【課題】プロセス温度の低温化とプロセス時間の短縮化可能な積層化高融点半田層およびその形成方法、およびこの積層化高融点半田層を適用した半導体装置を提供する。
【解決手段】低融点メタル薄膜層８１と、低融点メタル薄膜層８１の表面および裏面に配置された高融点メタル薄膜層８２とを有する３層構造を複数積層化した積層化構造８０と、積層化構造８０の表面に配置された第１高融点メタル層１ａと、積層化構造８０の裏面に配置された第２高融点メタル層１ｂとを備え、低融点メタル薄膜層８１と高融点メタル薄膜層８２、積層化構造８０と第１高融点メタル層１ａおよび第２高融点メタル層１ｂは、液相拡散接合によって互いに合金化された積層化高融点半田層５、およびこの積層化高融点半田層５を適用する半導体装置１０。 （もっと読む）

【課題】フルブリッジ切り換え回路を提供する。
【解決手段】フルブリッジ切り換え回路は、第１のコンバータ回路及び第２のコンバータ回路を含むコンバータ回路部を含む。第１及び第２のコンバータ回路は各々第１及び第２のトランスを含み、各々第１及び第２の切り換え信号に応答し、第１及び第２のトランスを各々制御する第１及び第２の切り換え素子部を各々含み、第１及び第２のトランスは第１及び第２の切り換え素子部の制御によって各々第１及び第２のフィードバック信号を出力できる。フルブリッジ切り換え回路は、また第３の切り換え入力を有し、第１及び第２のトランスに接続された第３の切り換え素子部と、第１のフィードバック信号に基づいて生成された第１の制御信号と第２のフィードバック信号に基づいて生成された第２の制御信号の論理和信号を生成するＩＣ回路部を含むことができる。論理和信号は第３の切り換えの入力でフィードバックされ得る。 （もっと読む）

【課題】ステレオ効果を強調でき、十分な奥行き感や広がり感のある音を再生できるサラウンド回路および音声出力装置を提供する。
【解決手段】音声信号を入力して再生時の音声の音場感を高めるためのサラウンド回路は、入力した前記音声信号にフィードフォワード加算ゲインＧ５を乗算して音の広がり感を高めるフィードフォワード回路１００と、前記フィードフォワード回路１００から出力された音声信号のうち低音域の信号をカットするハイパスフィルタ３０と、前記ハイパスフィルタ３０から出力された音声信号に帰還ゲインＧ３を乗算して音の奥行き感を高めるフィードバック回路２００とを備える。 （もっと読む）

【課題】任意の周波数の正弦波を発生させて所望のメロディ音等を発生させることができる正弦波発生装置および該正弦波発生装置を用いたデジタル信号プロセッサを提供する。
【解決手段】正弦波発生装置９０は、入力される２つの信号を加算する加算器２６，２８，３０，３２と、入力される信号を１サンプル時間ずつ遅延させる遅延部１８，２０，３４，３８と、遅延部から入力される信号に所定の係数を乗算して加算器に出力する乗算器１６，２２，２４，３６，４０とを備え、外部から任意に設定入力される係数に基づいて所望の周波数の正弦波を発生させる。 （もっと読む）

【課題】カレントミラー回路によって、複数の回路を電流駆動させる場合に、各回路の動作に対するばらつきを低減することができる電源回路を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ１、２、３と、スイッチング素子であるスイッチ６〜９とで電源回路を構成している。ＦＥＴ１、２、３でカレントミラー回路を構成している。スイッチ６、７、８、９によって選択回路５０が構成される。選択回路５０は、スイッチ６〜９の切り替えにより、ミラー電流Ｉｂ２をオペアンプ４又はオペアンプ５のいずれかに供給し、さらに、ミラー電流Ｉｂ１をオペアンプ４又はオペアンプ５のいずれかに供給する。すなわち、ミラー電流Ｉｂ１とミラー電流Ｉｂ２とを入れ替えて交互に、オペアンプ４、５にそれぞれ供給する。 （もっと読む）

【課題】分解能を向上させることができ、ダイナミックレンジを向上させるパルス幅変調器を提供する。
【解決手段】クロックに同期しながらカウント値をカウントするシーケンスカウンタ２４と、入力信号が前記第１の入力信号パターン種である場合はシーケンスカウンタからのカウンタ値を基準に当該入力信号のスイッチング周期の切り換え時間点を中心としてその前後が対称となるようにパルス幅を変化させ、入力信号が第２の入力信号パターン種である場合はシーケンスカウンタからのカウンタ値を基準に当該入力信号のスイッチング周期の切り換え時間点を中心としてその前または後を１クロック分多くパルス幅を変化させて中間レジスタ値として出力する中間レジスタ処理部２０と、シーケンスカウンタからのカウンタ値を基準にして中間レジスタ処理部からの中間レジスタ値にしたがって出力信号を生成するデコーダ２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】より使用のしやすい携帯電話を提供する。
【課題を解決するための手段】
圧電バイモルフ素子の主振動面を表示面に対して３０度から６０度程度傾斜するよう筐体構造に支持して軟骨伝導振動を得る。筐体外面における直交する表示面と側面の間に主振動面と平行の傾斜平面を設ける。筐体外面に、軟骨伝導振動部を包む円柱状の表面を設ける。傾斜した一対の主振動面の対向する部分または食い違う部分の振動を表示面およびこれと直交する側面または上面にそれぞれ伝達する。圧電バイモルフ素子の中央部を支持し両端部の振動を許す。支持部分を中心からずらす。圧電バイモルフ素子の両端部を支持し、中央部の振動を許す。主振動面との間に振動伝導弾性体を介在させて圧電バイモルフ素子を筐体構造内部に支持する。 （もっと読む）

【課題】アライメント精度を必要とせず簡単に作製でき、チャネル領域とのコンタクト面積を広く確保でき、しかも、閾値電圧等の特性を設計通りに発現させることができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】トレンチゲート型ＭＯＳトランジスタ１において、ゲートトレンチ３の開口幅がラッパ状に広がるように、ゲートトレンチ３の開口端に湾曲部１３を形成する。この湾曲部１３には、埋め込み絶縁膜２４を埋め込み、当該埋め込み絶縁膜２４をマスクとして利用して、Ｓｉエピタキシャル層８をエッチングすることにより、ゲートトレンチ３の湾曲部１３に対して自己整合的にコンタクトトレンチ４を形成する。 （もっと読む）

【課題】軽負荷状態において、スイッチング周波数が安定しているスイッチング電源を提供する。
【解決手段】誤差増幅器１０は、フィードバック信号Ｖ_ＦＢと、所定の基準電圧Ｖ_ＲＥＦとの誤差に応じた誤差信号Ｖ_ＥＲＲを生成する。第１オシレータ１２は、スロープ部分を有する第１周波数ｆ_１の第１周期信号Ｖ_ＯＳＣ１を生成する。第２オシレータ１４は、スロープ部分を有する第１周波数ｆ_１より低い第２周波数ｆ_２の第２周期信号Ｖ_ＯＳＣ２を生成する。第１パルス変調器１６は、誤差信号Ｖ_ＥＲＲに応じたパルス幅を有する第１パルス信号Ｓ１を生成し、かつそのパルス幅を第１最小パルス幅τ_ＭＩＮ１にてクランプする。第２パルス変調器２４は、誤差信号Ｖ_ＥＲＲに応じたパルス幅を有する第２パルス信号Ｓ２を生成する。合成部３０は、第１パルス信号Ｓ１と第２パルス信号Ｓ２を合成し、駆動パルス信号Ｓ５を生成する。 （もっと読む）

【課題】 より広い範囲を照らすことが可能なＬＥＤランプを提供すること。
【解決手段】 １以上のＬＥＤチップを有するＬＥＤ発光部２００と、ＬＥＤ発光部２００が搭載される搭載面４１１を有する基板４１０と、ＬＥＤ発光部２００を覆い、かつＬＥＤ発光部２００からの光を透過させるグローブ５００と、を備え、グローブ５００は、搭載面４１１の正面側に膨出しており、基板４１０からグローブ５００の頂点５０４に延びるｘ方向に沿った軸を回転対称軸Ｏ１とする回転対称形状を有する、ＬＥＤランプ１０１であって、グローブ５００の外周面には、それぞれが回転対称軸Ｏ１を中心とするリング状とされ、かつｘ方向に並ぶ複数の山形部５１０が設けられており、各山形部５１０は、ｘ方向寄りに位置し、かつＬＥＤ発光部２００からの光を屈折させる光路変更面５１１と、光路変更面５１１とは反対側に位置する接続面５１２と、を有する。 （もっと読む）