【課題】 ダイヤフラムなどの振動膜の振動しやすさを確保しながら、振動膜とバックプレートなどの対向電極との接触による短絡を、簡単な構成で防止することのできるＭＥＭＳセンサを提供すること。
【解決手段】 シリコンマイク１において、シリコン基板２の一方側に、シリコン基板２に対して間隔を空けて対向するように、金属電極１０が、所定の樹脂材料からなるダイヤフラム被覆膜１１に被覆されてなるダイヤフラム８を形成する。また、ダイヤフラム８に対してシリコン基板２の反対側において、ダイヤフラム８に対して間隔を空けて対向するように、導電性材料からなるバックプレート９を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】合金膜１８上に、ＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる犠牲層４１が積層される。犠牲層４１の積層後、熱処理が行われる。第２絶縁層６および犠牲層４１にＳｉおよびＯが含まれるので、熱処理が行われると、第２絶縁層６と合金膜１８との界面および合金膜１８と犠牲層４１との界面において、Ｓｉ、ＯおよびＭｎが結合し、それぞれＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３および反応生成膜４２が形成される。合金膜１８に含まれるＭｎが反応生成膜４２の形成に使用されることにより、第２バリア膜１３の形成後、その第２バリア膜１３の形成に寄与せずに合金膜１８に残留するＭｎの量が減少する。そのため、合金膜１８上に積層されるＣｕ層２０に拡散するＭｎの量が減少する。よって、Ｃｕ層２０からなる第２Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】第１不純物領域−第２不純物領域間（たとえば、ソース−ドレイン間）の電位分布を均一にすることができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１のＬＤＭＯＳＦＥＴ６において、エピタキシャル層３の表面におけるドレイン領域１１とボディ領域７との間の部分に、ボディ領域７と間隔を空けてフィールド絶縁膜１２を形成する。フィールド絶縁膜１２上に、フローティングプレート１７を、Ｖ₁／Ｄ₁＝Ｖ₂／Ｄ₂を満たすように配置するとともに、各フローティングプレート１７をそれぞれ一定電位に保持する。上記定義値は、Ｖ₁：ドレインコンタクトプラグ２３とフローティングプレート１７との電位差、Ｄ₁：ドレインコンタクトプラグ２３とフローティングプレート１７との間隔、Ｖ₂：ゲート電極１４とフローティングプレート１７との電位差、Ｄ₂：ゲート電極１４とフローティングプレート１７との間隔とする。 （もっと読む）

【課題】より薄型化を図ることが可能であり、かつ高い検出精度を有するフォトインタラプタを提供する。
【解決手段】発光モジュール１と、受光モジュール２と、第１の方向ｘに対して直角である第２の方向ｙにおいて検出用空間３１を迂回する連結部３２を有する外側モールド体３と、を備えており、受光モジュール２が、受光素子２１とワイヤ２４と、これらを覆う内側モールド体２５と、を具備しているフォトインタラプタＡ１であって、外側モールド体３は、内側モールド体２５の入射面２５ａに繋がる部分を覆うように形成された遮光部３３を有しており、遮光部３３は、第１の方向ｘ視においてワイヤ２４と重なるように形成されており、かつ、内側モールド体２５と接する面が、第２の方向ｙにおいて連結部３３に近い部分ほど、第１の方向ｘにおける第２のリード２３との間隔が小さくなる部分を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板（半導体ウエハ）上に比較的大きな厚さの層間絶縁膜が形成される構成において、半導体基板に反り変形が生じることを抑制できる、半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２上に形成される層間絶縁膜１２は、複数の第１絶縁膜１３の積層構造を有している。また、半導体基板２上には、トランスを構成する第１コイル１０および第２コイル２２が層間絶縁膜１２を挟んで対向して設けられている。そして、各第１絶縁膜１３には、第１絶縁膜１３を貫通するビアホール２４が形成され、各ビアホール２４には、ビア２３が埋設されている。 （もっと読む）

【課題】防水機能を損なうことなく生産性を容易に高めることができるカメラモジュールを提供する。
【解決手段】カメラモジュールＡは、イメージセンサ３を搭載した基板４と、イメージセンサ３に対する結像用のレンズ５２，５４，５６を保持し、上部外周にフランジ５３ａを有するとともに下部外周にねじ山５１ａを有するレンズホルダ５と、基板４を収容した状態でレンズホルダ５にネジ山５１ａを介して直接螺結されるとともに、フランジ５３ａとの間に環状弾性体６を介してこのフランジ５３ａに密接させられる上端部を有するホルダケース７とを有している。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドなどの開口内金属膜と層間絶縁膜上の表面金属膜との導通を確保することができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】第２配線１３上の層間絶縁膜２１には、その表面から第２配線１３に達するパッド開口２２が形成されている。第２配線１３におけるパッド開口２２に臨む部分上には、ＡｌＣｕ合金からなるボンディングパッド２５が形成されている。また、層間絶縁膜２１上には、ＡｌＣｕ合金からなる電磁波シールド膜２７が形成されている。そして、パッド開口２２の側面上には、ボンディングパッド２５と電磁波シールド膜２７との導通を確保するための導通確保膜２４が形成されている。ボンディングパッド２５と電磁波シールド膜２７とが直接に接続されなくても、導通確保膜２４により、ボンディングパッド２５と電磁波シールド膜２７との導通を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】低消費電流の半導体装置を提供する。
【解決手段】このサーモスタットＩＣ１では、目標温度に応じたレベルの一定の参照電圧Ｖｒｅｆを発生する参照電圧発生回路４と、検出温度に応じたレベルの電圧Ｖｔを出力する温度センサ５と、参照電圧Ｖｒｅｆと電圧Ｖｔの高低を比較し、比較結果を示す信号を出力する比較回路６とを備え、参照電圧発生回路４および比較回路６の活性化／非活性化の制御が可能になっている。したがって、全部の回路を常時活性化させていた従来に比べ、消費電流が小さくて済む。 （もっと読む）

【課題】利得調整および広範囲な電圧源にも安定して適用することができる利得調整回路およびＤ級電力増幅回路を提供する。
【課題を解決するための手段】
利得調整回路100はアナログ入力信号が入力される信号入力端子102、アナログ信号を増幅し電圧源E１が供給される演算増幅器108、演算増幅器108の反転入力端子108aと出力端子108cとの間に接続される第1のＴ型抵抗回路T123を備える。信号入力端子102と反転入力端子108aとの間に利得調整するための第１の可変抵抗RV1を接続する。演算増幅器108の非反転入力端子108bにはバイアス電圧供給回路130から直流バイアス電圧が供給される。バイアス電圧供給回路130は第１の電圧生成回路132および第２のバイアス電圧生成回路138を備える。第１のバイアス電圧生成回路132は第2の電圧源E2および第２のT型抵抗回路T123aを備え、第２のバイアス電圧生成回路138は第3の電圧源E3および第2の可変抵抗RV2を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の発生を防止し、特性が劣化しない範囲で、ＴＭモード発振が行えるようにした半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２、ｎ型ＡｌＧａＡｓビーム拡散層３、ｎ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層６、ｐ型ＡｌＧａＡｓビーム拡散層７、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層８、ＩｎＧａＰエッチングストップ層９、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層１０、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１が形成されている。ＭＱＷ活性層５は、バリア層と引っ張り歪を持つ井戸層で構成された多重量子井戸構造を有しており、井戸層の各膜厚がバリア層の各膜厚よりも大きく、井戸層のうち、少なくとも１層の膜厚が他の井戸層とは異なるように構成されている。 （もっと読む）