本発明は、分離及び秤量を効率的かつ簡便に行うことができる検査チップを提供することを目的とする。第１及び第２回転軸を中心とする回転により試料中の対象成分を分離・秤量する秤量チップであって、前記秤量チップを前記第１回転軸を中心として回転させることにより、前記試料から前記対象成分を遠心分離する遠心分離管と、前記遠心分離管の底部に設けられており、前記第１回転軸を中心とした回転により前記試料中の前記対象成分以外の成分（以下、非対象成分という）が導入され、前記第２回転軸を中心とした回転において前記非対象物質を保持する第１保持部と、前記遠心分離管の一方の端部に接続され、前記第２回転軸を中心とした回転により前記遠心分離管から導入される前記対象成分を秤量する秤量部とを含む秤量チップを提供する。 （もっと読む）

サーマルプリントヘッド（Ａ１）は、絶縁基板（１）と、上記絶縁基板（１）上に形成されるとともに、複数の櫛歯部（３１ａ）を有する共通電極（３１）と、上記絶縁基板（１）上に形成された複数の個別電極（４１）と、当該絶縁基板（１）上に形成されるとともに、上記櫛歯部（３１ａ）および上記個別電極（４１）に電気的に導通している抵抗体層（５１）と、を備える。上記抵抗体層（５１）は薄膜であり、上記共通電極（３１）および複数の個別電極（４１）は厚膜である。 （もっと読む）

光制御装置８の画素１０には、現フレームの輝度値を記憶する第一の記憶素子１８と、次のフレームの輝度値を記憶する第二の記憶素子１６と、第二の記憶素子１６に記憶された輝度値を第一の記憶素子１８に転送して画素１０の輝度値を変更するスイッチ素子である第一のトランジスタ１４と、がそれぞれ設けられる。制御部６０は、複数の画素１０が第一の記憶素子１８に保持された輝度値に応じて発光している間に、各画素１０の第二のトランジスタ１２を順次オンとして第二の記憶素子１６に次のフレームの輝度値の書き込みを行う。 （もっと読む）

重負荷の場合に十分な電流を供給し、負荷が変動した場合に過渡応答を高速にすることができる低消費電力の電源装置を提供する。この電源装置１は、出力端子（ＶＴＴ出力端子）へ電力を供給する入力電源（ＶＴＴ＿ＩＮ）と接地電位の間に設けられたＮＭＯＳ型出力トランジスタ１１、１２と、基準電圧（ＶＲＥＦ）を生成する基準電圧生成回路６と、出力電源電圧（ＶＴＴ）をフィードバック入力し、基準電圧（ＶＲＥＦ）と比較して、ＮＭＯＳ型出力トランジスタ１１、１２をそれぞれ制御する差動増幅回路１３、１４と、を備え、差動増幅回路１３、１４は、出力電源電圧（ＶＴＴ）にＮＭＯＳ型トランジスタ１１、１２がともにオフする電圧範囲を設けるべく、入力される基準電圧（ＶＲＥＦ）と出力電源電圧（ＶＴＴ）との間に入力オフセット電圧を持たせる。 （もっと読む）

本発明に係る半導体集積回路装置であるリセットＩＣ（１）は、入力電圧（Ｖｉｎ）を基準電圧と比較して入力電圧（Ｖｉｎ）の立ち上がり、立ち下がりを検出する検出回路（４）と、検出回路（４）からの立ち上がり検出信号を、接続端子（ＣＴ）を介して接続されたコンデンサ（Ｃ）を充電することにより遅延させるとともに第１電圧の出力信号（Ｖｏｕｔ）が与えられることによりコンデンサ（Ｃ）を放電する遅延回路（８）と、遅延回路（８）により遅延された立ち上がり検出信号を保持する保持回路（９）と、保持回路（９）で保持された立ち上がり検出信号により第１電圧となる出力信号（Ｖｏｕｔ）を生成するとともに検出回路（４）からの立ち下がり検出信号により第２電圧となる出力信号（Ｖｏｕｔ）を生成するドライバ（１０）を備える。 （もっと読む）

本発明の誘電体磁器組成物は、ＢａＴｉＯ_３を１００モル部、ＭｎＯをｘ_１モル部、Ｃｒ_２Ｏ_３をｘ_２モル部、Ｙ_２Ｏ_３および／またはＨｏ_２Ｏ_３をｘ_３モル部、ＢａＯ，ＣａＯ，ＳｒＯからなる群より選択される酸化物をｘ_４モル部、ＳｉＯ_２および／またはＧｅＯ_２をｘ_５モル部含み、０．５≦ｘ_１≦４．５、０．０５≦ｘ_２≦１．０、ｘ_１＋ｘ_２≦４．５５、０．２５≦ｘ_３≦１．５、０．５≦ｘ_４≦６、および０．５≦ｘ_５≦６を満たす。本発明の積層型セラミックコンデンサは、このような組成物により構成されるセラミック誘電体と、ＮｉまたはＮｉ合金により構成される電極とからなる、積層構造を有する。 （もっと読む）

半導体集積回路装置１において、シフトレジスタＳＲ１のフリップフロップＦＦ６４の出力とシフトレジスタＳＲ２のフリップフロップＦＦ６５の入力との間を電気的に接離するトランジスタスイッチＳＷＡと、入力ドライバＤｉｎ２とフリップフロップＦＦ６５の入力との間を電気的に接利するトランジスタスイッチＳＷＢを備える。このとき、シフトレジスタＳＲ１，ＳＲ２を連結するとき、選択信号によってトランジスタスイッチＳＷＡをＯＮとするとともにトランジスタスイッチＳＷＢをＯＦＦとする。 （もっと読む）

【課題】 グランドを参照する差動線路とグランドを参照しない差動線路を接続して、数十ＧＨｚ帯のデジタル高速信号を差動線路を介して伝送する。
【解決手段】信号伝送線路を介して回路ブロック間でデジタル信号の伝送を行う信号伝送システムにおいて、各回路ブロックはそれぞれ機能回路と分離された構成の受送信回路を備え、受信端と送信端の間がインピーダンス整合した伝送線路１１５であることを基本構成とし、差動出力ドライバから導出されたグランド参照差動線路１０５を上記回路ブロック内でグランド１１０を中心にして差動信号の線路を対称に配置した構成とし、上記信号伝送線路１１５内ではグランド１１０を参照しない差動ペア線路１１１，１１２のみが前記グランド１１０を中心とする対称構造の線路から直接延長された構造とする。 （もっと読む）

光制御装置８は、基板３２と、絶縁膜３８と、第一のトランジスタ１４と、絶縁膜３８上に設けられた反射膜４４と、反射膜４４上に設けられた光変調膜４６と、光変調膜４６に配して二次元に配置された複数の電極対４８および４９と、第一の電極４８の上に設けられた偏光板５２とを有する。ここで、光変調膜４６は、印加された電界の大きさにより屈折率が変化する材料により構成される。このような材料として、Ｐｂ、Ｚｒ、ＴｉおよびＬａを構成元素として含むＰＬＺＴを用いることができる。 （もっと読む）

固体電解コンデンサ（Ａ１）は、金属粒子又は導電性セラミック粒子の多孔質焼結体（１０）と、多孔質焼結体（１０）内に一部が進入した陽極ワイヤ（１１Ａ，１１Ｂ）と、陽極ワイヤ（１１Ａ，１１Ｂ）のうち多孔質焼結体（１０）から突出する部分により形成された陽極端子と、多孔質焼結体（１０）の表面に形成された陰極（３０）とを備える。上記陽極端子は、第１及び第２の陽極端子（１１ａ，１１ｂ）からなり、多孔質焼結体（１０）を第１の陽極端子（１１ａ）から第２の陽極端子（１１ｂ）に向けて回路電流が流れる構成とされている。このことにより、広い周波数帯域においてノイズ除去特性を向上させ、高い応答性で大容量の電力供給を行なうことが可能となる。また、固体電解コンデンサ（Ａ１）が用いられた電気回路において、基板上のスペース効率の向上とコスト低減とを図ることができる。 （もっと読む）