【課題】放熱性とダイボンディング強度を増大し、ダイボンディングの信頼性と歩留りの向上した半導体発光素子およびその製造方法。
【解決手段】半導体基板２と、半導体基板２上に配置された第１導電型クラッド層３２と、第１導電型クラッド層３２上に配置された活性層３３と、活性層３３上に配置された第２導電型クラッド層３４と、第２導電型クラッド層３４上に配置された蒸着層３５と、蒸着層３５上に配置されたメッキ電極層３６とを備え、メッキ電極層３６の両端部は、メッキ電極層３６の中央部に比べ薄いことを特徴とする半導体発光素子およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】外付け部品に頼ることなく、Ｉ／Ｏポートの状態を柔軟に制御する。
【解決手段】入力バッファ１０は、外部からの入出力ポートＰｉｏへの入力信号を受ける。プルアップ抵抗Ｒ１は、入出力ポートＰｉｏと電源端子Ｖｄｄの間に設けられる。プルダウン抵抗Ｒ２は、入出力ポートＰｉｏと接地端子ＧＮＤの間に設けられる。スイッチＳＷ１は、入出力ポートＰｉｏをプルアップ抵抗Ｒ１によりプルアップするか、プルダウン抵抗Ｒ２によりプルダウンするかを切りかえるために設けられる。不揮発性メモリＭ１は、スイッチＳＷ１の状態を設定するための第１制御データＣＮＴ１を記憶する。半導体装置１００の電源投入後、スイッチＳＷ１の状態を、不揮発性メモリＭ１に記憶された第１制御データＣＮＴ１にもとづいて設定する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤからの光を、長手方向と直交する方向においてより広い範囲で好ましい照度を有する線状光として出射可能な導光体と、上記導光体を用いた線状光源と、上記線状光源を用いた画像読取装置と、を提供する。
【解決手段】導光体１は、全体として棒状に延びており、長手方向端部に設けられた光入射部と、上記長手方向に延びており、光入射部から入射した光を反射させる複数の光反射部１４，１５と、複数の光反射部１４，１５から進行してきた光を上記長手方向に延びる線状光として出射させる光出射部１３と、を備えており、複数の光反射部１４，１５は、上記長手方向と直交する方向において、互いに離間するように設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
血液を比重差を用いて血球と血漿を遠心分離をしても、血液の１成分である血漿しか採取することができず、他方の成分である血球を同時に採取、測定することはできなかった。本発明は、少なくとも２成分からなる流体を血漿と血球に完全に分けることが可能となると共に、同時に血漿と血球を別々に採取することが可能となるマイクロチップを提供する。
【解決手段】
第１成分と第２成分を含む検体から第１成分および第２成分をそれぞれ分離する分離部と、第１成分を採取する第１採取部と第２成分を採取する第２採取部と、第１成分を分離部から第１採取部に導く第１流路と、第２成分を前記分離部から第２採取部に導く第２流路と、を有することを特徴とするマイクロチップに関する。 （もっと読む）

【課題】デザインルールに従いつつ、セル面積に対するキャパシタ面積の割合の増大を図ることができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】アクティブ領域３は、列方向に延びる直線領域３Ａおよび直線領域３Ａの列方向の中央において直線領域３Ａと直交する直交領域３Ｂを有する平面視Ｔ字状をなしている。直線領域３Ａの両端部に形成されたドレイン領域６と強誘電体キャパシタ１２の下部電極１３とは、容量コンタクトプラグ１８を介して接続されている。。直交領域３Ｂの端部に形成されたソース領域７とビットラインＢＬ１，ＢＬ２，・・・とは、ビットコンタクトプラグ２７を介して接続されている。ビットコンタクトプラグ２７は、列方向に隣り合う２つのアクティブ領域３に形成されている４つのドレイン領域６に接続された容量コンタクトプラグ１８を頂点とする四角形の中心に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極とのコンタクトのためのコンタクトホール（第１コンタクトホール）の形成時に、ゲート電極が深く掘り下げられることを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】エピタキシャル層３上に、開口２７を有するハードマスク２６を形成し、ハードマスク２６を利用してゲートトレンチ６を形成する。その後、ゲート電極の材料を、ゲートトレンチ６および開口２７に埋設する。その後、ハードマスク２６を除去する。そして、ボディ領域５、ドレイン領域４、ソース領域９およびボディコンタクト領域１０の形成後、エピタキシャル層３上に層間絶縁膜１１を積層する。そして、エッチングにより、ゲート電極８およびボディコンタクト領域１０それぞれとのコンタクトのための、ゲートコンタクトホール１３およびソースコンタクトホール１５を同時に形成する。 （もっと読む）

【課題】ノイズを低減する。
【解決手段】バイアス電圧生成回路５０は、バイアス電圧Ｖｂｉａｓを生成する。充電回路５４は、キャパシタＣ３に充電電流Ｉｃｈｇを供給して充電する。充電電流制御回路ＣＮＴ１は、キャパシタＣ３に生ずるバイアス電圧Ｖｂｉａｓをその目標値Ｖｓｅｔと比較し、比較結果に応じて充電電流Ｉｃｈｇの値を調節する。第１定電流源ＣＣＳ１は、キャパシタＣ３に第１定電流Ｉｃ１を供給する。第１可変電流源ＶＣＳ１は、充電電流制御回路ＣＮＴ１による比較結果に応じてその値が変化する第１可変電流Ｉｖ１を生成する。充電回路５４は、第１定電流Ｉｃ１と第１可変電流Ｉｖ１の合成電流（Ｉｃ１−Ｉｖ１）によってキャパシタＣ３を充電する。 （もっと読む）

【課題】ドリフト領域での空洞の発生が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体基板１０と、半導体基板１０の第１の主面１０１と平行に行方向又は列方向にそれぞれ延伸し、且つ一定の間隔で互いに離間して半導体基板１０内に形成された複数のストライプ状の溝に、それぞれ埋め込まれた第２導電型の複数の半導体領域２１、３１〜３ｎとを備え、半導体基板１０と半導体領域２１、３１〜３ｎによりそれぞれ形成される複数のｐｎ接合から第１の主面１０１と平行な方向に延びる空乏層が互いに接することによって半導体基板１０と半導体領域２１、３１〜３ｎが空乏化される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、入力画像に適切な画像補正処理を施して所望の出力画像を生成することが可能な画像補正処理回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る画像補正処理回路は、入力画像に所定の画像補正処理を施して出力画像を生成する画像補正部１１と；前記入力画像の１フィールド毎に輝度ヒストグラムを取得し、その平均輝度値、標準偏差値、及び、中間値のいずれか２値ないしは３値全て（図１の例では、平均輝度値ＡＣＡＶＧと標準偏差値ＡＣＶＲＣ）を算出する演算部１２と；演算部１２で算出された前記輝度ヒストグラムの平均輝度値、標準偏差値、及び、中間値のいずれか２値ないしは３値全てに基づいて、前記入力画像に対する画像補正処理の要否や補正量を判定し、画像補正部１１の制御を行う補正制御部１３と；を有する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の増大が抑制され、且つ振動子間の静電容量が安定した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の上面に形成された凹部１００内に自由端が延在し、半導体基板１０に固定端が固定された梁型の振動子２１、２２を備える半導体装置１の製造方法であって、半導体基板１０の上面の一部をエッチングして、振動子２１、２２の側面を露出させると同時に、振動子２２と半導体基板１０間の絶縁分離領域３０が形成される分離溝を形成するステップと、分離溝の表面を熱酸化して、分離溝を酸化膜で埋め込んだ絶縁分離領域３０を形成するステップと、振動子２１、２２の側面を熱酸化して、側面保護膜を形成するステップと、側面保護膜をマスクにした半導体基板１０のエッチングにより振動子２１、２２の下面を露出させて、半導体基板１０に形成された凹部１００内に配置された振動子２１、２２を形成するステップとを含む。 （もっと読む）