説明

株式会社村田製作所により出願された特許

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【目的】 発振回路1から放射される高周波電流によるバックグラウンドノイズと電源のシールド線9の振動変位による振動雑音の除去を図る。
【構成】 静電センサ装置を発振回路1と共振回路2と検出電極3と検波回路4と増幅回路5と電源回路7とを有して構成し、発振回路1と共振回路2と電源の高周波部分との高周波回路側と、増幅回路5と電源の低周波部分を含む低周波回路側との間に超高周波フィルタ8を介設して高周波回路側から低周波回路側に流れる高周波電流を遮断する。 (もっと読む)


【目的】 高周波帯域でのノイズ除去効果が良好で、機械巻きによる量産が可能なコモンモードチョークコイルを提供すること。
【構成】 ボビン1の外周に1次巻線11及び2次巻線12を単層でバイファイラ巻きした。巻線11,12の入力側端部11a,12aは端子6,7に半田付けされ、出力側端部11b,12bは端子8,9に半田付けされる。また、ボビン1の中心孔にはフェライトからなる棒状のコアが挿入される。 (もっと読む)



【目的】 焼結体にガラス膜をコーティング処理する際の酸素の離脱を防止して漏れ電流を低減できる積層型バリスタの製造方法を提供する。
【構成】 半導体セラミックス層2と内部電極3とを交互に積層した後一体焼結して焼結体4を形成する。次に焼結体4をガラス粉末とともに容器内に収容し、該容器を回転させつつ上記ガラスの軟化点以上の温度で加熱処理することによって上記焼結体4の外表面部分にガラス膜6を形成して積層型バリスタ1を製造する。この場合、上記容器内の酸素分圧を20%以上に保持する。 (もっと読む)


【目的】 1000℃以下の低温で焼成できる誘電体磁器組成物を得る。
【構成】 Ca,Nb,Tiの酸化物よりなる材料100重量%に対して、ガラスを5〜30重量%、CuOを1〜15重量%混合し、焼結した誘電体磁器組成物である。ここで、Ca,Nb,Tiは、それぞれ、CaTiO3 ,Nb2 5 ,TiO2 に換算して、CaTiO3 が50.0〜99.3モル%、Nb2 5 が0.53〜11.5モル%、TiO2 が0.17〜38.5モル%の組成からなる。 (もっと読む)


【目的】 振動子の温度を安定に保つことができる、振動ジャイロを提供する。
【構成】 この振動ジャイロは振動子12を含む。この振動子12は、支持部材22aおよび22bなどで、支持板34の一方主面上に支持される。支持板34の一方主面の中央には、ヒータとしてたとえば正特性サーミスタ44が設けられる。 (もっと読む)


【目的】 低酸素分圧下でも組織が半導体化せず焼成可能で、誘電率が3000以上、絶縁抵抗がlogIRで12.0以上で、誘電率の温度特性が25℃の容量値を基準とし、−55℃〜125℃の広い範囲で±15%の範囲内にあることを満足する非還元性誘電体磁器組成物を得る。
【構成】 不純物としてのアルカリ金属酸化物含有量が、0.04重量%以下のBaTiO3 とTb2 3 ,Dy2 3 ,Ho2 3 ,Er2 3の中の1種類以上の希土類酸化物(Re2 3 )とCo2 3 との配合比が、BaTiO3 92.0〜99.4モル%とRe2 3 0.3〜4.0モル%とCo2 3 0.3〜4.0モル%との範囲内の主成分100モル%に、BaO0.2〜4.0モル%とMnO0.2〜3.0モル%とMgO0.5〜5.0モル%とからなる副成分を含有し、上記成分を100重量部としてBaO−SrO−Li2 O−SiO2 を主成分とする酸化物ガラスを0.5〜2.5重量部含有する非還元性誘電体磁器組成物である。 (もっと読む)


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