【課題】凸パターンを覆うｎ型窒化物半導体層を良好に形成できながら、外部量子効率を向上させることができる発光素子およびこれを含む発光素子ユニットを提供すること
【解決手段】基板２の表面３に互いに第１ピッチｐ_１を空けて離散して配置された複数の凸部１９の集合体からなる凸パターン２０において、凸部１９は、互いに第１ピッチｐ_１よりも小さい第２ピッチｐ_２を空けて当該凸部１９の頂部に離散して形成された複数の微細凸部３５の集合体からなる微細凸パターン３６と、当該微細凸パターン３６を支持するベース部３７とを含む。 （もっと読む）

【課題】面実装可能で、極めて低抵抗なジャンパー抵抗器を提供する。
【解決手段】ジャンパー抵抗器は金属製抵抗体１からなる。金属製抵抗体１は、平板状の金属体１ａと、金属体１ａの表面又は裏面に設けられた１対の電極１ｂを備えている。１対の電極１ｂは離間して設けられている。金属体１ａと電極１ｂは、同種の金属材料で構成されており、金属体１ａと電極１ｂは連続的に一体的に形成される。ここで、金属製抵抗体１の抵抗値は１ｍΩ以下になるように構成される。 （もっと読む）

【課題】ノイズの影響を低減する。
【解決手段】容量検出回路１０は、複数のセンサ電極ＳＥ_ｉ，ｊそれぞれの容量Ｃ_ｉ，ｊを測定し、測定された容量Ｃ_ｉ，ｊを示す容量データＤ_ｉ，ｊを含む第１データアレイＡＲＲＡＹ１を生成する。タッチ検出部２０は、第１データアレイＡＲＲＡＹ１に応じたデータにもとづき、ユーザが接触している少なくともひとつのセンサ電極ＳＥを判定する。第１平均データ算出部２２は、第１データアレイＡＲＲＡＹ１に含まれる容量データのうち、タッチ検出部２０によりユーザが接触していると判定された少なくともひとつのセンサ電極に対応する容量データを除いた容量データの平均を示す第１平均データＡＶＧ１を生成する。第１減算器２４は、第１データアレイＡＲＲＡＹ１に含まれる複数の容量データそれぞれから第１平均データＡＶＧ１を減算し、第２データアレイＡＲＲＡＹ２を生成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小型大出力の発電装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発電装置１０は、誘電体１１とエレクトレット１２を有し、誘電体１１とエレクトレット１２との距離を変化させることによって発電を行う。エレクトレット１２には、誘電体１１と対向しない側に第１電極１３が接続されている。第１電極１３は、負荷１４を介して接地端に接続されている。誘電体１１には、エレクトレット１２と対向しない側に第２電極１５を接続してもよい。第２電極１５は、接地端に直接接続してもよい。 （もっと読む）

【課題】複数の検出電流経路が発生することを防止し、光吸収層の表面状態にかかわらず、高感度で安定して検出することができる光検出素子及び光検出装置を提供する。
【解決手段】光検出素子は、透光性基板１、光吸収層２、電極３、電極４、接着層５、絶縁膜６、パッケージ７で構成される。透光性基板１上に光吸収層２が形成され、光吸収層２に電極３と電極４の一部が埋め込まれている。パッケージ７上に光検出部がジャンクションダウンで接着層５により接合されている。光吸収層２は、特定波長の光を選択的に吸収して、電気信号に変換する。測定する光は、透光性基板１の裏面から照射される。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面側に備える反射メタルにより高い反射率で光を反射させて光取り出し効率を向上させることができ、しかもその反射メタルと基板との密着性に優れる、フェイスアップタイプの発光素子およびこれを含む発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】フェイスアップ姿勢で用いられる発光素子１であって、基板２と、基板２の表面３に順に積層されたｎ型ＧａＮ層６、発光層７およびｐ型ＧａＮ層８を有する窒化物半導体積層構造部９と、基板２の裏面４に形成された透明接着層１０と、ＡｇとＰｔ族金属とＣｕとを含む合金からなり、透明接着層１０に接触した状態で透明接着層１０の裏面に形成された反射メタル１１と、反射メタル１１の裏面に形成された接合メタル１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】 より広い領域を適切に照らすことが可能なＬＥＤ電球を提供すること。
【解決手段】 ＬＥＤ電球１０１は、発光部２００と、台座３００と、電源部５００と、放熱部材４００と、口金５５０と、Ｘ方向Ｘ１側に膨出しており、発光部２００を囲むとともに、発光部２００からの光を拡散させつつ透過させるグローブ６００と、を備えており、発光部２００からの光量は、Ｘ方向に延びる中心軸を０°とした場合に、最大光量の５０％以上である領域が±６０°以内であり、かつ、グローブ６００からの光量は、上記中心軸を０°とした場合に、±１２５°以上の領域において５０％以上である。 （もっと読む）

【課題】ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴの特性の劣化を抑制しつつ、ソースからドレインへの電流の逆流を防止する。
【解決手段】逆流防止回路３０は、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴのスイッチングトランジスタＭ１のソースからドレインへの逆流電流を防止する。第１スイッチＳＷ２１は、スイッチングトランジスタＭ１のバックゲートと接地端子との間に設けられる。第２スイッチＳＷ２２は、スイッチングトランジスタＭ１のバックゲートとそのソースの間に設けられる。バックゲートコントローラ３２は、ＤＣ／ＤＣコンバータの入力電圧Ｖ_ＩＮとその出力電圧Ｖ_ＢＡＴを比較し、（１）入力電圧Ｖ_ＩＮの方が高いとき、第１スイッチＳＷ２１をオフ、第２スイッチＳＷ２２をオンし、（２）入力電圧Ｖ_ＩＮの方が低いとき、第１スイッチＳＷ２１をオン、第２スイッチＳＷ２２をオフする。 （もっと読む）

【課題】より使用のしやすい携帯電話を提供する。
【課題を解決するための手段】
軟骨伝導振動部の振動を振動伝導体により中空の箱構造をもつ気導発生部に中継するとともに、静寂時は振動伝導体を移動させて中継を断ち、気導発生部の振動を停止する。軟骨伝導振動部と振動源を有する気導発生部の両者を振動させるとともに、静寂時は気導発生部の振動を停止させる。静寂時の検知により気導発生部の振動を自動停止させる。気導スピーカの音量を気導スピーカへの耳の押圧に応じて自動調整する。押圧増加に応じて段階的に音量を増加させるとともに押圧消滅により音量を初期値に戻す。細かな押圧変化には応答しない。押圧変化に応じ、音質も自動調整する。右耳用気導スピーカ左耳用気導スピーカを携帯電話上部の二つの角部にそれぞれ配置する。 （もっと読む）

【課題】蛍光体層の注入量を均一化した半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】フレーム部材１００と、フレーム部材１００の表面に凹型に複数配置された蛍光体層注入部８と、蛍光体層注入部８に注入された蛍光体層６ｂとを備え、蛍光体層６ｂは、蛍光体層注入部８に蛍光体層６ｂを注入後、フレーム部材１００上にガラス板１０を搭載し、蛍光体層６ｂの熱硬化後、ガラス板１０を取り外すことによって形成される半導体発光装置２０およびその製造方法。 （もっと読む）