説明

トーカロ株式会社により出願された特許

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【課題】溶射前処理として、粗面化処理と予熱処理とを同時に行うこととし、この場合において、基材表面に赤さびを発生させることなく、しかも溶射皮膜は密着性に優れ、さらに現地加工ができる上、加工処理(工期)の短縮とコスト低下を実現できる新規な溶射皮膜形成の方法を提案することにある。
【解決手段】被処理基材の表面を、熱ブラスト加工を行うことによって予熱すると同時に粗面化し、次いでその被処理基材の表面に、酸化物系セラミックを溶射して酸化物系セラミック溶射皮膜を形成する溶射皮膜形成方法。 (もっと読む)


【課題】溶射前処理として、粗面化処理と予熱処理とを同時に行うこととし、しかもこの場合において、基材表面に赤さびを発生させることなく、しかも溶射皮膜は密着性に優れ、さらに現地加工ができる上、加工処理(工期)の短縮とコスト低下を実現できる新規な溶射皮膜形成の方法と、この方法の実施に用いる装置とを提案すること。
【解決手段】被処理基材の表面を、熱ブラスト加工を行うことによって予熱すると同時に粗面化し、引き続きその被処理基材の表面は、金属を連続的に溶射して金属溶射皮膜を形成する溶射皮膜形成方法、および高速フレーム溶射ガンに、熱ブラスト加工するための研削材粒子の供給管路と溶射皮膜を形成するための溶射材料粉末の供給管路とを接続すると共に、これらの供給管路中にはそれぞれ熱ブラスト加工時と溶射処理時とで供給する粉体の種類を切り替えるための切替弁を配設し、溶射ガン中へ前記研削材粒子か前記溶射材料粉末のいずれかを連続的に導入できるようにしてなる高速フレーム溶射装置。 (もっと読む)


【課題】室温での硬度(室温硬度)、耐摩耗性、耐熱衝撃性(耐熱サイクル特性)に加え、耐熱性の指標である高温下での硬度(高温硬度)に優れる溶射用Ni基自溶合金粉末およびその製造方法と、自溶合金溶射皮膜を提供する。
【解決手段】Cr、CおよびCoを含むNi基自溶合金からなり、粒径5μm以下のクロムカーバイドが、粒子内部に均一に析出している溶射用Ni基自溶合金粉末であり、30.0質量%〜65.0質量%のCrと、1.0質量%〜4.5質量%のCと、5.0質量%〜20.0質量%のCoと、0.5質量%〜4.0質量%のSiと、0.5質量%〜4.0質量%のBと、0.5質量%〜4.0質量%のMoと、選択的に0〜5.0質量%のFeとを含み、残部がNiおよび不可避的不純物である。さらに、45μm〜106μmの粒度範囲に整粒される。 (もっと読む)


【課題】温度変化による伸縮が十分に抑えられる圧電基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電基板1は、基材11と、基材11の一方の主面上に形成された膜12とから主に構成されている。基材11において、膜12を形成する主面は、粗面化された主面11aである。この圧電基板1は、基材11の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する材料で構成された膜12を、粗面化された主面11a上に溶射法により形成することにより得られる。 (もっと読む)


【課題】温度変化による伸縮が十分に抑えられる圧電基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電基板1は、基材11と、基材11の一方の主面上に形成された膜12とから主に構成されている。基材11において、膜12を形成する主面は、鏡面化された主面11aである。この圧電基板1は、基材11の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する材料で構成された膜12を、鏡面化された主面11a上にスラリーを用いたコーティング法により直接形成することにより得られる。 (もっと読む)


【課題】封孔処理を施したセラミックス製の絶縁層6aの絶縁抵抗値、及び、密着力のばらつきが小さい構造を実現する。
【解決手段】外輪3の外周面7及び軸方向両端面8、8に、セラミックスを溶射する。この溶射層の気孔率は2〜6%とする。又、この溶射層の気孔に、透湿係数が10-6cm3・cm/(cm2・s・cmHg) 以下、且つ、吸湿率が0.2%未満の有機系封孔剤を充填する事により封孔処理を施して、上記絶縁層6aとする。これにより、封孔剤が上記溶射層に浸透し易くなり、上記課題を解決できる。 (もっと読む)


【課題】優れた化学的耐久性及び低摩擦係数の表面を有する真空ポンプ用部材及びその製造方法を安価で提供する。
【解決手段】ローター(真空ポンプ用部材の一部品)は、表面が凹凸形状や湾曲形状を有している金属製の本体と、その表面の一部に形成されているアモルファス状膜とを備えている。そして、ローターの表面付近の一部拡大断面部分11は、本体1aを形成する金属製の基材12と、この基材12の表面に形成されたアモルファス状膜13とを備える構成となっている。 (もっと読む)


【課題】安価で製造でき、優れた耐食性及び密着性を有する硬質の膜を表面に有する送液ポンプ用用部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】インペラー1は、略釣り鐘状の筒部と、その周囲に形成された羽根部とを備えている。そして、インペラー1の表面付近の一部拡大断面部分11は、金属製の基材12と、この基材12の表面に高周波プラズマCVD法によって形成されたアモルファス状膜13とを備えている。アモルファス状膜の厚さは1μm〜50μmであることが好ましい。その硬さは、HV700〜2800であることが好ましい。前記アモルファス状膜の表面の算術平均粗さRaは0.5μm以下、且つ、十点平均粗さRzは2.0μm以下であることが好ましい。また、アモルファス状膜13における水素原子の割合が10原子%〜50原子%の範囲、残りが炭素原子で組成されているものであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】貫通気孔や開気孔を通して、海水成分、酸、アルカリなどが内部へ浸入し、基材を腐食させて皮膜を剥離が起きやすいとい溶射皮膜の欠点を解消できる技術を提案する。
【解決手段】溶射皮膜の開気孔部が、10〜45原子%の水素を含有するアモルファス状炭素水素固形物によって充填され、かつ該溶射皮膜表面には0.5〜80μmの膜厚のアモルファス状炭素水素固形物膜が被覆されてなる耐食性溶射皮膜と、高水素含有アモルファス状炭素水素固形物によって、該溶射皮膜の気孔を封孔し、その皮膜表面への膜形成を行う。 (もっと読む)


【課題】半導体加工処理容器内部材は、ハロゲンガスを含む環境でプラズマエッチング加工されると、早期に腐食損傷を受けるとともに、微小なパーティクルを発生して処理容器内を汚染して、半導体の加工生産能力を甚しく低下させる問題がある。
【解決手段】基材の表面に、15〜50原子%の水素を含有するアモルファス状炭素水素固形物層が形成された半導体加工装置用部材を提案する。この部材は、排気した反応容器内に、被処理基材を保持するとともに炭化水素系ガスを導入し、その基材に高周波電力と高電圧パルスとを重畳印加してその導入炭化水素系ガスのプラズマを発生させると同時に、該基材を負の電位に保持することによって、気相析出させた15〜50原子%の水素を含有するアモルファス状炭素水素固形物を基材表面に吸着させて得られる。 (もっと読む)


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