【課題】研磨加工時にワークに加わる上定盤による押圧力を、構成が簡単でエネルギー消費の少ない減圧機構によって精密かつ安定的に微調整できるようにする。
【解決手段】ワークＷの研磨時に上定盤３に該上定盤３の荷重と逆向きの荷重を作用させる減圧機構４４を有し、前記上定盤３の荷重と前記逆向き荷重との差を研磨時の押圧力とする両面研磨装置において、前記減圧機構４４は、上定盤３と軸線が一致する位置に上下動可能に配設された静圧力伝達軸４５と、前記上定盤３と該静圧力伝達軸４５とを相互に連結する自動調芯軸受４９と、静止する液体４７の液位差により静圧力を発生させ、この静圧力を前記静圧力伝達軸４５に前記上定盤３による荷重と逆向きの荷重として作用させる静圧力発生装置４８とを有する。 （もっと読む）

【解決課題】デバイスウエハ等の平面及びエッジ部分の研磨において、ウエハ等の平面部にヘイズやピット、特に「砥粒残り」を起こしにくい半導体ウエハ研磨用組成物を提供すること。
【解決手段】カリウムイオンの存在下で活性珪酸を原料として製造されるコロイダルシリカを含有する半導体ウエハ研磨用組成物であって、該コロイダルシリカは、カリウムイオンを含有し且つ透過型電子顕微鏡観察による長径／短径比が１．２〜１０の範囲にある非球状の異形シリカ粒子群を含有することを特徴とする半導体ウエハ研磨用組成物である。本発明の半導体ウエハ研磨用組成物を用いることにより、半導体ウエハの平面及びエッジ部分の鏡面研磨加工が効果的に行える。 （もっと読む）

【課題】周波数掃引法によって厚み検出を行う圧電振動子の両面ポリッシング加工において、非導電性のポリッシングパッドの厚み、弾性、あるいは使用時間の影響を実質的に受けることなく、共振周波数の高周波数化と表面粗度への要求とに対応することを課題とする。
【解決手段】上定盤１１には、流体貯留部３４内に開口し、樋２５から通電用流体を供給するための注入路３２が設けられている。流体貯留部３４内には、電極端面３３１が流体ポケット３５より突出しない位置になるように測定電極３３が設けられている。測定電極３３は、電極端面３３１を除いて周囲が絶縁壁３３２により電気的に絶縁されている。 （もっと読む）

【課題】平面研磨装置等において、研磨を行い、純水等でリンスした後、純水等で研磨定盤に付着した平板状ワークを縁部から吸着しながら剥がして搬出するための真空吸着ヘッドを提供する。
【解決手段】本発明の真空吸着ヘッド３は、板状基体３１、板状基体３１に設けられた吸引口３４、及び、吸引口３４を取り囲むように一方の端面で板状基体３１の平坦面に取り付けられ、他方の端面が真空吸着面を構成する弾性筒状壁体３２を備えている。弾性筒状壁体３２は、平板状ワークＷの縁部に近い側の壁３２１がその中心に近い側の壁３２２より狭い壁幅を備えている。これにより、吸引時に平板状ワークＷを介して弾性筒状壁体３２が大気圧を受けて圧縮変形するとき、縁部に近い側の壁３２１がその中心に近い側の壁３２２よりも大きく圧縮変形し、縁部側から剥がされる。 （もっと読む）

【課題】デバイスウエハ等の平面及びエッジ部分の研磨において、ウエハ等の平面部にパーティクル汚染、金属汚染を起こしにくい半導体ウエハ研磨用組成物を提供すること。
【解決手段】テトラアルコキシシランを酸触媒で加水分解して得た活性珪酸水溶液に、水酸化第４アンモニウムを加えてｐＨをアルカリとし、加熱してシリカ粒子を成長させて得られたコロイダルシリカを含有する半導体ウエハ研磨用組成物であって、前記シリカ粒子が、電子顕微鏡観察による短軸方向の平均直径が５〜５０ｎｍであり、長軸方向の長さが短軸の１．２〜１０倍である非球状の形状を有し、ＢＥＴ法より算出される平均粒子径が５〜１００ｎｍであり、かつ、前記半導体ウエハ研磨用組成物がｐＨ緩衝溶液を含むことにより、２５℃においてｐＨ８〜１１の間で緩衝作用を有することを特徴とする半導体ウエハ研磨用組成物。 （もっと読む）

【課題】電子材料用研磨材等に有用な研磨用組成物を提供すること。
【解決手段】珪酸アルカリ水溶液からアルカリを除去して得られた活性珪酸水溶液と、エチレンジアミン、ジエチレンジアミン、イミダゾール、メチルイミダゾール、ピペリジン、モルホリン、アルギニンおよびヒドラジンのいずれか１種類以上である窒素含有塩基性化合物によって製造されるコロイダルシリカを主成分とし、水酸化第４アンモニウムを含有することで、２５℃におけるｐＨが８．５〜１１．０に調製されていることを特徴とする半導体ウエハ研磨用組成物。 （もっと読む）

【課題】アライニング機能を有するウェハ周辺部研磨装置であって、研磨対象となるウェハが大口径ウェハであっても、装置を小型化できるとともに、製造コストの上昇を抑制することが可能な周辺部研磨装置を提供する。
【解決手段】ノッチ位置検出センサ７３の光学式センサ７３１がワークＷのノッチｄを検出すると、チャック手段２１の回転が減速される。ノッチ位置決めピン７４をワークＷの半径方向内側に移動し、ばね７４６の付勢力によって、スライダー７４３を、ワークＷの半径方向内側に移動する。ピン部７４１の先端がワークＷの円筒面ｂに当接し、ピン部７４１の先端がワークＷの円筒面ｂに押し付けられる。この状態で、さらにワークＷを回転すると、ピン部７４１の先端がワークＷのノッチｄに侵入して係合する。その結果、ノッチｄは、ノッチ用研磨ユニット６と対向する角度位置に位置決めされる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの厚さ形状もしくは表面形状を修正するための多段局所ドライエッチング方法において、ウエハ平坦化作業全体のスループットを低下させることなくロールオフ領域を小さくすることを課題とする。
【解決手段】外周縁局所ドライエッチング工程では、この領域の輪郭に実質的に沿う軌跡を主走査方向とし、この主走査方向と実質的に直交する軌跡を副走査方向として、小径ノズルを使用して外周縁環状領域Ａに対して厚さ形状もしくは表面形状の短空間波長成分を修正し、内側局所ドライエッチング工程では、直線軌跡を主走査方向とし、この直線軌跡がなす主走査方向と直交する直線軌跡を副走査方向として、上記小径ノズルよりも径の大きい大径ノズルを使用して少なくとも上記外周縁環状領域の内側の内側円形領域を含む領域に対して行われる厚さ形状もしくは表面形状の長波長成分の修正を行う。 （もっと読む）

【課題】ヒゲ状体が発生しても、成長する前にヒゲ状体が剥がれ落ちるようにしたウエハノッチ部の研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨加工を進めるうちに、ノッチ部２２によって研磨パッド１の外周縁部１１の繊維の一部が掻き取られて、外周縁部１１が毛羽立ち、ヒゲが伸びたようなヒゲ状体１６、１７ができ始める。ヒゲ状体１６、１７が研磨パッド１の中心側に向かって成長し始めると、ヒゲ状体１６、１７の根本が切り込み部１４５、１５５に達し、ヒゲ状体１６、１７は研磨パッド１から剥がれ落ちる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ノッチを備えた半導体ウェハをノッチが予め定められた方向を向くように方向付けするためのアライニング装置に関し、特に、アライニングを浸漬水中において行うことができる水中アライニング装置に関する。
【解決手段】
この水中アライニング装置は、半導体ウェハＷの少なくとも一部が浸漬水中にある間は、鉛直方向Ｖを向いたウェハの平坦面Ｐに沿って半導体ウェハＷを浸漬水槽１１内に搬送する搬送装置５と、半導体ウェハＷのノッチＮが所定位置まで回転したことを光学的に検出するとともに付着した気泡を除去する気泡除去装置３３を備えた光学式ノッチセンサ３、及び、ノッチセンサ３によるノッチ検出後に係合する係合爪４１を備えた機械的ノッチ係合装置４とを備えている。 （もっと読む）