説明

三菱電機株式会社により出願された特許

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【課題】鍋の素材に適した制御モードでインバータ回路を駆動することのできる誘導加熱調理器を得る。
【解決手段】通電比率制御モードでインバータ回路12を駆動している場合において、サーミスタ17により検知されたインバータ回路12の温度が、加熱コイル電流検知回路15により検知された電流値に対応する予め定められた閾値より高いときには、周波数制御モードに切り替えてインバータ回路12を駆動する。 (もっと読む)


【課題】被加熱物の位置を精度よく検知することのできる誘導加熱調理器を得る。
【解決手段】加熱口に対応して設けられた複数の温度センサ6と、複数の加熱コイルのそれぞれの上方に被加熱物が載置されているか否かを検知する載置位置検知部131と、複数の温度センサ6の検出値に基づいて、加熱口における被加熱物の載置位置を検知する載置位置検知部132と、載置位置検知部131の検知結果及び載置位置検知部132の検知結果に基づいて、複数の加熱コイルに供給する高周波電流を可変するよう駆動制御部12を制御する制御部13とを備えた。 (もっと読む)


【課題】絶縁を確保するとともにLED基板と放熱部材の密着性を高めた照明器具を提供する。
【解決手段】基板貫通孔133を有するLED基板130と、LED基板130を取り付ける基板取付面111と基板貫通孔133に対応する位置に設けられた凹部112と凹部112の底部に設けられためねじ部112aとを備える放熱部110と、基板取付ねじ131と、ねじ軸部131bを貫通させるとともにねじ頭部131aを係止する円板貫通孔132jを備え円板貫通孔132jと基板貫通孔133とが連通するとともに当接部裏面132fが基板貫通孔133の周囲の実装面134と当接するように配置される当接部とを備え、基板取付ねじ131は、ねじ軸部131bが円板貫通孔132jと基板貫通孔133とを貫通し、おねじ部131cがめねじ部112aと螺合し、当接部を実装面134に押し付けてLED基板130を基板取付面111に固定する。 (もっと読む)


【課題】天井に取り付けられる埋込型の照明装置の、上下方向及び水平方向の動きを拘束する簡易な構成を提供する。
【解決手段】照明器具600は、主要部品として、反射部670と、LED基板630が取り付けられた放熱部610とからなる。反射部670には、3つの止め具672と、3つの板バネ671とが取り付けられる。それぞれの止め具672は、照明器具600が天井板にあけられた取付開口穴に埋め込まれると、押え金具672−6が天井板の上面を、略鉛直方向に押圧することで照明器具600を上下方向に支持する。それぞれの板バネ671は、照明器具600が天井板にあけられた取付開口穴に埋め込まれると、取付開口穴の天井板上面側の周縁を、略鉛直方向と略水平方向との成分に分解可能な斜め鉛直方向にバネ復元力に基づく押圧力によって押圧することで照明器具600を支持する。 (もっと読む)


【課題】鍋からのふきこぼれを含め鍋の状態を検出してその結果に基づいて加熱制御を行うことのできる誘導加熱調理器を得る。
【解決手段】鍋30を加熱する渦巻き状の加熱コイル2と、加熱コイル2に高周波電流を流す駆動回路5と、加熱コイル2の渦の隙間であって当該加熱コイル2の中心から外れた位置に配置され、トッププレート8の上に載置される鍋30の温度を検知する温度センサ4と、トッププレート8の下側であって加熱コイル2の周囲に設けられた電極3と、電極3と所定電位との間の静電容量を計測する静電容量測定回路7と、静電容量測定回路7が測定した静電容量の変化量が、しきい値よりも増加した場合にふきこぼれが発生したと判定するふきこぼれ判定手段(制御回路6)と、温度センサ4の出力値及びふきこぼれ判定手段の判定結果に基づいて駆動回路5を制御する制御手段(制御回路6)とを備えた。 (もっと読む)


【課題】加熱コイルの駆動周波数にかかわらず、干渉音の発生を抑制することができる誘導加熱調理器を得る。
【解決手段】鍋が載置されるトッププレート2と、トッププレート2の下に設けられ、鍋を加熱する複数の加熱コイルと、加熱コイルの下に配置したフェライト14と、交流電圧を高周波電圧に変換して加熱コイルに高周波電流を流す駆動回路とを備え、加熱コイルの下のうち、隣接する加熱コイルに対向する側にフェライト14を配置した範囲が、対向しない側にフェライト14を配置した範囲に比べて少ないものである。 (もっと読む)


【課題】太陽電池モジュールの出力特性の測定誤差を低減できる搬送装置及びシミュレータ装置を得ること。
【解決手段】搬送装置は、太陽電池モジュールを搬送する搬送装置であって、前記太陽電池モジュールの受光面がソーラーシミュレータの本体と対向する位置へ前記太陽電池モジュールを搬送する搬送ベルトと、前記ソーラーシミュレータの本体に対して前記太陽電池モジュールの側に配され、前記搬送ベルトを搬送方向へ案内する往路ガイド部材と、前記ソーラーシミュレータの本体に対して前記太陽電池モジュールと反対側に配され、前記往路ガイド部材により案内された前記搬送ベルトを前記搬送方向と反対方向へ案内する復路ガイド部材とを備えている。 (もっと読む)


【課題】高周波特性の悪化を防ぎ、耐湿性を向上させる。
【解決手段】半導体基板1の主表面上の素子領域内に、ドレイン電極2が設けられている。一端がドレイン電極2に接続されたドレイン配線5が主表面上に設けられている。主表面上の素子領域外に、ドレイン配線5とは離間したドレイン電極パッド12が設けられている。Auメッキ層9が主表面上に設けられ、主表面との間に空隙10が形成されている。空隙10はドレイン配線5の一端とドレイン電極2を内包する。硬化されたポリイミド膜14が空隙10の開口部11を閉塞し、ドレイン電極パッド12を覆うことなく、ドレイン配線5の他端を覆っている。空隙10の内面に撥液膜15が設けられている。硬化されたポリイミド膜14に設けられた開口16を介してAuメッキ層18により、ドレイン配線5の他端とドレイン電極パッド12が接続されている。ドレイン配線5の他端はポリイミド膜14から出ていない。 (もっと読む)


【課題】本発明は、素子特性にばらつきを生じさせることなく動作時にゲート絶縁膜の高い信頼性を有する半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、SiC基板11上に形成され、表面に凸型領域111が形成されたドリフト領域12と、凸型領域111以外の表面に形成された第2導電型の第1ウェル領域13と、第1ウェル領域13の表面に選択的に形成され、ドリフト領域12との間の第1ウェル領域13表面をチャネル領域と規定する第1導電型のソース領域14と、ソース領域14および第1ウェル領域13と電気的に接続されたソースパッド3と、凸型領域111表面に形成された第2導電型の電界緩和領域17と、ソース領域14、前記チャネル領域、凸型領域111上に形成されたゲート絶縁膜21と、ゲート絶縁膜21上に形成されたゲート電極22と、電界緩和領域17と第1ウェル領域13との導通構造とを備える。 (もっと読む)


【課題】筐体内部の温度上昇を抑制すると共に、冷却器の冷却効率を向上させることを可能とする電力変換装置を得ること。
【解決手段】半導体素子3をスイッチング駆動することにより交直流変換を行う電力変換装置であって、半導体素子3と、半導体素子3への直流印加電圧を平滑する平滑コンデンサと、半導体素子3を取り付けるベース面2および半導体素子3が発する熱を放熱する放熱部1aを有する冷却器1と、平滑コンデンサ5aが格納され、前記ベース面2からなる壁面を有する筐体4と、ベース面2に塗布あるいは貼り付けられ、熱伝導率がベース面2より小さい第1の断熱材7aと、を備える。 (もっと読む)


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