では、端子ホルダ５の底面に凹部５ａが形成され、端子ホルダ５の凹部５ａと回路基板１の表面との間に、正面側と背面側とを貫通する空間部７が形成され、その空間部７は、空間部７内の回路基板１上に抵抗、ダイオード、コンデンサなどの低背部品３ａを実装することが可能な大きさに形成されている。 （もっと読む）