【課題】本発明は、反射率の低下を防ぎ、密着性を向上させることが可能な光半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明の光半導体装置は、樹脂パッケージに発光素子を搭載する光半導体装置において、樹脂パケージはリードフレームに成形された樹脂成形体を備え、樹脂成形体は酸化亜鉛を含有している。また、樹脂成形体は熱硬化樹脂であり、かつトランスファーモールド成形されている。また、樹脂パケージは外部端子を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕワイヤーによるボンディング時に電極パッド下の半導体素子に損傷が生じない半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】銅を主成分とするボンディングワイヤによる電気的接続が可能な半導体装置であって、半導体素子１０と、半導体素子１０上に配置された、アルミニウムよりも硬い金属からなる電極パッド２０と、電極パッド２０上に配置された、ボンディングワイヤが接続されるアルミニウム膜からなる金属層３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ミラー容量が小さく高性能のトレンチゲート型のＭＯＳＦＥＴを低コストで製造する
【解決手段】図１（ｅ）に示されるように、マスク層１００を残した状態で、レーザー光３００を上方から照射する（照射工程）。レーザー光３００の照射後には、トレンチ２００の底面において照射損傷層３０が形成される。この状態で酸化雰囲気で熱処理を行えば、図１（ｇ）に示されるように、表面にＳｉＯ_２（酸化膜層１４）が形成される（酸化工程）。この際、原子配列秩序が乱された照射損傷層３０においては、特に酸化が速く進行する。このため、図１（ｇ）に示されるように、この酸化膜層１４は露出した半導体層表面全面に形成されるものの、トレンチ２００の底面において特に厚くなる。 （もっと読む）

【課題】反射層が用いられた信頼性の高い発光ダイオードを得る。
【解決手段】この発光ダイオード１０においては、左右端部以外の大部分が、反射層１２（樹脂層１２１）又は蛍光層１５を構成する樹脂材料によって覆われている。このため、発光ダイオードチップ１３はこれらの樹脂材料によって保護される。この際、第１リードフレーム１１１、第２リードフレーム１１２は、反射層１２を構成する樹脂材料の中に埋め込まれた構成とされる。このため、第１リードフレーム１１１、第２リードフレーム１１２と反射層１２（樹脂層１２１）との間の接合強度を高くすることができ、反射層１２の剥離が発生しにくくなっている。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕワイヤーによるボンディング時に電極パッド下の半導体素子に損傷が生じない半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】銅を主成分とするボンディングワイヤによる電気的接続が可能な半導体装置であって、半導体素子１０と、半導体素子１０上に配置されたアルミニウムを主成分とする電極パッド２０と、電極パッド２０上に配置された、表面にボンディングワイヤが接続される無電解ニッケル・パラジウム・金めっき層３１・３２・３３とを備える。 （もっと読む）