【課題】マイクロチップが外的な衝撃を受けた場合や液体試薬収容部の内圧が上昇した場合などであっても、液体試薬が液体試薬収容部から流出することを防止することができるマイクロチップを提供する。
【解決手段】第２の基板と、第２の基板上に積層された表面に溝が形成された第１の基板とを備え、溝と第２の基板における第１の基板側表面とから構成される空洞部からなる流体回路を有するマイクロチップであって、流体回路は、流体を収容するための流体収容部を備え、流体収容部は、流体を流出させるための流体流出口と、マイクロチップの厚み方向にのびる１以上の柱状構造体とを有し、柱状構造体は、流体流出口から最も離れた位置を含み流体を保持する流体保持領域に設けられるマイクロチップに関する。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＰパワー依存性を縮小しつつキンクレベルの低下を抑制可能な半導体レーザ素子および半導体レーザを提供すること。
【解決手段】積層されたｎ型クラッド層２Ａ，２Ｂ、活性層３Ａ，３Ｂ、および積層方向と直角である出射方向に延びるリッジ部４１Ａ，４１Ｂが形成されたｐ型クラッド層４Ａ，４Ｂと、リッジ部４１Ａ，４１Ｂを挟み、かつリッジ部４１Ａ，４１Ｂとは屈折率が異なる電流狭窄層５Ａ，５Ｂと、を備える半導体レーザ素子Ａ１，Ａ２であって、リッジ部４１Ａ，４１Ｂは、出射方向中央寄りに位置する広幅部４４Ａ，４４Ｂ、出射方向端寄りに位置し広幅部４４Ａ，４４Ｂよりも幅が狭い狭幅部４２Ａ，４２Ｂ、および広幅部４４Ａ，４４Ｂおよび狭幅部４２Ａ，４２Ｂを繋ぐテーパ部４３Ａ，４３Ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】製造に要する時間を短縮することができる、ＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１では、基板２の表面上に設けられた支持部３により、基板２の表面に対して空間を挟んで対向する可動部１６を有するビーム１４が支持されている。可動部１６には、抵抗導体２５が形成されている。また、ビーム１４には、連結部３４を介して、錘３３が連結されている。この加速度センサ１は、基板２上に支持部３とビーム１４とを形成した後、錘３３の基体となるシリコン基板を金属材料からなる連結部３４を介して支持部３およびビーム１４に貼り合わせ、そのシリコン基板４４を選択的なエッチングにより錘３３を有する構造に加工することにより得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＶＤＭＯＳのアバランシェ耐量の向上を図ることができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層２に、Ｎ型のドリフト領域５およびＰ型のボディ領域６が半導体層２の基層部側からこの順に形成されている。ボディ領域６の表層部には、Ｎ型のソース領域１３が形成されている。半導体層２には、トレンチ７が形成されている。トレンチ７は、ボディ領域６を貫通し、その底部がドリフト領域５に達している。トレンチ７内には、ゲート絶縁膜１０を介して、ゲート電極１１が埋設されている。トレンチ７の底部の周囲には、Ｐ型の第１不純物領域１２がボディ領域６から離間して形成されている。また、半導体層２におけるボディ領域６の側方には、Ｐ型の第２不純物領域１５がボディ領域６から分離して形成されている。そして、第１不純物領域１２および第２不純物領域１５は、互いに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 放電破壊耐圧が向上し、放出電流性能に優れた電子放出源及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による電子放出源は、基板２と、基板２上に配置されたカソード電極３と、カソード電極３上に配置され、カソード電極３を露出させるように複数のエミッタホール７が配置された絶縁層４と、絶縁層４を介して配置され、エミッタホール７と連通した開口部８が形成されたひさし部９を有するゲート電極５と、カソード電極３上のエミッタホール７領域に配置された電子放出部６とを備える。露出したカソード電極３表面は凹部３３を有する。 （もっと読む）

【課題】機能の信頼性を高めた車両の異常記録装置を提供する。
【解決手段】車両の動力源を能動状態とする毎に、カメラやマイクなどの走行情報取得部、取得情報の記録部、関連部の電気接続状態等をチェックし、結果をアナウンスまたは表示する。車両の動力源が能動状態でなくなっても車両と外部の相対移動が検知されない状態が所定時間以上継続するまでは走行情報取得部および取得情報の記録部の機能を維持する。走行情報の圧縮データを、例えば車両前部および後部などに設けられた複数の記録部にそれぞれＦＩＦＯ記録する。複数の記録部の少なくとも一方の記憶容量を大きくし、車両外部に送信するデータを保持する。車両外部に送信したデータ実績の統計処理に基づく「優良運転者証明」を受信する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサの製造に要する時間を短縮する。
【解決手段】シリコンマイク１では、基板２に貫通孔３が形成され、その貫通孔３に対向して、ダイヤフラム７が配置されている。ダイヤフラム７は、貫通孔３との対向方向に見たときのサイズが貫通孔３よりも小さいように形成されている。そして、ダイヤフラム７は、その周縁から貫通孔３の周縁よりも外側まで延びる複数の支持部８に支持されている。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であるとともに、全体の薄型化を図ることができる面実装可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１と、上記半導体チップ１が搭載され、かつ上記半導体チップ１と電気的に接続された第１導体２Ａと、上記半導体チップ１の少なくとも１以上の電極に電気的に接続された少なくとも１以上の第２導体２Ｂ，２Ｃと、上記半導体チップ１、上記第１導体２Ａおよび上記第２導体２Ｂ，２Ｃを封止する樹脂パッケージ３とを含み、上記第１導体２Ａおよび上記第２導体２Ｂ，２Ｃは、相対的に厚みが薄い薄肉部と相対的に厚みが厚い厚肉部２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃとを有し、かつ、上記第１導体２Ａの上記厚肉部２１Ａおよび上記第２導体２Ｂ，２Ｃの上記厚肉部２１Ｂ，２１Ｃは上記樹脂パッケージ３の底面３ｅから露出し、上記第１導体２Ａにおける少なくとも１つの端面２０ａ'〜２０ｃ'および上記第２導体２Ｂ，２Ｃにおける少なくとも１つの端面２０ｄ'は、それぞれ上記樹脂パッケージ３の異なる側面３ａ〜３ｄから露出する。 （もっと読む）

【課題】シリコン層におけるトレンチの近傍に熱処理に起因する結晶欠陥が発生することを防止できる、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】ＬＯＣＯＳ法（熱酸化法）により、シリコン層５の表面にＬＯＣＯＳ酸化膜６が形成される。そして、シリコン層５に不純物が導入されることにより、シリコン層５にソース領域１２およびドレイン領域１３が形成される。その後、ＬＯＣＯＳ酸化膜６およびシリコン層５が連続して掘り下げられることにより、トレンチ７が形成されて、素子形成領域１０が絶縁分離される。 （もっと読む）

【課題】転動体をスムーズに転動させることが可能な傾斜センサを提供すること。
【解決手段】検出対象面の面内方向において互いに離間配置された発光素子５および１対の受光素子４Ａ，４Ｂと、上記面内方向における重力方向の変化により、発光素子５からの光を１対の受光素子４Ａ，４Ｂのいずれにも到達させない完全遮光位置、発光素子５からの光を１対の受光素子４Ａ，４Ｂのいずれか一方のみに到達させる１対の半遮光位置、および発光素子５からの光を１対の受光素子４Ａ，４Ｂのいずれにも到達させる非遮光位置をとる転動体６と、転動体６を収容し、かつ発光素子５からの光が出射される出射口（窓２０ｂ）および１対の受光素子４Ａ，４Ｂに向けて光が入射する１対の入射口（窓２０ｂ）に繋がる空隙部２０ａと、を備える傾斜センサＡ１であって、上記面内方向に広がり空隙部２０ａに露出するとともに凹凸状とされた天井面３ａを備える。 （もっと読む）