【課題】複数の磁気センサを有した磁気計測装置におけるΔΣ型ＡＤＣの回路規模を抑制する。
【解決手段】ΔΣ変調器２２は、複数の磁気センサ８のうち所定の入力切換周期で切り換えて選択される１つからのセンサ信号を入力されΔΣ変調する。デジタルフィルタ２４は、ΔΣ変調器２２にて周期Ｔでオーバーサンプリングされたデータに基づいて計測データを生成する。デジタルフィルタ２４はカウンタ３４を有する。カウンタ３４は、選択された磁気センサ８について、周期Ｔ毎に入力されるデータを累積加算して計測データを生成して出力し、次に選択される磁気センサ８に対しては前回の磁気センサ８についての計数値をリセットして新たな累積加算を開始する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が低くても、アンテナ等の電子回路の受信性能を向上させることができる電子機器を提供すること。
【解決手段】バイアス回路７に、供給される電圧を昇圧するＤＣ／ＤＣコンバータ２６と、制御回路８から出力されたＰＷＭ信号を平滑して直流電圧に変換する平滑回路２７と、ＤＣ／ＤＣコンバータ２６の出力端子に一端が接続された抵抗Ｒ２と、抵抗Ｒ２の他端にコレクタ端子が接続されると共に、平滑回路２７の出力端子にベース端子が接続され、平滑回路２７から出力された直流電圧に基づいてコレクタ−エミッタ間の抵抗値を可変するバイポーラトランジスタ２９とを設け、抵抗Ｒ２の他端とバイポーラトランジスタ２９のコレクタとの接続点から整合回路６の第１、第２のバラクタダイオードＶＤ１、ＶＤ２にバイアス電圧を供給し、同調周波数を制御するように構成した。 （もっと読む）

【課題】表面実装の際の処理に対して十分な強度を有する貫通電極を備えた貫通電極基板を簡単に製造することができる貫通電極基板の製造方法及び貫通電極基板を提供すること。
【解決手段】本発明のシリコン貫通電極基板の製造方法は、シリコン基板１にその厚さ方向に貫通した穴部２を形成して、前記厚さ方向に連続した梁１ｂで支持された貫通電極部１ａを残存させる工程と、前記梁１ｂを熱酸化して前記穴部２を絶縁層３で埋めることにより、シリコンで構成され、前記厚さ方向に貫通した貫通電極４を形成する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】キャピラリを樹脂成型品で構成してもファイバ孔の拡径を最低限に抑えることのできる光ファイバコネクタを提供する。
【解決手段】接続される一対の光ファイバ１０の各端部を挿通し突き合わせ保持するファイバ孔２を樹脂成型品からなるキャピラリ１に有してなり、キャピラリ１は光ファイバ１０の挿入方向に沿ってファイバ孔２と連通するスリット部３を有し、スリット部３はファイバ孔２と連続し深さ方向に厚みを有する第１スリット部２０と、第１スリット部２０より外周側の第２スリット部２１とからなり、第２スリット部２１は第１スリット部２０よりも幅広に形成される。 （もっと読む）

【課題】プラズマビームの照射位置の調整精度を向上させることができると共に、調整作業の作業効率を向上させることができるイオンプレーティング装置およびプラズマビーム照射位置調整プログラムを提供すること。
【解決手段】プラズマガン４と、プラズマビームＰの目標照射位置を中心として周方向に略等角度で４つの分割部１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄに分割されたハース５と、各分割部に一対一で接続されて電流を測定する４つの電流計１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｄと、プラズマガン４側の磁界を形成するガン電磁石１５と、ハース５側の磁界を形成するハース電磁石２９と、ガン電磁石１５およびハース電磁石２９を制御してプラズマビームＰの照射位置を調整する位置調整部８とを備え、各分割部は互いに絶縁されており、位置調整部は、各電流計の測定値に応じてプラズマビームの照射位置を目標照射位置に近づけるように調整する構成を備えた。 （もっと読む）

【課題】作業効率を向上させることができ、安定して成膜することができるイオンプレーティング装置を提供すること。
【解決手段】ハース５は、真空チャンバ３内においてタブレット２１と絶縁され、真空チャンバ３外において可変抵抗３６を介して導電性のタブレット支持棒２５と電気的に接続されており、第１の電流計３１および第２の電流計３２によりガン電流およびタブレットに流れる電流を検出し、プラズマガン４に流れる電流値とタブレットに流れる電流値と可変抵抗の抵抗値との関係が示された抵抗値制御マップを参照して、可変抵抗３６の抵抗値を制御するよう構成した。 （もっと読む）

【課題】 平面的な構成で、基板と平行な面内にベクトルが向き角速度を検出できる角速度センサを提供する。
【解決手段】 平面的なシリコンウエハで形成された第１の駆動質量部２９ａと第２の駆動質量部２９ｂとが、Ｘ１−Ｘ２方向において互いに逆の位相で往復振動するように駆動される。このとき垂直軸角速度センサ１が、垂直軸Ｏｚ回りの角速度を持つと、第１の駆動質量部２９ａと第２の駆動質量部２９ｂにＹ１−Ｙ２方向の互いに逆向きのコリオリ力が作用する。その結果、第１の駆動質量部２９ａと第２の駆動質量部２９ｂを支持している検出回動部が（ｉｉｉ）（ｉｖ）方向へ回動し、この回動量が可動電極部２８とこれに対向する固定電極層との静電容量の変化として検出される。 （もっと読む）

【課題】 特に、スティッキング防止構造を従来に比べて簡単且つ高精度に形成できるＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 図１（ａ）に示したように、第１の基板１と第２の基板２とを別々に単体で用意し、第１の基板１の下面１ａに、予め、凸状のスティッキング防止部４を形成する。続いて、図１（ｂ）の工程で酸化絶縁層３の形成、図１（ｃ）工程で、第１の基板１と第２の基板２の接合を行う。その後は、従来の工程と同様である。本実施形態では、第１の基板１と第２の基板２を夫々、別々に用意し、これらを接合する前に、単体の前記第１の基板１に対してスティッキング防止部４を形成するから、従来に比べて簡単且つ高精度にスティッキング防止部４を形成することが可能になっている。また、本実施形態では、ＭＥＭＳセンサの小型化に寄与することが出来る製造方法となっている。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子の圧電板にクラックが生じ難く、圧電振動子の液密性を下げることなく圧電振動子の変形を十分に確保でき、圧電振動子に対する配線構造がポンプ室の液密性に悪影響を与えることのない圧電ポンプを得ること。
【解決手段】圧電振動子１０のシム１２は、空気室Ａの側に面し、ロアハウジング３０に、圧電振動子１０を収納する収納凹部６０と、収納凹部６０の周縁に位置しＯリング３１を嵌める環状溝６０ａとを形成し、アッパハウジング２０に、ロアハウジング３０の収納凹部６０に嵌めた圧電振動子１０に対し、環状溝６０ａに嵌めたＯリング３１の反対側から接触する環状突起２１を形成し、圧電振動子１０の圧電板１１のシム１２と反対側の面に、Ｏリング３１とその全周に沿って少なくとも一部が重なる環状電極５０を設け、この環状電極５０とシム１２との間に交番電流を印加することにより圧電振動子１０を振動させる。 （もっと読む）

【課題】膜材に流れる電流量に応じて成膜レートを正確に制御することができるイオンプレーティング装置を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ３と、真空チャンバ３内にプラズマビームＰを発生するプラズマガン４と、タブレット２１を収容する貫通孔５ａが形成され、真空チャンバ３内においてプラズマビームＰが照射されるハース５と、貫通孔５ａにおいて、タブレット２１を真空チャンバ３内に露出するように支持するタブレット支持棒２５と、タブレット２１に流れる電流量を測定する電流計１９とを備え、タブレット支持棒２５は、タブレット２１を支持する支持面が形成された導電性の支持棒本体３１と、支持部本体３１に対するプラズマビームＰの照射を遮断すると共に、支持面に支持されたタブレット２１を保持する絶縁性の保持具３２とを有し、電流計１９を支持部本体３１に電気的に接続して構成した。 （もっと読む）