【課題】長期接合信頼性を向上し、ファインピッチ化に対応した低温でのバンプ形成を可能とするものとする。
【解決手段】半導体素子のアルミニウム製電極４にバンプ法によってバンプ５を形成するための線径１０〜５０μｍのワイヤＷである。このワイヤＷは、Ｐｄを０．５〜１．３重量％含有し、Ｃａ、Ｃｅ、Ｎｄのうち少なくとも１種以上を総和５０〜１００重量ｐｐｍ含有し、残部が金及び不可避不純物からなる組成を有する。この組成であると、溶融ボール２の再結晶領域が短くなってバンプ高さＬが短く安定化し、かつ、ワイヤＷの先端と放電棒ｇの距離が安定するため、スパークエラーによるマシンストップが発生することなく連続でバンプ形成が可能となるとともに、長期接合信頼性を向上し得る。 （もっと読む）

【課題】ボールボンディング法によって、長期接合信頼性を向上し、低温でのボンディングを可能とする狭ピッチ化に対応したものとする。
【解決手段】半導体素子のアルミニウム製電極ａと回路配線基板の導体配線ｃをボールボンディング法によって接続するための線径１０〜５０μｍのボンディング用ワイヤである。Ｐｄを０．２〜２重量％含有し、Ｃａ、Ｂｅのうち少なくとも１種以上を１〜５０重量ｐｐｍ含有し、Ａｇ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｃｕのうち少なくとも1種以上を１〜１００重量ｐｐｍ含有し、残部が金及び不可避不純物からなる組成を有して、引張強度が１９６〜２９４ＭＰａである。引張強度を１９６〜２９４ＭＰａとすることで、２ｎｄボンディング時にワイヤが潰れ易く、接合面積が大きくなるため、安定した２ｎｄボンディング性を示し、かつ、極細線で発生しやすいリーニングや樹脂封止時のワイヤ流れを防止できる。 （もっと読む）

【課題】シールド性と放熱性がよく、小型・薄型化が容易で安価に製造できる高周波モジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シールド層の厚みが２０μｍ以上の導電性樹脂層とし、導電性樹脂層は樹脂モールドを覆い下端はグランドパターンに接続し、導電性樹脂層を形成する導電性ペーストは、銀、銅、銀コート銅粉からなる群から選択された金属粉と熱硬化性樹脂とイミダゾール系硬化剤を含有し、金属粉と熱硬化性樹脂との配合比率は熱硬化性樹脂１００重量部に対して金属粉５００〜１０００重量部とし、イミダゾール系硬化剤と熱硬化性樹脂との配合比率は熱硬化性樹脂１００重量部に対してイミダゾール系硬化剤３〜２０重量部として、導電性樹脂層の体積抵抗率を１×１０^-4Ωｃｍ以下、熱伝導率を５Ｗ／ｍＫ以上として、電子部品から放射される不要輻射を電磁シールドするシールド性及び放熱性をもたせる。 （もっと読む）

【課題】クマゼミ産卵対策としてより有効なものとする。
【解決手段】光ファイバ心線１１と抗張力体１３とを同一樹脂の保護被覆１５、１６によって被覆し、その両抗張力体の間の保護被覆に引裂用ノッチ１４を形成した防蝉用光伝送ケーブルである。その保護被覆を、ＪＩＳＫ７３１１による１００回転後の摩耗量が２０ｍｇ以下であって、同ＪＩＳＫ７３１１による引裂強さ：１０７〜１５０ｋＮ／ｍのポリウレタン系樹脂又はポリオレフィン系樹脂とする。クマゼミＡの産卵は、第１段階として、キリ状の中心片ｂ_１を回転させて摩耗でもって小さな穴を掘り、第２段階として、その掘られた小さな穴に中心片両側の側片ｂ_２、ｂ_２を差し込み、その両側片を摺り合わせながら上下に動かし、摩耗及び引裂によって穴を深く掘り進めて、その深くした穴内に産卵する。このため、耐摩耗性のみならず、高い引裂強さを有するものとすれば、クマゼミ対策としてより有効なものとなる。 （もっと読む）

【課題】振動などによって対向する光ファイバ同士の間の圧着荷重が大きくなった場合でも、光ファイバ間を保護する保護媒体自体が損傷しない光デバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】光デバイスは、入射側光ファイバの出射端面と出射側光ファイバの入射端面との間に、ゲル状の樹脂からなる保護媒体を介在している。 （もっと読む）

【課題】接着剤や樹脂がケーブルの被覆層内に入り込むことを抑制する。
【解決手段】素線１の外周を被覆層５で覆った被覆電線の製造方法として、まず、素線１の外周をシリコンエマルジョンでコーティングしておき、その後、さらにその外周を被覆層５で覆う手法を採用した。素線１をシリコンエマルジョンでコーティングすることで、ケーブルＣの端部から被覆層５内に入り込む接着剤、樹脂の走液長さが抑制できることを実験により確認した。 （もっと読む）

【課題】銅製芯材１と被覆層２との密着性を向上させる。
【解決手段】集積回路素子の電極ａと回路配線基板の導体配線ｃをボールボンディング法によって接続するための線径Ｌ１２μｍ以上５０.８μｍ以下のボンディングワイヤＷである。純度９９．９９質量％以上の銅からなる芯材１の外周面をビースブラウト、ショットブラスト、酸処理、ストライキめっき等によってＲａ：０．１〜０．４μｍの粗面化する。その粗面化した芯材外周面にＰｄ、Ｐｔからなる耐酸化性の被覆層２を形成する。この粗面化によって芯材外周面と被覆層２との密着面積が増加して密着力が改善される。このため、ワイヤの屈曲によって被覆層の亀裂が生じにくく、Ｃｕ表面が被覆層表面に露出し難い。このように露出しないことは、被覆層の厚みを薄くし得ることであり、ＦＡＢの硬化を招き難く、また経済的である。 （もっと読む）