【目的】 低酸素分圧下でも組織が半導体化せず焼成可能で、誘電率が３０００以上、絶縁抵抗がｌｏｇＩＲで１１．０以上で、誘電率の温度特性が２５℃の容量値を基準とし、−５５℃〜１２５℃の広い範囲で±１５％の範囲内にあることを満足する非還元性誘電体磁器組成物を得る。
【構成】 不純物としてのアルカリ金属酸化物含有量が、０．０４重量％以下のＢａＴｉＯ₃ とＴｂ₂ Ｏ₃ ，Ｄｙ₂ Ｏ₃ ，Ｈｏ₂ Ｏ₃ ，Ｅｒ₂ Ｏ₃の中の１種類以上の希土類酸化物（Ｒｅ₂ Ｏ₃ ）とＣｏ₂ Ｏ₃ との配合比が、ＢａＴｉＯ₃ ９２．０〜９９．４モル％とＲｅ₂ Ｏ₃ ０．３〜４．０モル％とＣｏ₂ Ｏ₃ ０．３〜４．０モル％との範囲内の主成分１００モル％に、ＢａＯ０．２〜４．０モル％とＭｎＯ０．２〜３．０モル％とＭｇＯ０．５〜５．０モル％とからなる副成分を含有する非還元性誘電体磁器組成物である。 （もっと読む）

【目的】 低酸素分圧下でも組織が半導体化せず焼成可能で、誘電率が３０００以上、絶縁抵抗がｌｏｇＩＲで１２．０以上で、誘電率の温度特性が２５℃の容量値を基準とし、−５５℃〜１２５℃の広い範囲で±１５％の範囲内にあることを満足する非還元性誘電体磁器組成物を得る。
【構成】 不純物としてのアルカリ金属酸化物含有量が、０．０４重量％以下のＢａＴｉＯ₃ とＴｂ₂ Ｏ₃ ，Ｄｙ₂ Ｏ₃ ，Ｈｏ₂ Ｏ₃ ，Ｅｒ₂ Ｏ₃の中の１種類以上の希土類酸化物（Ｒｅ₂ Ｏ₃ ）とＣｏ₂ Ｏ₃ との配合比が、ＢａＴｉＯ₃ ９２．０〜９９．４モル％とＲｅ₂ Ｏ₃ ０．３〜４．０モル％とＣｏ₂ Ｏ₃ ０．３〜４．０モル％との範囲内の主成分１００モル％に、ＢａＯ０．２〜４．０モル％とＭｎＯ０．２〜３．０モル％とＭｇＯ０．５〜５．０モル％とからなる副成分を含有し、上記成分を１００重量部としてＢａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ₂ Ｏ−ＳｉＯ₂ を主成分とする酸化物ガラスを０．５〜２．５重量部含有する非還元性誘電体磁器組成物である。 （もっと読む）

【目的】 高温高湿中における特性の経時変化の少ない電圧非直線抵抗体の材料となる粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物を得る。
【構成】 （Ｓｒ_1-x-y Ｂａ_x Ｃａ_y ）ＴｉＯ₃ を９８．０〜９９．９モル％と、Ｎｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｉｎおよび希土類元素の中から選ばれる少なくとも１種類の酸化物を０．１〜２．０モル％とからなる主成分を準備する。ここで、ｘ≦０．３，ｙ≦０．２５である。この主成分に、ＣｕＯ，ＰｂＯ，Ｂｉ₂ Ｏ₃ ，Ｓｂ₂ Ｏ₃ ，Ｖ₂ Ｏ₅ ，ＭｏＯ₃ の中から選ばれる少なくとも１種類と、Ｎａ_p Ｂ_q Ｏ_r とを合わせて０．０１〜２．０モル％含有させる。ここで、ｐ＝２ｎ，ｑ＝２ｎ’，ｒ＝ｎ＋３ｎ’であり、ｎ，ｎ’は１または２である。 （もっと読む）

【目的】 低酸素分圧下でも組織が半導体化せず焼成可能で、誘電率が３０００以上、絶縁抵抗がｌｏｇＩＲで１１．０以上で、誘電率の温度特性が２５℃の容量値を基準とし、−５５℃〜１２５℃の広い範囲で±１５％の範囲内にあることを満足する非還元性誘電体磁器組成物を得る。
【構成】 不純物としてのアルカリ金属酸化物含有量が、０．０４重量％以下のＢａＴｉＯ₃ とＴｂ₂ Ｏ₃ ，Ｄｙ₂ Ｏ₃ ，Ｈｏ₂ Ｏ₃ ，Ｅｒ₂ Ｏ₃の中の１種類以上の希土類酸化物（Ｒｅ₂ Ｏ₃ ）とＣｏ₂ Ｏ₃ との配合比が、ＢａＴｉＯ₃ ９２．０〜９９．４モル％とＲｅ₂ Ｏ₃ ０．３〜４．０モル％とＣｏ₂ Ｏ₃ ０．３〜４．０モル％との範囲内の主成分１００モル％に、ＢａＯ０．２〜４．０モル％とＭｎＯ０．２〜３．０モル％とＳｉＯ₂ ０．２〜３．０モル％とＭｇＯ０．５〜５．０モル％とからなる副成分を含有する非還元性誘電体磁器組成物である。 （もっと読む）