【課題】撮像モジュールを小さくする必要がある。
【解決手段】撮像モジュール１００は、プリント基板１０と、レンズ駆動機構２０と、撮像装置３４と、ボンディングワイヤ４０と、樹脂５０と、透明板６０と、コネクタ７０と、レンズ８０と、を備える。撮像装置３４は、撮像部３０と、出力処理部３２と、を有する。撮像モジュール１００ではレンズ８０を通過した光が撮像部３０上に導かれる。その導かれた光が撮像部３０によって信号に変換される。その信号は出力処理部３２によって処理された後に図示しないメモリ等に蓄えられる。プリント基板１０には、レンズ駆動用ＩＣ１２と、電源ＩＣ１４とが埋め込まれる。 （もっと読む）

【課題】ＶＤＭＯＳのアバランシェ耐量の向上を図ることができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層２に、Ｎ型のドリフト領域５およびＰ型のボディ領域６が半導体層２の基層部側からこの順に形成されている。ボディ領域６の表層部には、Ｎ型のソース領域１３が形成されている。半導体層２には、トレンチ７が形成されている。トレンチ７は、ボディ領域６を貫通し、その底部がドリフト領域５に達している。トレンチ７内には、ゲート絶縁膜１０を介して、ゲート電極１１が埋設されている。トレンチ７の底部の周囲には、Ｐ型の第１不純物領域１２がボディ領域６から離間して形成されている。また、半導体層２におけるボディ領域６の側方には、Ｐ型の第２不純物領域１５がボディ領域６から分離して形成されている。そして、第１不純物領域１２および第２不純物領域１５は、互いに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 放電破壊耐圧が向上し、放出電流性能に優れた電子放出源及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による電子放出源は、基板２と、基板２上に配置されたカソード電極３と、カソード電極３上に配置され、カソード電極３を露出させるように複数のエミッタホール７が配置された絶縁層４と、絶縁層４を介して配置され、エミッタホール７と連通した開口部８が形成されたひさし部９を有するゲート電極５と、カソード電極３上のエミッタホール７領域に配置された電子放出部６とを備える。露出したカソード電極３表面は凹部３３を有する。 （もっと読む）

【課題】信号入力端子が天絡、地絡した場合に、スピーカに流れる過大電流によって生じる劣化や破損を未然に防止することができるＤ級電力増幅器を提供する。
【解決手段】Ｄ級電力増幅器２００はＰＷＭ変調回路２４０及びＤＣ検出回路２５０を有する。ＰＷＭ変調回路の出力端子２４４から出力されたＰＷＭ信号Ｐは、信号導出線２４６を介してＤＣ検出回路２５０の第１の入力端子２５０ａ及びインバータ２４７を介して第２の入力端子２５０ｂに入力される。ＰＷＭ変調回路からは信号導出線２４５を介して図示しないクロックパルスが入力される。ＤＣ検出回路は出力端子２４４に生じたデューティ比が０％又は１００％のローレベル又はハイレベルの直流（ＤＣ）電圧が所定時間を越えたことを検出して作動し、ＰＷＭ信号Ｐが所定時間の間ローレベル又はハイレベルを維持したときに制御信号を生成してＤ級ドライバー２６０の回路動作をオフにする。 （もっと読む）

【課題】小型化を図りつつ放熱性を高めて高輝度化を図ることができる半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】１以上の半導体発光素子と、上記半導体発光素子を囲む樹脂パッケージ４と、を備える半導体発光装置Ａ１であって、上記半導体発光素子をダイボンディングするためのダイボンディングパッドを有するとともに、このダイボンディングパッドの反対側の露出面１２が樹脂パッケージ４から露出し、かつこの露出面１２が樹脂パッケージ４によって囲われているリードを備える。 （もっと読む）

【課題】非金属材料からなる保護膜の不所望なエッチングを防止することができる、ＭＥＭＳセンサの製造方法およびＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】シリコンウエハＷの一方面上に、第１犠牲層２４、ダイヤフラム６、第２犠牲層２５、バックプレート８および保護膜１０が形成される。保護膜１０の材料にポリイミドが用いられ、第２犠牲層２５の材料にＡｌが用いられる。そして、保護膜１０に、バックプレート８の孔９と連通する孔１３が形成される。また、保護膜１０におけるバックプレート８の周囲に、孔１４が形成される。そして、保護膜１０の内側に孔９，１３，１４を通して塩素系ガスが供給されることにより、第２犠牲層２５が除去される。 （もっと読む）

【課題】パネルの経時変化にともなう画質の劣化を抑制する。
【解決手段】受信インタフェース回路１０は、ディスプレイパネル２２２に表示すべき映像データを受信する。タイミングコントローラ１８は、ディスプレイパネル２２２のデータ線または走査線を駆動するソースドライバ２２４、ゲートドライバ２２６の動作タイミングを制御する。タイマ１２は、ディスプレイ制御回路１００の累積動作時間を測定し、不揮発性メモリ１４に保持する。ガンマ補正回路１６は、タイマ１２により測定された累積動作時間にもとづき、受信インタフェース回路１０により受信した映像データの輝度値を補正する。送信インタフェース回路２０は、タイミングコントローラ１８により設定されたタイミングと同期して、ガンマ補正回路１６により輝度値が補正された映像データを、外部に設けられたソースドライバ２２４へ送出する。 （もっと読む）

【課題】 圧力の作用により振動する振動部の厚さを、様々な厚さに高精度に制御することのできる圧力センサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧力センサ１において、シリコン基板４上に、ＢＯＸ層５を介して、活性層６を積層した構造のＳＯＩ基板２を形成する。ＳＯＩ基板２には、その厚さ方向一方側から他方側へ向かう方向にシリコン基板４およびＢＯＸ層５を一括して貫通する貫通孔８を形成する。これにより、活性層６における貫通孔８との対向部分に、ダイヤフラム９を形成する。ダイヤフラム９の上層部には、ダイヤフラム９とともに振動可能な可動電極１０を形成する。一方、封止基板３に、周辺部１５の裏面よりも上面側へ一段低く形成された凹部１６を形成する。凹部１６の底面には、固定電極１７を形成する。そして、固定電極１７と可動電極１０とが対向する姿勢で、封止基板３とＳＯＩ基板２とを接合する。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ接続された半導体チップを有し、この半導体チップの裏面を保護できるとともに、この半導体チップの反りを低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１は、配線基板２と半導体チップ３とを含む。半導体チップ３は、機能素子４が形成された機能面３ａを有し、機能面３ａを配線基板２の表面２ａに対向させて接合されている。配線基板２と半導体チップ３との間には、アンダーフィル膜５が埋められている。機能面３ａとは反対側の面である裏面３ｂには、裏面３ｂを保護するとともに、半導体チップ３の機能面３ａ側と裏面３ｂ側とでの熱膨張差をなくすための裏面保護膜８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】
試薬の変質等により検量線が変わってくるため検査対象となる物質の正確な値を反映していないという問題があった。そのため一定期間ごとに検量線を作成しなおす必要があった。 本発明は、上記問題を解決するためになされたものであって同一チップで同時に検体の測定と標準物質を測定できるので標準物質に基づく検量線の作成が行えるマイクロチップを提供することである。
【解決手段】
検体導入部と標準物質が導入される標準物質保持部と、所定の用量の検体を秤量する検体秤量部と、標準物質を秤量する用量がそれぞれ異なる２以上の標準物質秤量部と、所定の用量の試薬が充填される検体試薬保持部および標準物質試薬保持部と、試薬と検体を混合する検体混合部と、試薬と標準物質を混合する２以上の標準物質混合部と検体検出孔と、２以上の標準物質検出孔とを有するマイクロチップである。 （もっと読む）