【課題】 誤認識を防止するとともに、容易に組み込み可能なフォトインタラプタを提供すること。
【解決手段】 発光モジュール１Ａと、受光モジュール１Ｂと、を備えており、発光モジュール１Ａからの光が受光モジュール１Ｂによって受光可能に構成されている、フォトインタラプタＡ１であって、出射部４ａを露出させるように透光樹脂を覆う発光側封止樹脂５Ａと、入射部４Ｂａを露出させるように透光樹脂を覆う受光側封止樹脂５Ｂと、発光モジュール１Ａおよび受光モジュール１Ｂの端子２Ａａ，２Ｂａが差し込まれた状態で発光モジュール１Ａおよび受光モジュール１Ｂを支持しており、かつ端子２Ａａ，２Ｂａに導通するコネクタ６ａを備えるベース６と、をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】原稿に折り目や皺があっても陰が出来ないように照明することが可能であり、さらにコスト削減が可能で環境に好ましい線状光源装置およびそれを備えた画像読み取り装置を提供することを課題としている。
【解決手段】本発明によって提供される線状光源装置は、樹脂により一体形成され、所定間隔を隔てて互いに平行に延びる略円柱状直線部１１，１２をそれらの一端側で連結して略Ｕ字状とされた導光体１０と、直線部１１，１２の少なくともいずれか一方の他端部に対向して配置されたＬＥＤ発光装置２０とを備えており、直線部１１，１２の外周面には、これらの直線部１１，１２の軸線を含む基準平面の一方側において、複数の凹部１６または凸部１７が形成された帯状の反射領域１４，１５が設けられており、かつ、直線部１１，１２の横断面において、各直線部１１，１２の中心と各反射領域１４，１５の幅方向中心とをつなぐ直線が、上記基準平面の一方側に向かうほど互いの間隔が拡がっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐電圧を高めることが可能であるチップ抵抗器およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁材料からなる基板１と、基板１の一面側に形成され、方向ｘに離間配置された１対の電極２と、基板１の上記一面側に形成され、１対の電極２に導通する抵抗体３と、を備えるチップ抵抗器Ａであって、基板１の上記一面側には、方向ｘにおける両端に位置し、かつ端縁５０ｙが方向ｘと直角である方向に延びる一対の第１の凹部５ｙが形成されており、１対の電極２は、少なくともその一部が１対の凹部５ｙ内に形成されており、かつ電極２のうち基板１の中央寄りに位置する端縁が端縁５０ｙと一致している。 （もっと読む）

【課題】リペア処理の結果得られた電圧値が目標値から外れた場合に修正できず、高精度な回路調節が行えない場合があった。
【解決手段】リペア信号生成部１０は、ｎ個（ｎは整数）のヒューズＲＦを含み、各ヒューズＲＦの切断、非切断状態に応じてレベルが変化するｎビットの内部リペア信号Ｓｉを出力する。セレクタ３０は、リペア信号生成部１０により生成されたｎビットの内部リペア信号Ｓｉと、外部から入力されるｎビットの外部リペア信号Ｓｅを受け、選択されたいずれかを出力する。調節部４０は、セレクタ３０から出力されるリペア信号Ｓｓｅｌにもとづいて、回路の状態を調節する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、回路外部に退避されたデータの復帰時にいきなりデータ退避前の動作が再開されて、ユーザが対処不能となることを防止することが可能なデータ制御回路、及び、これを用いたデータ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るデータ制御回路は、電子回路に接続され、前記電子回路のデータを回路外部に退避するデータ退避制御機能と、回路外部に退避されたデータを前記電子回路に復帰するデータ復帰制御機能と、を備えて成るデータ制御回路であって、回路外部に退避されたデータの復帰に際して、前記電子回路がデータの退避前に行っていた処理を再開するよりも先に、これとは異なる特定の処理を実行させる構成（図２０（ａ）のステップＳ２４や、図２０（ｂ）のステップＳ３３を参照）とされている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、入力画像に輝度変換処理を施して所望の出力画像を生成するに際し、出力画像のちらつきやフリッカを低減することが可能な画像処理回路、これを集積化して成る半導体装置、並びに、これを用いた画像処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る画像処理回路は、入力画像に輝度変換処理を施して所望の出力画像を生成する際、第（ｎ−１）番目のフレームに係る入力画像Ｉ（ｎ−１）の輝度変換処理に用いられた輝度変換係数Ｔ（ｎ−１）と、第（ｎ−１）番目のフレームに係る入力画像Ｉ（ｎ−１）に基づいて算出された輝度変換係数Ｔ’（ｎ−１）を所定の割合で足し合わせて、第ｎ番目のフレームに係る入力画像Ｉ（ｎ）の輝度変換処理に用いる輝度変換係数Ｔ（ｎ）を生成する構成とされている。 （もっと読む）

【課題】 耐硫化特性に優れたチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】 基板１と、この基板１の上面の両端部に設けられた上面電極２と、基板１の上面において上面電極２と上面電極２との間に設けられた抵抗体５と、この抵抗体５を覆うように設けられた保護膜６とを備えたチップ抵抗器Ａであって、上面電極２と抵抗体５との間には、この上面電極２の一部を覆いながら抵抗体５の端部と重なるように抵抗体よりも抵抗値が小さい材質からなるバリア層４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、既存の電子回路や、当該電子回路で処理されるデータを格納する揮発性メモリに大規模な変更を加えることなく、その設計資産を有効に活用することにより、短い開発期間で低コストに、電子回路の利便性向上や待機時における消費電力削減を実現することがデータ制御回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るデータ制御回路２２０は、電子回路２１０で処理されるデータを格納する揮発性メモリ（図１８では混載メモリ２１０ｂとキャッシュメモリ２１０ｃ）のデバッグ用ポートを介して、そのデータを退避するデータ退避制御機能を備えて成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】制御信号からの指示によりモータが停止した後、ただちにモータの回転を再開するとともに、消費電力を低減する。
【解決手段】冷却装置２００は、モータ駆動装置１００と、ファンモータ１１２と、ホール素子１１４と、を備える。モータ駆動装置１００は、ロック保護回路３２と、ロック制御部３４とを含む。ロック制御部３４は、駆動対象のファンモータ１１２の回転を指示する制御信号がモータの停止を所定時間以上指示した場合に、ロック保護回路３２を非アクティブとする。スタンバイ制御部２０は、制御信号Ｖｃｎｔがファンモータ１１２の停止を第１時間τ１以上継続して指示したことを契機として時間測定を開始し、さらに所定の第２時間τ２の経過後に、当該モータ駆動装置１００の少なくとも一部を、スタンバイモードに移行させる。 （もっと読む）

【課題】装置全体における耐圧を向上させることができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、たとえば、ＳＯＩ基板３１を基体とする半導体チップ２を備えている。ＳＯＩ基板３１の表層部には、たとえば、ｐＭＯＳおよびｎＭＯＳが形成されている。半導体装置１では、ＳＯＩ基板３１の裏面の電位（基板電位）がグランド電位と高圧電源電位との間の中間電位に制御される。これにより、基板電位をグランド電位にしたときと比較して、ｐＭＯＳを高耐圧化することができる。また、基板電位を電源電位にしたときと比較して、ｎＭＯＳを高耐圧化することができる。その結果、従来の半導体装置と比較して、装置全体における耐圧を向上させることができる。 （もっと読む）