説明

株式会社アキタ電子システムズにより出願された特許

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【課題】半導体装置の薄型化を図る。
【解決手段】半導体装置は、第1の面2aに複数の電極を有する半導体チップ2と、前記各電極に重ねて接続され半導体チップの第1の面に第1の面を対面させる電気的に独立した電極板5と、電極板と電極板との隙間及び電極板と半導体チップとの隙間を埋める絶縁体4とを有し、半導体チップ及び絶縁体並びに電極板によって六面体を形成し、六面体の上面は半導体チップの第2の面2bで形成され、六面体の各側面には半導体チップの各側面が露出し、六面体の下面には各電極板の第1の面の反対側になる第2の面5bが露出する。 (もっと読む)


【課題】 妨害波の漏洩によるAMサプレッション特性の劣化を防止することができるようにした高周波電力増幅用電子部品(RFモジュール)を提供する。
【解決手段】 受信信号から不要波を除去するSAWフィルタのようなバンドパスフィルタ(221)とインピーダンス整合回路(222)並びに受信信号と合成される発振信号を発生する発振回路(252)および該発振回路からの信号とバンドパスフィルタを通過した受信信号とを合成して周波数変換するミキサ(MIX,232)を内蔵した高周波信号処理用IC(210)を絶縁基板上に実装した高周波信号処理用電子部品(RFモジュール)において、少なくともミキサに電源電圧を供給する電源ライン(グランドラインを含む)の途中および発振回路の電源ラインの途中にインダクタンス成分を有する素子(L1,L2;214a,214b)を挿入するようにした。 (もっと読む)


【課題】 光素子の発光効率や受光効率を高めることできる光半導体装置の提供。
【解決手段】 光半導体装置は、配線を有し下面に外部電極端子を有する配線基板と、前記配線基板の上面に固定される円形のターミナルスペーサと、前記ターミナルスペーサの上面に固定され、光素子が形成され、上面に光の受け渡しを行う光授受面を有する半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記配線基板の配線を電気的に接続する接続手段と、前記ターミナルスペーサの上面に前記半導体チップを覆うように凸状に形成され、透明体で弾性体からなる絶縁性の樹脂で形成される光透過部と、前記光透過部の所定領域を除き前記光透過部及び前記配線基板を覆う絶縁性の樹脂からなる封止体とを有し、前記光透過部を覆わない前記封止体による開口部分に前記光透過部の一部が凸状に突出している。 (もっと読む)


【課題】 BGA構造半導体装置の製造コストを低減する。
【解決手段】 本発明による半導体装置の製造方法は、主面に複数の電極端子5を備えた半導体チップ2を準備する工程と、半導体チップ2を搭載する領域外の領域に形成された複数のテストパッド22を備えた基板4aを準備する工程と、電極端子5とテストパッド22とを電気的に接続するリード6を基板4aに形成する工程と、電圧印加用のコンタクトピン33と複数のテストパッド22とを接触させて半導体チップ2をテストする工程とを有する。BGA構造の半導体装置の外形、ピンピッチおよび配置が異なっても、テストパッド22の配置を共通化して、テストパッド22と接触するコンタクトピン33の位置を変えずにテストを行う。 (もっと読む)


【課題】ワイヤショートが発生し難いチップスタック構造の半導体装置の提供。
【解決手段】第1の面2aにチップ搭載部及びワイヤ接続パッド5を有し第2の面2bに下地電極6を有する製品形成部を複数有する配線母基板を準備する工程、チップ搭載部に下段の半導体チップ17を固定し、電極とパッド5をワイヤ20で接続する工程、それらを選択的に覆うように絶縁性樹脂21を塗布しかつ表面を平坦面22として硬化させて被覆樹脂層21を形成する工程、平坦面22上に上段の半導体チップ24を固定し、電極とパッド5をワイヤ26で接続する工程、被覆樹脂層21及び半導体チップ24並びにワイヤ26を覆うように絶縁性の樹脂層を形成する工程、前記下地電極6に外部電極端子4を形成する工程、配線母基板と樹脂層を縦横に切断して製品形成部を個片化する工程とを有する半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 製品開発日程の短縮及び製品原価を低減による製品開発費用の低減を図る。
【解決手段】 ロジックを構成する第1の半導体装置の上面に各種メモリを構成する複数の第2の半導体装置を順次積層する積層半導体装置の製造において、前記第2の半導体装置の下面の外部電極端子及び上面の被接続電極それぞれは第1の半導体装置の上面の被接続電極の電極配列である基準電極配列と一致する電極配列となる。そして、上段側に位置する第2の半導体装置の下面の各外部電極端子はその下段に位置する半導体装置の上面の被接続電極に導電性の接合材を介して接続されている。製品開発においては、最初に搭載可能とするメモリ半導体装置の種類を想定して、基準電極配列(ピン配列)やパッケージサイズを決める。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の薄型・小型化を図る。
【解決手段】半導体装置1は、上面に複数の配線層4を有し下面に前記配線層4に貫通導体5を介して電気的に接続される複数の下地電極層6を有する配線基板2と、配線基板2の上面に固定され上面に複数の電極を有する半導体チップ3と、配線基板2の上面に形成され半導体チップ3及び配線層4を選択的に覆う層間絶縁膜10と、層間絶縁膜10上に形成され一端側が層間絶縁膜10を貫通して半導体チップ3の電極に接続され、他端側が層間絶縁膜10を貫通して配線層4に接続される導体層からなる配線13と、配線基板の上面側に設けられ、配線を覆う絶縁体からなる封止体14と、下地電極層6に重ねて設けられる突起電極7とを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体基板に形成した三次元構造体を封止する中空構造のサイズを小さく、かつ簡素化する。また、前記構造体と半導体チップとの熱膨張係数の差による熱応力等に起因する特性の変化を防止する。
【解決手段】半導体基板に三次元構造体を形成した半導体チップを中空構造で封止した半導体装置において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。また、その製造方法において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成する工程と、前記凸部に蓋部材を接着する工程とを有し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。上述した本発明によれば、半導体チップの凸部と蓋部材とによって中空構造を構成するため、中空構造に要するスペースが小さくなり、凸部が半導体チップと同一材料であり、熱膨張による応力を防止することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 放熱性の良好な携帯電話用パワーアンプモジュールの提供。
【解決手段】 セラミック配線基板と、前記セラミック配線基板の表面に設けられたチップ固定用パッドと、前記セラミック配線基板に貫通して設けられるとともに前記チップ固定用パッドに連なるサーマルビアと、前記チップ固定用パッド上に接着剤を介して固定される半導体チップとを有する混成集積回路装置であって、前記サーマルビアは前記半導体チップの周縁の外側に設けられている。前記サーマルビアおよびチップ固定用パッド等の導体部は銅ペーストの焼成によって形成され、前記セラミック配線基板を構成するセラミック板の焼成時同時に焼成されて形成されている。前記半導体チップはGaAsFETからなるとともに、前記セラミック配線基板には多段にGaAsFETが構成されて携帯電話用パワーアンプモジュールが構成されている。 (もっと読む)


【目的】 半導体装置への放熱用フィンの取り付けに伴うパッケージの破損やアウタリードの変形などを確実に防止する。
【構成】 セラミックパッケージ2の製造時、ビアパンチなどによってセラミックパッケージ2の上面の隅部の近傍に固定用の半導体装置固定用穴6を設ける。放熱用フィン4をスタッド5に取り付ける場合、半導体装置固定用治具に設けられたピンを半導体装置固定用穴6に嵌合させ固定し、放熱用フィン4をねじ込み、ドライバーにより規定のトルクまで締め付け固定する。放熱用フィン4が規定のトルクで締められてもセラミックパッケージ2が半導体装置固定用穴6により固定されているのでセラミックパッケージ2の回転を防止でき、4個の半導体装置固定用穴6によってセラミックパッケージ2にかかる圧力が分散される。 (もっと読む)


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