説明

アルバック成膜株式会社により出願された特許

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【課題】優れた測定再現性を有する溶液成分センサ及びその製造方法、溶液成分分析システム、溶液成分分析キット、並びに被検体液の分析方法を提供すること。
【解決手段】被検体液を分析するための溶液成分センサ2であって、基板3と、基板3の外面に所定距離だけ離間して対向配置された一組の電極4A,4Bを有する電極対4と、一組の電極4A,4Bの各々に設けられた配線部8と、を備え、電極対4は、一組の電極4A,4Bの各々において外部に露出された部分を囲む絶縁性のウェル7を有し、一組の電極4A,4Bの各々は、基板3の上記外面の面方向に対して垂直な方向から見たときに対向する部分を含んだ少なくとも一部が外部に露出され、ウェル7は、絶縁性の個体粒子が分散媒に分散され前記一組の電極の各々を繋ぐ流動体及び前記被検体液を保持可能であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】応力が過度に集中する鋭角な部分や直角な部分が形成されていない断面形状を有するマイクロ流路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ流路基板10は、内部にマイクロ流路11が設けられたマイクロ流路本体15を備え、マイクロ流路11の天井部とマイクロ流路11の内側壁が交わる第1の角部16、およびマイクロ流路11の底部と内側壁が交わる第2の角部17が曲面をなしていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】濃硫酸を用いた洗浄処理においてエッチングストッパ層のサイドエッチングを抑制することができるハーフトーンマスクを提供する。
【解決手段】上記ハーフトーンマスクは、透過部TAと、半透過部HAと、遮光部PAとを具備する。遮光部PAは、基材Sと、半透過層11と、半透過層の上に設けられCr又はCr化合物で形成された遮光層13と、半透過層11と遮光層13との間に設けられたエッチングストッパ層12とを含む。エッチングストッパ層12は、第1の元素と、第2の元素とを含有する。上記第1の元素は、Mo及びWからなる群から選択された少なくとも一種の元素からなり、6.4mol%以上38.2mol%以下の組成比を有する。上記第2の元素は、Zr、Nb、Hf及びTaからなる群から選択された少なくとも一種の元素からなる。 (もっと読む)


【課題】 導電性ボールを用いて、基板の片面に所定のパターンで形成された複数の電極パッドにバンプを夫々形成する場合に、フラックスを用いて導電性ボールを仮着することなしに、効率よく各電極パッドにバンプを夫々形成できるようにする。
【解決手段】 導電性ボールBを夫々収容する複数の窪み部11が上記パターンに対応させて形成された冶具1を用い、この冶具の窪み部の各々に導電性ボールを夫々搭載する工程と、前記基板を、前記各窪み部と各電極パッドとを上下方向で位置合わせして前記冶具上に配置する工程と、前記冶具と前記基板との上下方向の位置関係を保持した状態で、少なくとも各導電性ボールを各電極に密着させ、これら導電性ボールを加熱溶融させてバンプを形成する工程と、を含み、前記冶具を、基板と同等の線熱膨張係数を有し、且つ、導電性ボールの溶解時に濡れないものから構成する。 (もっと読む)


【課題】アルカリ金属のガラス基板の表面への拡散を確実に防止することができるマスクブランクス、フォトマスクの製造方法及びフォトマスクを提供すること。
【解決手段】マスクブランクス10は、アルカリ金属を含有するガラス基板1、このガラス基板の表面上に形成された拡散防止層2、拡散防止層2上に形成された遮光層3、遮光層3上に形成された反射防止層4を備える。ガラス基板の表面が研磨され、その表面粗さRaが2nm以下とされた。表面粗さRaが2nm以下であっても、拡散防止層2が設けられることにより、ガラス基板1からアルカリ金属が他の層へ拡散することを抑制し、マウスニップ欠陥の発生を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】遮光層のサイドエッチングを抑制することでパターニング精度の高いハーフトーンマスクを作成することが可能なマスクブランクス及び当該マスクブランクスから形成されるパターニング精度の高いハーフトーンマスクを提供すること
【解決手段】本発明に係るマスクブランクスは、この順に積層された透明基板と、半透光層と、エッチングストッパ層と、遮光層とを具備する。半透光層は第1の光学濃度を有し、エッチングストッパ層は第2の光学濃度を有する。遮光層は20nm以上95.2nm以下の厚さを有し、第1の光学濃度及び第2の光学濃度との和が3.0以上である第3の光学濃度を有する。遮光層の厚さを当該範囲内とすることにより、半透光層がエッチングされる際の遮光層のサイドエッチング量を低減し、かつ、製造されたハーフトーンマスクの遮光部において、入射光を十分に遮蔽することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 短波長の露光波長に対しても十分な透過率が得られ、使用可能であると共に、欠陥検査波長に対しても適切な透過率を有し、満足すべき検査が可能となる位相シフトフォトマスク及び該マスクを製作するための位相シフトフォトマスクブランクス並びにこのマスクを用いた半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】 2層からなる減衰型位相シフト膜において、上層の膜の屈折率及び消衰係数を下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さくして、露光波長における透過率を高くし、また、3層からなる減衰型位相シフト膜において、中間層の膜の屈折率及び消衰係数を上層及び下層の膜の屈折率よりも小さくして、欠陥検査波長における透過率を低くし、さらにまた、3層以上からなる減衰型位相シフト膜において、最上層の膜の屈折率及び消衰係数をその直下層の膜の屈折率よりも小さくして、露光波長における透過率を高くする。 (もっと読む)


【課題】アッシング処理を要することなく単一のフォトレジストを遮光層及び半透光層のパターニングに利用するハーフトーンマスクの製造方法を提供すること
【解決手段】透光層2、半透光層3及び遮光層4がこの順で積層されたマスクブランクス1’上にフォトレジストRを塗布し、露光することで第1のレジスト領域R1と、第2のレジスト領域R2と、第3のレジスト領域R3を形成し、第1のレジスト領域R1を現像液で除去することで、第1の遮光層領域4aをエッチングするためのマスクを形成し、第1の遮光層領域4aをエッチングし、半透光層領域3aをエッチングし、第2のレジスト領域R2を現像液で除去することで、第2の遮光層領域4bをエッチングするためのマスクを第3のレジスト領域R3によって形成し、第2の遮光層領域4bをエッチングする。 (もっと読む)


【課題】複雑な構成を用いることなく、塗布液が基板の裏面側に回り込んで付着することを抑制することができる塗布装置及び気流制御板を提供すること。
【解決手段】気流制御板10の上板11は、保持ヘッド1に保持された基板Wの周縁部から隙間33をあけて配置されている。気流制御板10の下板12に設けられたガイド羽根18の上面に、上板11の下面11bが当接することで、上板11及び下板12が一体的に固定され、これにより気流制御板10が構成される。回転する気流制御ユニット5の気流制御板10では、導入口13からエアが導入され、導入されたエアは、主に辺方向流路16内を流れ、また放射状流路17内も流れる。特に、隙間33を介して上板11の下面11bに周り込んだレジスト液31は、表面張力により下面11bに貼り付きながら、遠心力及び放射状流路17を流れるエアにより排出口15から排出される。 (もっと読む)


【課題】微細かつ高精度な露光パターンを形成することが可能な位相シフトマスクの製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法及び位相シフトマスクを提供する
【解決手段】本発明の一形態に係る位相シフトマスク1は、300nm以上500nm以下の波長領域のいずれかの光に対して180°の位相差をもたせることが可能な位相シフト層13P1を有する。これにより、上記波長領域の光を露光光として用いることで、位相の反転作用により光強度が最小となる領域を形成して、露光パターンをより鮮明にすることができる。位相シフト層13Pは、40%以上90%以下の窒化性ガス及び10%以上35%以下の酸化性ガスを含む混合ガスの雰囲気下、クロム系材料のターゲットをスパッタすることで形成される。 (もっと読む)


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