【目的】部品点数を削減し、製造工数を低減して、安価でかつ小型化のできるアンテナ共用器を提供する。
【構成】送信部側フィルタまたは受信部側フィルタのいずれか一方のフィルタをインダクタンスＬと容量Ｃの並列共振回路からなるバンドエリミネーションフィルタで構成し、他方のフィルタを誘電体共振器Ｒ１、Ｒ２を用いたバンドパスフィルタで構成する。バンドエリミネーションフィルタはＬＣ並列共振回路のみで構成されるので、部品点数を削減できる。 （もっと読む）

【目的】フィルタの群遅延時間特性の乱れを低減し、スプリアス特性の悪化を防止し、さらに、ディスクリミネータの歪率特性に乱れが生じない小型の圧電共振子を提供することにある。
【構成】略四角形状板の圧電基板の両表面に、振動電極を対向して設け、振動部を形成してなるエネルギー閉じ込め形厚み縦振動の圧電共振ユニットからなる圧電共振子において、前記振動部の外部で、圧電基板内の一部に、未分極部を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【構成】 誘電体基板１２の主面上に形成するＵ字状のストリップ線路１６の長さ方向にスリット１８を形成する。
【効果】 うず電流の悪影響による実質的な断面積の減少および損失が抑えられ、Ｑを大きくできる。 （もっと読む）

【目的】 負荷短絡時や出力待機時に出力電流を遮断して電子部品が破損されるのを防止する。
【構成】 入力電圧Ｖｉを制御用ＩＣ１に供給して、制御用ＩＣ１の発振出力に応じてスイッチングトランジスタＱ１をスイッチングし、コイルＬに蓄積されたエネルギを整流用ダイオードＤｉを介して出力するＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、整流用ダイオードＤｉと出力端との間にトランジスタＱ２を接続し、このトランジスタのオン，オフのしきい値電圧差と入力および出力電圧差を利用し、出力短絡時または待機時にトランジスタＱ２を非導通にし、過大な短絡電流が流れるのを防止する。 （もっと読む）

【目的】高温焼成室内で排ガス処理を行い得る構成の縦型焼成炉を提供する。
【構成】炉体１の上下位置に配置されて連続した高温焼成室２及び低温脱脂室３と、仕切り板４を介して高温焼成室２を囲むヒータ室５と、低温脱脂室３内に装入され、かつ、低温脱脂室３及び高温焼成室２間を移動動作する移動部材７とを備えた縦型焼成炉であって、仕切り板４には高温焼成室２とヒータ室５とを連通させる通気路２０が設けられており、高温焼成室２には焼成用ガスＧ１及び焼却用ガスＧ３を切り換えて供給する第１ガス供給配管２１が遮断弁２２を介して接続され、ヒータ室５には脱脂用ガスＧ２を排出する第１ガス排出配管２３が遮断弁２４を介して接続されていると共に、低温脱脂室３には脱脂用ガスＧ２を供給する第２ガス供給配管２５と焼成用ガスＧ１を排出する第２ガス排出配管２６とが遮断弁２７，２８を介して接続されている。 （もっと読む）

【目的】 ストリップ線路及び該ストリップ線路を用いたマイクロ波回路の小型化を可能にする。
【構成】 電力分配器１は誘電体基板２の両端面に第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３とを形成し、かつ、第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３間をそれぞれ波状に屈曲させた波長ストリップ電極７，８で結合して構成されている。ストリップ電極７，８の線路上にそれぞれ凹溝２１〜２３，２１′〜２３′を設け、該ストリップ電極７，８を誘電体基板２の高さ方向にも屈曲させることにより第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３間の直線距離Ｌ１を短縮し、電力分配器１の小形化を可能にした。 （もっと読む）

【目的】 還元性雰囲気中で焼成しても半導体化せず、しかも結晶粒径が小さいにもかかわらず、大きな誘電率が得られ、これを用いることによって積層セラミックコンデンサを小型化することができる、非還元性誘電体磁器組成物を提供する。
【構成】 この発明は、その主成分が次の組成式、｛ (Ｂａ_1-x-y-z Ｓｒ_x Ｃａ_y Ｒｅ_z ) Ｏ_1+z/2 ｝_m ( Ｔｉ_1-o-p-q Ｚｒ_o Ｈｆ_p Ｎｂ_q ) Ｏ_2+q/2 で表され、ｘ，ｙ，ｚ，ｏ，ｐ，ｑおよびｍが、０＜ｘ≦０．３２、０≦ｙ≦０．２０、０＜ｚ≦０．０２、０＜ｏ≦０．２４、０＜ｐ≦０．１６、０＜ｑ≦０．０１５、１．００≦ｍ≦１．０３、０＜ｚ＋ｑ≦０．０２５の関係を満足し、前記主成分１００モルに対して、Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉの各酸化物をＭｎＯ₂ ，Ｆｅ₂ Ｏ₃ ，Ｃｒ₂ Ｏ₃ ，ＣｏＯ，ＮｉＯと表したとき、各酸化物の少なくとも一種類を０．０２〜２．０モル含む、非還元性誘電体磁器組成物である。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、主共振の横０次モードの近似関数ＣＯＳ^{- 1} （｜αＸ｜）に、縦０次モードの近似関数ＣＯＳ（βＸ）を乗じることによって、交さ幅重み付けＩＤＴ電極を構成して、高次モードの影響を減少させ、共振周波数付近のスプリアスを抑制することを目的とする。
【構成】 圧電基板上に、交さ幅重み付けを施したＩＤＴ電極と、その前後に反射器電極とを、形成した表面波素子において、ＩＤＴ電極の中心を原点とし、表面波の伝播方向にＸ軸、その垂直方向にＹ軸を仮定し、Ｘ軸方向のＩＤＴ電極の範囲を−Ｘ₀ ／２≦Ｘ≦Ｘ₀ ／２としたとき、ＩＤＴ電極の交さ幅重み付け包絡線がＹ＝±ＣＯＳ^{- 1} （｜αＸ｜）・ＣＯＳ（βＸ）
但し、０＜α≦π／Ｘ₀ ０＜β≦π／Ｘ₀を満たすように形成されていることを特徴とする表面波素子 （もっと読む）