【課題】表面に凹凸部や可動部を有する半導体装置を、この凹凸部や可動部に固着、損傷を生じることなく製造する方法の提供。
【解決手段】半導体装置の凹凸部や可動部を液体処理し、この液体を純水で置換した後、純水を溶剤で置換し、この溶剤中に昇華性物質を含ませ、溶剤を蒸発して半導体装置の表面に昇華性物質を析出せしめ、この昇華性物質を昇華により除去することからなる。 （もっと読む）

【課題】レジスト塗布工程において発生するフリンジ部の幅と高さをより小さくすることが可能なフォトマスクブランクスを提供する。
【解決手段】透光性基板１の主表面２と面取り部４との間に、面取り部４の俯角Ｘに対して小さく、俯角Ｙが１０°以上２０°以下になるような傾斜部１１を形成することにより透光性基板１の周縁部３におけるレジスト１３のフリンジ部９の幅Ｗと高さＨを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の上に炭素系ナノ材料を低温で生成させるための触媒組成物、この触媒組成物を用いて生成させた炭素系ナノ材料を備えたカソード基板及びその作製方法、並びにこのカソード基板を用いた電子放出素子デバイス及びその作製方法の提供。
【解決手段】Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏから選ばれた少なくとも１種類の金属又はこれらの合金であって触媒として機能する第１金属と、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ及びＶから選ばれた少なくとも１種類の金属又はこれらの合金である第２金属と、窒素又は窒素化合物とを含む触媒組成物。この触媒組成物を用いて生成した炭素系ナノ材料を備えたカソード基板及びこの基板を用いた炭素系ナノ材料デバイス。 （もっと読む）

【課題】 カーボン系エミッタ作製による電極間に堆積した導電性物質の除去。
【解決手段】基板Ｓ上に、カソード電極１１、絶縁層１２及びゲート電極１３を順次積層し、次いで、このゲート電極１３にゲートホール１３ｂを形成した後に、このゲートホール１３ｂを介して絶縁層１２にホールを形成し、その後、このホール底部に触媒層１５を形成し、この触媒層１５に炭素原子含有ガスを接触させてカーボン系エミッタ１６を成長させてなるカソード基板の作製方法において、基板表面に紫外線照射して、カーボン系エミッタ成長時に基板表面の触媒層以外の場所（例えばゲート電極間）に生成された導電性物質１７を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
異方性ウエットエッチングしてエッチング難易面を形成することにより結晶方位精度の高いウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明によるウエハの製造方法は、オリフラを機械的にカットしたインゴット又はスライスしたウエハのオリフラ端面のみをウエハの材質及び使用したいオリフラ方位に適した異方性エッチング液でウエットエッチングを行うことにより、オリフラの結晶方位精度を高くすることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】
最小線幅１００ｎｍ以下のバイナリークロムマスクブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスクブランクス及びその製造方法、並びに該マスクブランクスを用いたマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】
１９３ｎｍ又は１５７ｎｍの露光波長を使用して最小線幅１００ｎｍ以下の高精度な均一性を要求される半導体集積回路のリソグラフィ工程に用いることのできるクロムマスクブランクスにおいて、透明基板と、透明基板上に、露光波長で光学濃度が１．８〜３．０を満たすように膜厚に形成した酸化膜、窒化膜、水素化膜、炭化膜又はこれらの膜を組み合わせた単層膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】構造及び製造工程を実質的に複雑化することなしに熱膨張による変形を補償できるステンシルマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ステンシルマスクは、シリコン基板の一面に形成した薄膜部２と、薄膜部に形成した一つ、もしくは複数の開孔部５と、荷電粒子線の入射によって発生する熱応力を緩和するための応力緩和構造６とによって構成され、少なくともＳＯＩ基板１を酸化する工程と、表面側の酸化膜に表面開孔部のマスクとなる開孔部５を開孔する工程と、酸化膜マスクを用いて薄膜部に開孔部を形成する工程と、薄膜部に形成した開孔部の側壁を酸化する工程と、裏面側の酸化膜に裏面開孔部のマスクとなる開孔を形成する工程と、裏面酸化膜マスクを用いて支持基板に開孔部を形成する工程と、表面側酸化膜と裏面側酸化膜と表裏面の開孔部によって露出した埋込酸化膜をエッチングする工程を含む。 （もっと読む）

【課題】マスク加工プロセスに必要な耐薬品性（硫酸に対して等）及び機械強度をもち、液晶カラーディスプレイ製造のコストダウン化技術に必要であり、優れた加工性を有したグレートーンマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】遮光部と、開口部と、半透光部とから成るパターンを有するグレートーンマスクにおいて、半透光部を形成する半透光膜が第一の薄膜として形成した金属Ｃｒ膜と、この第一の薄膜上に第二の薄膜として形成した酸化Ｃｒ膜、又は酸窒化Ｃｒ膜、又は窒化Ｃｒ膜とで構成される。
また、グレートーンマスクの製造方法は、フォトリソ工程で形成したＣｒ膜フォトマスクの開口部の一部に半透光膜を形成することから成る。 （もっと読む）

【課題】 発光制御し易い平面ランプ、及び工程の簡略化、低コスト化を達成できる平面ランプ作製法の提供。
【解決手段】 エミッタ付カソード電極４３、ゲート電極４２、アノード電極４５を持つフィールドエミッションディスプレイの構造において、ゲート電極４２とカソード電極４３とを、同一平面上に、かつ、これらの電極の表示部領域がお互いに平行になるように配置する。また、エミッタ付カソード電極４３とゲート電極４２との間隔が、１００μｍ以下となるように配置する。 （もっと読む）

【課題】 短波長領域の反射率が高く、後工程での加工プロセス中でも反射率を維持でき、且つ、導電性を持つ増反射膜付きＡｇ合金反射電極膜及びその製造方法の提供。
【解決手段】 Ａｇ膜又はＡｇ合金膜上に、屈折率の低い第一の透明膜であるＩＴＯ膜と、屈折率の高い第二の透明膜であるＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜、ＡＺＯ膜、ＧＺＯ膜、ＡＴＯ膜、Ｉｎ_２Ｏ_３膜、ＺｎＯ膜、又はＳｎＯ_２膜のいずれかの膜とを、この第一の透明膜及び第二の透明膜の順序で少なくとも二層積層した反射電極膜。 （もっと読む）