【目的】 ツェナーダイオードの短絡や配線切断などの特殊な工程をもたない単純なＩＣプロセスで実現できるバンドパス中心周波数補正用抵抗回路内蔵のフィルタ回路を提供する。
【構成】 中心周波数補正用抵抗回路２を、一端が互いに共通に接続され、各他端にボンディングパッドが接続された複数の抵抗を備えた抵抗回路で構成した。これらのボンディングパッドの一部または全部を電源リード３に選択的に接続して抵抗回路の抵抗値を調整する。通常のワイヤボンディング工程で抵抗調整ができるので、既存のいかなるＩＣプロセスででも中心周波数補正用抵抗回路を内蔵したフィルタ回路を実現できる。 （もっと読む）

【目的】 光ファイバジャイロ等の光源として用いる高出力で、低電流動作のスーパールミネッセントダイオードおよび、その製造方法を提供する。
【構成】 活性層となるＧａ_1-XＡｌ_XＡｓ層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のＧａ_1-Y1Ａｌ_Y1Ａｓ第一光ガイド層、Ｇａ_1-Y2Ａｌ_Y2Ａｓ第二光ガイド層を順次、備えるとともに、前記第二光ガイド層上に、これとは逆の導電型でストライプ状の窓を有するＧａ_1-ZＡｌ_ZＡｓ層が形成されており、前記ストライプ状の窓には、前記光ガイド層と同じ導電型のＧａ_1-Y3Ａｌ_Y3Ａｓ層を備えており、ＡｌＡｓ混晶比、Ｘ，Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３およびＺの間に、Ｚ＞Ｙ３＞Ｙ２＞Ｘ≧０，Ｙ１＞Ｙ２の関係を有し、前記ストライプ状の窓の前端面の垂直面に対し、前記ストライプ状の窓が３度から１５度の角度を有する。 （もっと読む）

【目的】 レーザ出射光の光利用効率が高く、製作しやすい光ピックアップ装置を提供する。
【構成】 半導体基板１上に装着された半導体レーザ素子２と、前記半導体基板１に設けた段差面を反射面とし、前記半導体レーザ素子２のレーザ光の出射端面に対向する反射ミラー３と、半導体基板１上に設けた光検出器５，６，７および８とを備え、半導体レーザ素子２の出射端面を反射ミラー３に近接して配置するとともに、半導体レーザ素子２の出射光軸を反射ミラー３と半導体基板１とに共通な垂直面に交差させて反射光１０が出射端面に当たらないようにエピ成長層側を半導体基板１に固定し、反射光１０がホログラム素子１３，１４に対してほぼ垂直になるように、半導体基板１を前記ホログラム素子に対して傾けて配置した光ピックアップ装置。 （もっと読む）

【目的】 半導体基板の表面照度を正確且つ速やかに検出できるようにすることにより、電荷蓄積時間の制御や外部信号増幅器のゲイン設定を的確に行なえるようにする
【構成】 半導体基板１の表面部には、該半導体基板１の表面照度をモニターする複数個の照度モニター用フォトダイオード３Ｂと、複数個の照度モニター用フォトダイオード３Ｂのそれぞれと配線４Ｂを介して接続された１個の不純物拡散層５Ｂと、該不純物拡散層５Ｂと出力ゲート６Ｂを介して接続されたフローティングディフュージョンアンプ７Ｂとがそれぞれ形成されている。照度モニター用フォトダイオード３Ｂが分散状態で形成されているため、フローティングディフュージョンアンプ７Ｂから出力される電圧信号は半導体基板１の表面照度を的確に反映するので、外部信号増幅器のゲイン設定やフォトダイオードでの信号電荷蓄積時間の制御を的確且つ速やかに行なうことができる。 （もっと読む）

【目的】 ランプ光束および光束維持率の低下を抑制するとともに、外観を損なうことのない電球形蛍光灯を得る。
【構成】 口金５を有する不透光性カバー６とこれに固着された透光性グローブ７とからなる外囲器内に蛍光ランプ２および点灯装置３を保持したホルダ１を設ける。ホルダ１の表面全体にはシリカアクリル複合粒子エマルジョンと非イオン性界面活性剤とからなる保護膜４を有する。 （もっと読む）

【目的】 高精度の位相シフタパターンを容易に形成する。
【構成】 マスク基板１１上に位相シフト層１３となる塗布シリコン酸化膜を回転塗布する。レジスト１４を回転塗布する。続いて、所定パターンを電子線露光で形成する。このレジスト１４のパターンをマスクとして、平行平板型リアクティブ・イオン・スパッタリング装置を用いて、塗布シリコン酸化膜を２８０ｎｍの膜厚だけドライエッチングにより除去する。この除去した膜厚は位相シフト層１３の全膜厚の７０％に相当する。続いて、残った塗布シリコン酸化膜を緩衝弗酸溶液を使用してウエットエッチングにより除去する。 （もっと読む）

【目的】 シリコン基板中の重金属の簡便で迅速で高感度に分析する。
【構成】 シリコン基板１の表面にボロンイオン２を加速エネルギー５０ｋｅＶ、ドーズ量３×１０¹⁴ｃｍ^-2で注入する。そのあとに９００℃、３０分の熱処理を行い注入層３を形成してある。重金属４の汚染の程度を評価した半導体処理装置中に図１の試料をセットする。この後、その半導体処理装置でその処理を行う。このように、イオン注入をシリコン基板１に施しておくことで、シリコン基板１中に注入ダメージを意図的に形成できる。特にボロンイオンを注入することで、後の熱処理工程によって重金属をゲッターさせることができる。それを全反射蛍光Ｘ線によって分析することで、感度を一桁以上上昇させることができる。 （もっと読む）

【目的】 アライメントマークをずれを生じさせたり、つぶしたりすることなくウェハーに露光し、合わせ精度を高める。
【構成】 縮小投影露光装置用レチクルの、本体チップ領域１周辺のスクライブライン領域３に配置するアライメントマーク４に、保護パターン１０，１１を配置することによって本体チップ領域１周辺のスクライブライン領域３にアライメントマーク４を配置可能にしたことと、保護パターン１０，１１を設けたことによって露光時にアライメントマークのつぶれがなくなり、縮小投影露光装置用レチクルの設計のスループットの向上、合わせ精度の向上になり良品収量の向上を実現できた。 （もっと読む）

【目的】 窓層の抵抗を低くし、結晶成長中の活性層へのｐ型不純物の拡散を抑え、高輝度で信頼性に優れた発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【構成】 窓層６ａの正孔濃度を、活性層に近い１μｍのみ正孔濃度ｐ＝１×１０¹⁸ｃｍ^-3とし、残り６μｍはｐ＝３×１０¹⁸ｃｍ^-3とする。すなわち窓層６ａの内、活性層に近い領域のＺｎ濃度を低くすることにより、活性層へのＺｎの拡散を抑え、活性層中の非発光中心の発生を防ぐことができる。活性層から離れた領域のＺｎ濃度を高くすることにより、窓層６ａ中の抵抗を低くできる。 （もっと読む）