説明

三菱電機株式会社により出願された特許

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【目的】 パワーデバイスの駆動回路において、制御電源電圧がパワーデバイスのスイッチングにより変動しても誤動作しないようにする。
【構成】 パワーデバイスの駆動回路において、パワーデバイス2のしきい値電圧(Vth)より十分大きな電圧が必要なドライブ回路11には制御電源4を直接接続し、制御回路12,保護回路13には、制御電源4から降圧型のレギュレータ回路15により制御電源4より低く安定化した電圧を供給するように構成する。さらに、レギュレータ回路15による安定化した電圧をホトカプラ5による絶縁回路の電源として構成した。従って、パワーデバイス2のスイッチングによる制御電源電圧の変動や,パワーデバイス2のスイッチング時に発生するdV/dt,dI/dtによって、誤動作しないパワーデバイスの駆動回路が得られる。 (もっと読む)


【目的】 20〜50インチのフラットCRTを歩留まり良く製造する。
【構成】 プリント配線8を形成した大型ベース基板1に、微細加工により電子放出素子が形成された基板4を複数個貼り付けて大型の面電子源を形成する。この基板1とフロントパネル2を側壁3を介して貼り合わせることによりCRTとする。基板4の張り付けの際に基板4と基板4のあいだに隙間ができるが、電子放出素子の周囲に電子軌道の偏向のための電極10を形成することにより、基板から発生した電子の軌道を広げ、貼り合わせの隙間がフロントパネルにつなぎ目として見えないようにする。 (もっと読む)


【目的】 メモリ素子のサイズが小さくなっても、充分に大きな読出し信号がえられる磁性薄膜メモリ素子およびその記録方法を提供する。
【構成】 メモリ素子として保磁力の大きな磁性層aと保磁力の小さな磁性層bとを非磁性層cを介してa/c/b/c/a/c/b/c・・・・というふうに積層してなる人工格子膜を用い、磁性層bの磁化の向きを変えることにより、「0」と「1」の記録を行い、再生は磁性層aと磁性層bの磁化の向きが平行のばあいと反平行のばあいとで抵抗が大きく変化することを利用し、メモリ素子の両端の電圧Vを比較することにより、「0」と「1」の記録状態を判別する。
【効果】 記録用の配線と素子の間隔を小さくでき、省電力化、高密度化が達成できると共に、再生の際抵抗の変化率が大きいため、再生信号の検出が容易である。 (もっと読む)


【目的】 窒化珪素膜との選択性が更に良く、均一性の良いドライエッチング方法を得る。
【構成】 平行平板型ドライエッチング装置の接地電極上に被エッチング物を載置し、一部水素を塩素あるいは弗素で置換した炭化水素とSF6 の混合ガスを主成分とする反応ガスをエッチングガスとして用いたものである。 (もっと読む)




【目的】 外部へ不要な放射を生じさせることのない、良好な特性を有する同軸マイクロストリップ線路変換器を提供する。
【構成】 マイクロストリップ線路のストリップ導体側の上方から垂直に同軸にて給電する同軸マイクロストリップ線路変換器において、同軸コネクタ1と基板7の間に金属ブロック4を設置し、金属ブロック4の一方向側をくり抜いて、基板裏面のアース導体と金属ブロックとによりカットオフ導波管6を構成し、マイクロストリップ線路側出力端子とする。 (もっと読む)




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