説明

ローム株式会社により出願された特許

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【課題】多くの基準電圧発生回路に適用することができ、出力電圧のみを容易に変化させることができる電圧発生回路及びその電圧発生回路を備えた電気機器を提供する。
【解決手段】電気機器Eに搭載される電圧生成回路1は、基準電圧発生回路2が接続される電圧可変回路3と、電圧分圧回路4と、レギュレータ回路5と、電圧検出回路6と、バッファ回路7とを備えている。電圧可変回路3は、可変抵抗R及びRを有し、可変抵抗R及びRを制御することによって、基準電圧発生回路2から出力される基準電圧Vbをレギュレータ回路5及び電圧検出回路6に入力される可変電圧Vに変換する。 (もっと読む)


【課題】視感度特性に近い分光感度特性を有し、分光感度特性を視感度特性に近づけるための光学フィルタを不要とすることができる、受光素子を提供すること。
【解決手段】受光素子1では、n型基板2の表層部にp型層3が埋設され、そのp型層3の表層部にn型層4が埋設されている。そして、p型層3に接続された第2アノード電極8とn型層4に接続された第2カソード電極9とが配線14で接続されることにより、p型層3とn型層4とのpn接合からなる第2のフォトダイオードPD2は、そののアノード−カソード間が短絡されている。これにより、受光素子1からは、n型基板2とp型層3とのpn接合からなる第1のフォトダイオードPD1での光電変換によって生じる光電流のみが、n型基板2に接続された第1カソード電極6から光検出信号として出力される。 (もっと読む)


【課題】過電圧保護機能を備えた充電回路を提供する。
【解決手段】外部電源210からの電源電圧Vddにもとづいて電池220を充電する充電回路200aにおいて、充電トランジスタTr1は、外部電源210から電池220への経路上に設けられる。充電制御回路100aは、半導体基板上に集積化され、充電トランジスタTr1のオン状態を調節して、電池220に供給する充電電流Ichgを調節する。電圧調節回路110は、外部電源210から充電制御回路100aの電源端子104への電力供給の経路上に設けられ、必要な電圧降下を生成する。電流調節回路20は、電池220の電圧が、所定の電圧値に近づくように、充電トランジスタTr1のオン状態を調節する。クランプ回路10は、充電制御回路100aの電源端子104の電圧を、所定のクランプ電圧以下にクランプする。 (もっと読む)


【課題】所望の信号を安定にモニタする。
【解決手段】テストセレクト回路10は、半導体集積回路に集積化され、半導体集積回路のテスト時において、内部に現れる複数のデジタル信号から、ひとつを選択して外部にテスト出力端子114を介して出力する。選択レジスタ12は、リセット機能を無効化することが可能な複数のフリップフロップ回路FF1〜FF7を含む。制御回路16は、フリップフロップ回路FF1〜FF7のデータ端子それぞれに、外部からの制御信号Scntに応じた制御データDcntを出力する。セレクタ回路14は、デジタル信号SIG1〜SIGnから、選択信号Sselの論理レベルに対応付けられたひとつを選択して出力する。フリップフロップ回路FF1〜FF7のリセット機能は、少なくとも、通常テスト時において無効化される。 (もっと読む)


【課題】デバイス特性の劣化を伴うことなくサイドウォールを形成することができる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板1上に高誘電率膜よりなるゲート絶縁膜5とポリシリコン膜を形成する。そして、ポリシリコン膜をパターニングすることにより、シリコンゲート電極6a、6bを形成する。続いて、半導体基板1上に酸化アルミニウム膜7および窒化シリコン膜よりなる積層膜を形成する。その後、窒化シリコン膜を異方性ドライエッチングすることにより、シリコンゲート電極6a、6bの側壁にだけ窒化シリコン膜8aを残す。このとき、窒化シリコン膜の下層に形成されている酸化アルミニウム膜7がエッチングストッパとして機能する。次に、露出した酸化アルミニウム膜7を希フッ酸でウェットエッチングする。 (もっと読む)


【課題】監視電圧の状態に応じて、適切に起動シーケンスを実行する。
【解決手段】電圧比較部20は、電池電圧Vbatを、所定のしきい値電圧Vthと比較し、比較信号S_UVLOを出力する。シーケンス回路16は、比較信号S_UVLOと、UVLO回路10が搭載される機器の起動を指示する起動信号PWR_ONと、を受け、電池電圧Vbatがしきい値電圧Vthより高い状態において、起動信号PWR_ONにより起動が指示されると、所定のシーケンスを実行する。電圧制御部18は、比較信号S_UVLOおよび起動信号PWR_ONにもとづき、しきい値電圧Vthを切り換える。 (もっと読む)


【課題】高輝度化を図ることが可能な半導体発光素子アレイおよびこれを用いた照明用器具を提供すること。
【解決手段】それぞれがn−GaN層2、活性層3、およびp−GaN層4を有する複数の半導体発光素子Edを備えた半導体発光素子アレイAであって、複数の半導体発光素子Edは、SiCからなる基板1上に形成されており、基板1のうち複数の半導体発光素子Edが搭載された面とは反対側の面が、光出射面1aとされている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、複数の負荷に各々駆動電流を供給する複数のドライバ回路を備えた負荷駆動装置において、各ドライバ回路相互間における異常保護動作の連携を図ることで、その安全性や信頼性を向上することが可能な負荷駆動装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る負荷駆動装置1は、複数の負荷2に各々駆動電流を供給する複数のドライバ回路11〜15を備えた多チャンネルの負荷駆動装置であって、前記複数のドライバ回路11〜15のうち、少なくとも一は、自身に異常が生じたときだけでなく、他のドライバ回路に異常が生じたときにも、自身の出力動作を制限または停止する構成とされている。 (もっと読む)


【課題】外部メモリからのデータ取得を効率的に行うことができるとともに、BB−CPUに相当する制御装置の負荷を低減させ得る情報処理装置の提供を目的とする。
【解決手段】外部メモリに格納されている外部データを取得し、これに所定の第1処理を行う情報処理装置であって、外部から伝送される取得制御情報を格納する記憶手段と、該取得制御情報に応じて、前記外部データの取得処理を制御する取得制御手段と、を備えた情報処理装置とする。 (もっと読む)


【課題】迅速に且つ確実に封着室を減圧することが可能な封着容器の製造方法を提供する。
【解決手段】アノード基板18を一対のバネ63によって支持し、アノード基板18と封着材17との間に隙間Gを形成する。この状態で、減圧室に搬送して設置して減圧室を減圧する。ここで、隙間Gを介してゲッタ室22及び撮像室23も減圧される。その後、アノード基板18を底板11の方向に押圧して、アノード基板18を封着材17によって封着する。これによって、底板11とアノード基板18の間にゲッタ室22及び撮像室23が形成された封着容器2が完成する。 (もっと読む)


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