【課題】高い表面硬度と高い耐衝撃性を併せ有し、かつ透明性にも優れたポリカーボネート樹脂組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示される特定の構造単位を有する粘度平均分子量２０，０００〜３５，０００のポリカーボネート樹脂（Ａ）及び一般式（２）で表される特定の構造単位を有する粘度平均分子量１６，０００〜２８，０００のポリカーボネート樹脂（Ｂ）を、（Ａ）／（Ｂ）の質量比で８０／２０〜２０／８０の割合で含有し、ＡＳＴＭ Ｄ２７９４に従って測定した２５℃におけるデュポン衝撃強度が１０Ｊ以上、ＪＩＳ Ｋ５６００に従って測定した鉛筆硬度がＦ以上であることを特徴とするポリカーボネート樹脂組成物による。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が向上した光電変換素子、太陽電池及び太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】一対の電極と、該電極間に配置された活性層と、少なくとも一方の前記電極と前記活性層との間に配置された電子取り出し層と、を備える光電変換素子であって、前記活性層に下記式（１Ａ）で表される繰り返し単位と式（１Ｂ）で表される繰り返し単位とを含むコポリマーを含有し、かつ前記電子取り出し層に特定の一般構造式で表される化合物を含有する。


（もっと読む）

【課題】煩雑な製造工程を経る必要があるシリル化されたＨ型ゼオライトの製造において、簡便な製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】シリル化されたＣＨＡ型構造を有するＨ型ゼオライトの製造方法であって、ＣＨＡ型構造を有する非Ｈ型ゼオライトを、酸性水溶液存在下、シリル化剤と反応させることを特徴とする、シリル化されたＣＨＡ型構造を有するＨ型ゼオライトの製造方法。
具体的には、水熱合成で得られた非Ｈ型のゼオライトを、濃度を調製した酸を含む水溶液を反応溶媒としてシリル化処理を行うことで、構造の崩壊を起こすことなくシリル化されたＨ型ゼオライトを得る。 （もっと読む）

【課題】 非水系電解液電池の高温保存時における容量劣化とガス発生を改善できる非水系電解液と、この非水系電解液を用いた非水系電解液電池を提供することを課題とする。
【解決手段】このような課題に対し、（Ａ）分子内に少なくとも２つのイソシアネート基を有する化合物、ならびに分子内に少なくとも２つのシアノ基を有する化合物を、特定の含有量にて配合させた非水系電解液を用いることで、課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】 汎用用途を目的として生産されたイソホロン系ポリカーボネート樹脂は、電子写真感光体に使用するには品質上種々の問題が有り、特に初期および耐久使用時の残留電位（明電位）、画像メモリー等の画像特性、耐摩耗性に難点が有った。
【解決手段】 感光層中に、バインダー樹脂としてイソホロン系ポリカーボネート樹脂と、特定の電荷輸送材料を組み合わせることによって上記の課題を解決できる電子写真感光体、画像形成装置、及び電子写真カートリッジを提供する。 （もっと読む）

【課題】高い表面硬度と高い耐衝撃性を併せ有し、かつ難燃性と透明性にも優れたポリカーボネート樹脂組成物を提供する。
【解決手段】特定の構造単位を有する粘度平均分子量（Ｍｖ）が２０，０００〜３５，０００のポリカーボネート樹脂（Ａ）及び特定の構造単位を有する粘度平均分子量（Ｍｖ）が１６，０００〜２８，０００のポリカーボネート樹脂（Ｂ）を、（Ａ）／（Ｂ）の質量比で８０／２０〜２０／８０の割合で含有するポリカーボネート樹脂１００質量部に対し、難燃剤を０．０１〜１質量部含有するポリカーボネート樹脂組成物であって、ＡＳＴＭ Ｄ２７９４に従って測定した２５℃におけるデュポン衝撃強度が１０Ｊ以上であり、３００℃、剪断速度１０ｓｅｃ^−１で測定した溶融粘度η_１０と、３００℃、剪断速度１０００ｓｅｃ^−１で測定した溶融粘度η_１０００との比（η_１０／η_１０００）が３〜８であることを特徴とするポリカーボネート樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】青色又は近紫外光に対する変換効率が高く、色純度の良好な緑色蛍光体、それを用いた発光装置、画像表示装置、照明装置及び蛍光体含有組成物を提供する。
【解決手段】一般式［Ｉ］で表される複合酸窒化物蛍光体、それを用いた発光装置、画像表示装置、照明装置及び蛍光体含有組成物である。
Ｍ１_ｘＢａ_ｙＭ２_ｚＬ_ｕＯ_ｖＮ_ｗ ［Ｉ］
式［Ｉ］中、Ｍ１はＣｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂを示し、Ｍ２はＳｒ、Ｃａ、Ｍｇ及びＺｎを示し、Ｌは周期律表第４族又は１４族に属する金属元素を示し、ｘ、ｙ、ｚ、ｕ、ｖ及びｗは、それぞれ以下の数値である。
０．００００１≦ｘ≦３
０≦ｙ≦２．９９９９９
２．６≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦３
０＜ｕ≦１１
６＜ｖ≦２５
０＜ｗ≦１７） （もっと読む）

【課題】本発明は、ｍ面ＧａＮ基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】ｍ面ＧａＮ基板の表面処理方法は、ｍ面ＧａＮ基板の表面を、酸性のＣＭＰスラリーを用いて０．５μｍ／ｈ以下のポリッシングレートでポリッシングする第１工程と、該第１工程に続いて該ｍ面ＧａＮ基板の該表面を水洗する第２工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】白色ＬＥＤ用の励起光源に適したＧａＮ系発光ダイオード素子を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオード素子は、ｎ型導電性のｍ面ＧａＮ基板と、該ｍ面ＧａＮ基板のおもて面上にＧａＮ系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該ｍ面ＧａＮ基板の裏面に形成されたｎ側オーミック電極とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が２０ｍＡのときの順方向電圧が４．０Ｖ以下である。 （もっと読む）

【課題】触媒の存在下における１，４−ブタンジオールの脱水素反応によりガンマブチロラクトンを製造するに当たり、経時による触媒の劣化を抑制してガンマブチロラクトンの生成速度を高めると共に、反応副生成物の生成を防止してガンマブチロラクトンを効率的に製造する。
【解決手段】周期表第８〜１１族に属する金属を含む触媒の存在下で、原料１，４−ブタンジオールの脱水素反応によりガンマブチロラクトンを製造する方法において、該原料１，４−ブタンジオール中の窒素含有化合物の濃度を窒素原子換算の濃度で０．５〜１５重量ｐｐｍとする。原料１，４−ブタンジオール中に所定濃度の窒素含有化合物を存在させることにより、副生成物の生成と触媒の経時劣化の抑制と、ガンマブチロラクトンの生成速度の向上が可能となる。 （もっと読む）