【課題】粒子表面部を銀層で被覆してなる銅粉粒子からなる導電性粉末において、銀の量を少なくしても、優れた導電特性を得ることができる導電性粉末を提案する。
【解決手段】銅粉粒子の表面に銀層を備えたデンドライト状導電性粉末であって、銀の含有量が銅の含有量の３〜３０質量％であることを特徴とするデンドライト状導電性粉末を提案する。 （もっと読む）

【課題】膜にしたときの導電性や可視光に対する透明性が高い酸化スズ粒子を提供すること。
【解決手段】本発明の酸化スズ粒子は、ラマンスペクトル測定において、少なくとも３７±９ｃｍ^-1、５７±９ｃｍ^-1、９７±９ｃｍ^-1、１４２±９ｃｍ^-1、２０５±９ｃｍ^-1、２５５±９ｃｍ^-1にピークを示す構造を有することを特徴とする。この酸化スズ粒子は、波長１５００ｎｍにおける赤外光の透過率が８０％以下であることが好適である。また導電性を有することも好適である。更に、導電性を発現するドーパント元素を実質的に含まないことも好適である。 （もっと読む）

【課題】 熱伝導性に優れたダイカスト鋳造用高熱伝導性マグネシウム合金を提供すること。
【解決手段】 （１）１．５〜３質量％のランタノイド、
（２）０．５〜１．５質量％のアルミニウム及び亜鉛の一方又は両方、及び
（３）０．２〜０．６質量％のマンガン及びジルコニウムの一方又は両方
を含有し、残部がマグネシウム及び不可避不純物からなるマグネシウム合金により目的が達成される。 （もっと読む）

【課題】優れた特性を有する補強された多孔質金属箔を連続生産にも適した高い生産性で安価に得ることを課題とする。
【解決手段】金属繊維で構成される二次元網目構造からなる多孔部と、前記金属繊維を構成する金属で前記多孔部と連続的かつ一体的に構成され、前記多孔部よりも孔が少ないまたは実質的に無孔質の補強部とを備えてなる、補強された多孔質金属箔。 （もっと読む）

【課題】 マンガン酸イットリウムＹＭｎＯ_３を容易に安価に製造することができ、更に斜方晶のマンガン酸イットリウムＹＭｎＯ_３、六方晶のマンガン酸イットリウムＹＭｎＯ_３又は斜方晶マンガン酸イットリウムＹＭｎＯ_３と六方晶マンガン酸イットリウムＹＭｎＯ_３との混合物を効率的に製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】 イットリウム化合物とマンガン化合物との混合酸性水溶液と、塩基と過酸化水素との混合水溶液とを混合し、その反応生成物を濾別して乾燥させ、４００〜７００℃で１〜１０時間仮焼し、次いで７５０〜１１５０℃で１〜１０時間焼成することからなるマンガン酸イットリウムＹＭｎＯ_３の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電気伝導性を損なうことなく、小粒径でありながら耐熱収縮性を高めることができる扁平銅粒子を提供すること。
【解決手段】本発明の扁平銅粒子は、粒子最表面部分に含有されるＳｉが１００〜２０００ｐｐｍであり、かつＳｉが四価の状態で存在していることを特徴とする。この扁平銅粒子は、平均粒径が０．５〜５μｍであり、アスペクト比（粒径／厚み）が２〜２００であることが好適である。この扁平銅粒子は、銅の湿式還元法において、還元の前又は還元中に、液中に水溶性ケイ素化合物を添加することで好適に製造される。水溶性ケイ素化合物としては、水溶性ケイ酸塩が好適に用いられる。 （もっと読む）

【課題】排ガス中のＮＯ_Ｘ濃度に関わらずススを酸化除去することができ、耐熱性が優れており、耐久処理後においても比較的低温でススを速い燃焼速度で且つＨＣ及びＣＯの少ないスリップで酸化除去することができるパティキュレート燃焼触媒を提供すること。
【解決手段】水銀ポロシメーターで測定した細孔分布のピーク値が１０〜１００ｎｍの範囲内にあるアルミナ多孔体担体と、該アルミナ多孔体担体の表面上及び／又は細孔内壁面上に担持されている合金組成がＡｇ７５〜２５質量％及びＰｄ２５〜７５質量％である合金からなる触媒成分とを備えているパティキュレート燃焼触媒、その製造方法、該パティキュレート燃焼触媒が担持されているパティキュレートフィルター及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 基板への密着性が高い銅配線を形成するために有用な亜酸化銅粒子分散体を提供すること。
【解決手段】本発明の亜酸化銅粒子分散体は、亜酸化銅粒子と、亜酸化銅粒子に対して５〜５０重量％のグリセリンと、亜酸化銅粒子に対して１０〜９０重量％のポリエチレングリコールを含む。この分散体は、電気回路の配線形成に用いられる。特に、ポリイミドのフレキシブル基板へ配線を形成することが好ましい。この分散体を用い、印刷によってポリイミドのフレキシブル基板に電気回路の配線を形成するときには、印刷によって形成された塗膜を、ポリイミドのガラス転移点以下の温度で熱処理することが好適である。 （もっと読む）

【課題】Ｍｏなどの密着層を省略し、熱処理もすることなく、ガラスなどの絶縁層に直接配線をＣｕ合金により形成でき、また、表面平滑性の良好な配線を形成する技術を提供する。
【解決手段】本発明は、０．０１ａｔ％〜０．５ａｔ％のＢｉと、０．０５ａｔ％〜０．５ａｔ％のＩｎと、残部がＣｕ及び不可避不純物とからなることを特徴とする配線用Ｃｕ合金とした。また、本発明は、絶縁層とＣｕ合金配線とが直接接合された接続構造において、Ｃｕ合金はＢｉ及びＩｎを含有しており、Ｃｕ合金配線は、絶縁層との接合界面側にＢｉ偏析層が形成されていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数のターゲット部材を接合して得られた分割スパッタリングターゲットにおいて、スパッタリングされることにより、バッキングプレートの構成材料が、成膜する薄膜中に混入することを効果的に防止できる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、バッキングプレート上に、複数のターゲット部材を低融点ハンダにより接合して形成される分割スパッタリングターゲットにおいて、接合されたターゲット部材間に形成される間隙に沿って、バッキングプレートに保護体を設けたものであり、
ターゲット部材が酸化物半導体であり、保護体が高分子シートであることを特徴とする分割スパッタリングターゲットとした。 （もっと読む）