【課題】 共振周波数の調整を容易に行うことができ、自動化に適し、生産性の向上とコストダウンの実現可能な誘電体共振器回路を提供する。
【解決手段】 誘電体基板１の一方主面に第１のマイクロストリップ線路２と第２のマイクロストリップ線路１１を、他方主面にグランド電極３を形成し、誘電体基板１の一方主面上に円柱状の誘電体共振器４を搭載し、第１および第２のマイクロストリップ線路２および１１と誘電体共振器４を覆うように金属製のカバー５を設ける。カバー５には窓１４をあけておき、窓１４を介してレーザー１５で第２のマイクロストリップ線路１１の一端（１３）を削って短くする。
【効果】 カバーを外さずに誘電体共振器回路を働かせたままの状態で共振周波数の調整を行うことができ、調整の自動化が可能となり、生産性の向上とコストダウンを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 所定の特性インピーダンスを確保し、かつ、小型化が可能な高周波伝送線路及び高周波伝送線路を有した電子部品を得る。
【解決手段】 高周波伝送線路部品１は、伝送線路導体２ａ，２ｂ及びビアホール６をそれぞれ設けた誘電体シート５と、グランド導体４を設けた誘電体シート５と、保護用誘電体シート５等を積層して構成されている。伝送線路導体２ａ，２ｂは、引出し部３ａ，３ｂを残して、誘電体シート５を挟んで対向している。この伝送線路導体２ａ，２ｂはビアホール６を介して電気的に直列に接続され、１本の伝送線路２を形成している。さらに、伝送線路２は、上下に配置された二つのグランド導体４，４の間に配設されている。 （もっと読む）

【課題】 高集積化能力を損なうことなく、また既存のプロセスを変更することなく、ＤＣＦＬの動作特性バラツキを低減する。
【解決手段】 Ｄ−ＦＥＴ２のドレイン電極８、ゲート電極９、Ｄ−ＦＥＴ２のソースとＥ−ＦＥＴ３のドレインの兼用電極７、Ｅ−ＦＥＴ３のゲート電極１１、ソース電極１０を順次配列する。Ｅ−ＦＥＴ３のソース電極１０と兼用電極７間においてＧａＡｓ基板４の表層部にはＥ−ＦＥＴ３の活性層６を形成する。また、Ｄ−ＦＥＴ２のドレイン電極８と兼用電極７の間においては、ＧａＡｓ基板４の表層部にＤ−ＦＥＴ２の活性層５とソース抵抗２２を形成する。ここで、Ｅ−ＦＥＴ３の活性層６とＤ−ＦＥＴ２のソース抵抗２２とは、同一プロセスによって同一構造に形成される。 （もっと読む）

【課題】 高周波スイッチ及び増幅器を一体化することにより、小型化、軽量化を図ることができる高周波複合部品を提供する。
【解決手段】 高周波複合部品１０は、ＰＨＳ方式を構成する高周波部品のうち、高周波スイッチＳＷと、Ｔｘ側増幅器ＡＭＰ１とで構成される。そして、高周波スイッチＳＷは、ＰＨＳ方式の携帯電話機において、送信回路ＴｘとアンテナＡＮＴとの接続、及び受信回路ＲｘとアンテナＡＮＴとの接続を切り換えるために用いられる。また、Ｔｘ側増幅器ＡＭＰ１は、ＲＦ信号に変換され、Ｔｘ側フィルタＦ１を通過した送信信号を増幅させ、高周波スイッチＳＷに送る役割を果たす。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が３０００以上、絶縁抵抗をＣＲ積で表した場合に、室温及び１２５℃での絶縁抵抗がそれぞれ６０００ＭΩ・μＦ、２０００ＭΩ・μＦ以上と高く、静電容量の温度特性がＪＩＳ規格のＢ特性及びＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足し、高温負荷、耐湿負荷等の耐候性能に優れた、低コストの小型大容量の積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 （１−α−β）｛ＢａＯ｝_m・ＴｉＯ₂＋αＲｅ₂Ｏ₃＋β（Ｍｎ_1-xＮｉ_x）Ｏ（ただし、Ｒｅ₂Ｏ₃は、Ｔｂ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃、Ｅｒ₂Ｏ₃、Ｙｂ₂Ｏ₃の中から選ばれる少なくとも１種類、０．００２５≦α≦０．０２０、０．００２５≦β≦０．０４、β／α≦４、０≦ｘ＜１．０、１．０００＜ｍ≦１．０３５）で表される主成分１００モルに対して、副成分として、酸化マグネシウムをＭｇＯに換算して０．５〜３．０モル、酸化珪素をＳｉＯ₂に換算して０．２〜５．０モル添加含有する誘電体層と内部電極はＮｉ又はＮｉ合金によって構成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、以上の問題点を解決して、表面に凹凸やポアがあるセラミック誘電体基板上に形成することができ、しかも従来例と同等の表皮効果の抑圧効果を得ることができる薄膜多層電極を提供する。
【解決手段】 誘電体基板上に、薄膜導体膜と薄膜誘電体膜とが交互に積層された薄膜多層電極であって、上記薄膜多層電極が誘電体基板上に誘電体基板の表面を平坦にするように成膜された平坦化誘電体膜を含んでなり、かつ薄膜導体膜と薄膜誘電体膜の各膜厚を、使用周波数において、平坦化誘電体膜が形成された誘電体基板に生じる電磁界の位相と各薄膜誘電体膜に生じる電磁界の位相とが互いに実質的に一致するように、所定の式で表される誘電体基板の実効誘電率ε_m^(eff)に基づいて設定した。 （もっと読む）

【課題】 従来例と同等の表皮効果の抑圧効果を得ることができ、しかも従来例に比較して、誘電体基板と薄膜導体膜との間及び薄膜誘電体膜と薄膜導体膜との間の密着強度を強くでき、信頼性の高い薄膜多層電極を提供する。
【解決手段】 誘電体基板上に、薄膜導体膜と薄膜誘電体膜とが交互に積層されてなり、所定の周波数において、誘電体基板の電磁界の位相と各薄膜誘電体膜の電磁界の位相とが一致するように薄膜誘電体膜の膜厚及び誘電率、薄膜導体膜の膜厚が設定された薄膜多層電極であって、誘電体基板と薄膜導体膜との間、及び薄膜導体膜と薄膜誘電体膜との各間に、接着導体膜を形成し、かつ薄膜誘電体膜の各膜厚を、薄膜誘電体膜の誘電率と誘電体基板の誘電率と接着導体膜の膜厚とに基づいて、接着導体膜が形成されることによる、等価的な薄膜導体膜の表面リアクタンスの増加量を打ち消すように補正した。 （もっと読む）

【課題】 セラミック基板などの誘電体基板上に形成することができ、安価で信頼性の高い薄膜多層電極を提供する。
【解決手段】 所定の誘電率を有する誘電体基板上に薄膜導体と薄膜誘電体とを交互に積層することによって形成された薄膜多層電極であって、薄膜多層電極を所定の周波数で使用したときに、誘電体基板に生じる電磁界と各薄膜誘電体に生じる電磁界とが互いに実質的に同相になるように、かつ各薄膜誘電体の膜厚が０．２μｍから２μｍの間の値になるように、各薄膜誘電体の誘電率を設定し、各薄膜導体のうち誘電体基板から最も離れて形成される薄膜導体以外の各薄膜導体の膜厚を所定の周波数における表皮深さより薄くした。 （もっと読む）