【課題】 反射対象を検出している場合と上記反射対象を検出していない場合とをより的確に判断できる反射型フォトインタラプタを提供すること。
【解決手段】基板１と、基板１上に配置されているとともに、赤外線の発する発光素子２と、基板１上に配置されているとともに、発光素子２から出射され反射対象により反射された赤外線を受光する受光素子３と、基板１上に形成された、発光素子２および受光素子３を覆うモールド樹脂５と、を備えている、反射型フォトインタラプタＡであって、受光素子３に入射する光の経路上において、モールド樹脂５より反射対象７側に配置されているとともに、受光素子３に向かう赤外線の透過率が、受光素子３に向かう可視光の透過率より大きい反射フィルム６をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減する。
【解決手段】データドライバ３０は、ディスプレイパネル１１０の複数のデータ線ＤＬごとに設けられ、それぞれが対応するデータ線ＤＬに駆動信号を供給する複数の駆動ユニットＤＵを含む。走査ドライバ４０は、ディスプレイパネル１１０の複数の走査線ＳＬを駆動する。画像メモリ１２は、外部から供給されるパネル１１０に表示すべき画像データＧＤを格納する。ラインコード生成部１４は、走査線ＳＬを単位とするラインデータＬＤを所定の演算処理によってエンコードし、走査線ＳＬごとのラインコードＬＣを生成する。コントローラ１６は、画像メモリ１２に格納された画像データＧＤおよび走査線ＳＬごとのラインコードＬＣにもとづいて、データドライバ３０および走査ドライバ４０を制御する。 （もっと読む）

【課題】より無駄の少ない照明により暗所での撮影を行うことが可能な照明付カメラを提供する。
【解決手段】本発明によって提供される照明付カメラＡ１は、光源１からの光を読取対象Ｂに照射し、その反射光を撮像手段３で受光するものであって、読取対象Ｂを内包する照明範囲Ｃ１に光源１からの光を照射するとともに、読取対象Ｂを内包する受光範囲からの光を撮像手段３に結像させる共用レンズ５を備えている。 （もっと読む）

【課題】検出温度が所定の温度範囲内にあるか否かを判定し、判定結果を示す信号を出力する半導体装置を提供する。
【解決手段】このサーモスタットＩＣ１は、それぞれ下限温度Ｔ１および上限温度Ｔ２に応じたレベルの一定の参照電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２を発生する参照電圧発生回路５と、検出温度Ｔａに応じたレベルの電圧Ｖｔを出力する温度センサ４と、温度センサ４の出力電圧Ｖｔと参照電圧Ｖｒｅｆ１との高低を比較し、比較結果を示す信号を出力する比較回路６と、温度センサ４の出力電圧Ｖｔと参照電圧Ｖｒｅｆ２との高低を比較し、比較結果を示す信号を出力する比較回路７と、比較回路６，７の出力信号に基づいて、検出温度Ｔａが下限温度Ｔ１および上限温度Ｔ２間の温度範囲内にあるか否かを示す信号ＯＳを出力する出力回路８とを備える。 （もっと読む）

【課題】読み取り処理を迅速かつ容易に行うことができ、組み込み部品としての配置構成を簡素化することができるイメージセンサモジュールを提供する。
【解決手段】イメージセンサモジュールＡは、本体ケース１と、本体ケース１の内部において主走査方向に列状に設けられた複数の受光素子３０と、主走査方向および副走査方向Ｙに直交する方向に沿って複数の受光素子３０へと光を導くように本体ケース１の内部に設けられたレンズモジュール４と、本体ケース１の外方に向けて光を発するように本体ケース１の内部に設けられた発光ユニット５，７とを備えている。上記複数の受光素子３０、レンズモジュール４、および発光ユニット５，７は、一組の光学システムとして設けられており、本体ケース１の内部には、複数組の光学システムＳ１〜Ｓ３が副走査方向Ｙに並ぶように設けられている。 （もっと読む）

【課題】振動子とシリコン基板間の絶縁分離領域を形成し、且つ製造工程の増大を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０に固定された固定端を有する梁型の振動子２１、２２を備える半導体装置１の製造方法であって、半導体基板１０の上面に、振動子２１、２２の側面絶縁膜４０が形成される側面溝、及び振動子２２と半導体基板１０間の絶縁分離領域３０が形成される分離溝を形成するステップと、側面溝の表面及び分離溝の表面を熱酸化して、側面溝を酸化膜で埋め込んだ側面絶縁膜４０と分離溝を酸化膜で埋め込んだ絶縁分離領域３０を同時に形成するステップと、側面絶縁膜４０と半導体基板１０上の上面絶縁膜をマスクにした半導体基板１０のエッチング工程によって、半導体基板１０の表面に形成された凹部１００内に配置された振動子２１、２２を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 薄型化を図ることができる反射型フォトインタラプタを提供すること。
【解決手段】 基板材料１１および配線パターン１２を含む基板１と、基板１上に配置された発光素子２と、基板１上に配置されているとともに、発光素子２から出射され反射対象により反射された光を受光する受光素子３と、を備えている、反射型フォトインタラプタＡ１であって、基板１の表面１５側において一対の凹部１ａ，１ｂが形成され、発光素子２および受光素子３は、一対の凹部１ａ，１ｂに各別に配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、駆動フェーズ数に依らず、適切な過電圧保護動作を行うことが可能なマルチフェーズ型ＤＣ／ＤＣコンバータを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るマルチフェーズ型ＤＣ／ＤＣコンバータ用の制御回路２０は、並列接続された複数のＤＣ／ＤＣコンバータ回路１０−１〜１０−ｍの出力位相を互いにずらして駆動するものであって、ＤＣ／ＤＣコンバータ回路１０−１〜１０−ｍの駆動フェーズ数を任意に設定するフェーズ制御部２４と；出力電圧Ｖｏｕｔの過電圧が検出されたときに、前記駆動フェーズ数に依らず、全てのＤＣ／ＤＣコンバータ回路１０−１〜１０−ｍについて、各々の出力段を形成するローサイドのトランジスタＮＬ１〜ＮＬｍをオンとする過電圧保護部２５と；を有して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＰパワー依存性を縮小しつつキンクレベルの低下を抑制可能な半導体レーザ素子および半導体レーザを提供すること。
【解決手段】積層されたｎ型クラッド層２Ａ，２Ｂ、活性層３Ａ，３Ｂ、および積層方向と直角である出射方向に延びるリッジ部４１Ａ，４１Ｂが形成されたｐ型クラッド層４Ａ，４Ｂと、リッジ部４１Ａ，４１Ｂを挟み、かつリッジ部４１Ａ，４１Ｂとは屈折率が異なる電流狭窄層５Ａ，５Ｂと、を備える半導体レーザ素子Ａ１，Ａ２であって、リッジ部４１Ａ，４１Ｂは、出射方向中央寄りに位置する広幅部４４Ａ，４４Ｂ、出射方向端寄りに位置し広幅部４４Ａ，４４Ｂよりも幅が狭い狭幅部４２Ａ，４２Ｂ、および広幅部４４Ａ，４４Ｂおよび狭幅部４２Ａ，４２Ｂを繋ぐテーパ部４３Ａ，４３Ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】製造に要する時間を短縮することができる、ＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１では、基板２の表面上に設けられた支持部３により、基板２の表面に対して空間を挟んで対向する可動部１６を有するビーム１４が支持されている。可動部１６には、抵抗導体２５が形成されている。また、ビーム１４には、連結部３４を介して、錘３３が連結されている。この加速度センサ１は、基板２上に支持部３とビーム１４とを形成した後、錘３３の基体となるシリコン基板を金属材料からなる連結部３４を介して支持部３およびビーム１４に貼り合わせ、そのシリコン基板４４を選択的なエッチングにより錘３３を有する構造に加工することにより得ることができる。 （もっと読む）