【課題】スキャニング動作時の発光素子の輝度を安定化する。
【解決手段】誤差増幅器１０は、ｎ個のＬＥＤ端子それぞれの電圧Ｖ_ＬＥＤ１〜Ｖ_ＬＥＤｎのうち最も低い電圧と所定の基準電圧Ｖ_ＲＥＦの誤差にもとづき、基準電圧Ｖ_ＲＥＦの方が高いときに誤差に応じたソース電流Ｉ_ＳＲＣを生成し、基準電圧Ｖ_ＲＥＦの方が低いときに誤差に応じたシンク電流Ｉ_ＳＩＮＫを生成し、ＦＢ端子に生ずるフィードバック電圧Ｖ_ＦＢを変化させる。誤差増幅器１０は、ソース電流Ｉ_ＳＲＣとシンク電流Ｉ_ＳＩＮＫの両方を生成可能な第１状態φ１と、ソース電流Ｉ_ＳＲＣのみ生成可能な第２状態φ２と、が切りかえ可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、振動子から検出した信号に含まれる不正振動ノイズの影響を抑え、予め定められた値以上のＳＮ比を確保して歩留まりを改善することができる角速度検出装置を提供する。
【解決手段】本発明は、コリオリ力に応じた電気信号ＳＲ，ＳＬと、コリオリ力に応じて変化しない基準信号ＦＢとを検出することが可能な振動子と、振動子を駆動する駆動回路２と、振動子から検出した電気信号ＳＲ，ＳＬに対して予め定められた処理を行ない角速度を検出する検出回路１とを備える角速度検出装置である。検出回路１は、振動子から検出した電気信号ＳＲ，ＳＬと基準信号ＦＢとの差分演算を行ない、電気信号ＳＲ，ＳＬから振動子に生じている不正振動によるノイズを除去する駆動ノイズキャンセル回路１２を有している。 （もっと読む）

【課題】オーディオ信号処理回路１００のノイズを抑制する。
【解決手段】非反転アンプ１４は、第３演算増幅器ＯＡ３および分圧回路Ｒ１、Ｒ２を含み、第１バッファ１０の出力電圧を非反転増幅する。スイッチＳＷ２は、第３演算増幅器ＯＡ３の出力端子とその反転入力端子の間に設けられる。制御回路２０は、第２電源電圧ＶＣＣ２が所定のしきい値電圧より低いときにスイッチＳＷ２をオンし、第２電源電圧ＶＣＣ２がしきい値電圧より高いときにスイッチＳＷ２をオフする。 （もっと読む）

【課題】近接センサ及び照度センサを１チップ化する場合、チップ面積を削減することができる光検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】受光部は、第１の受光素子５０と第２の受光素子５１が半導体を用いて一体的形成されている。第１の受光素子５０と第２の受光素子５１に共通なｐ型基板１を備えている。第１の受光素子５０では、第１のフォトダイオードＰＤ１、第２のフォトダイオードＰＤ２、第３のフォトダイオードＰＤ３が受光面から異なる深さに形成されている。第２の受光素子５１は赤外線透過フィルタ２０を備え、第４のフォトダイオードＰＤ１１、第５のフォトダイオードＰＤ１２、第６のフォトダイオードＰＤ１３が受光面から異なる深さに形成される。可視光領域に感度ピークを有する第１の受光素子５０から出力される光電流と赤外線領域に感度ピークを有する第２の受光素子から出力される光電流から周囲光の照度を測定する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の微細化と表面電極の縮小化とを両立することができる半導体装置、および表面電極の大きさに関わらず、表面電極に対して貫通電極を確実にコンタクトさせることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｓｉ基板２９の表面１３に複数の絶縁膜リング３２を選択的に形成し、絶縁膜リング３２の開口４２に対向するように表面パッド３３を形成する。次に、Ｓｉ基板２９を裏面１４からエッチングすることにより、絶縁膜リング３２の開口４２を通過して表面パッド３３に達する貫通孔５６を形成し、貫通孔５６の側面にビア絶縁膜３５を形成した後、貫通孔５６に電極材料を充填することにより、表面パッド３３に電気的に接続されるように貫通電極１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】バースト調光の再点灯時の突入電流を抑制する。
【解決手段】ＰＷＭ＿ＡＬＬ＿Ｌ信号がアサートされるタイミングにて、第１サンプルホールド回路４０は、フィードバック電圧Ｖ_ＦＢをサンプルホールドして電圧Ｖ_ＦＢ＿Ｈを生成し、第２サンプルホールド回路５０は、検出電圧Ｖ_ＯＵＴ’をサンプルホールドしてしきい値電圧Ｖ_ＴＨを生成する。パルス変調器２０は、（i）ＰＷＭ＿ＡＬＬ＿Ｌ信号がネゲートされるときＦＢ端子に生ずるフィードバック電圧Ｖ_ＦＢにもとづき、(ii)ＰＷＭ＿ＡＬＬ＿Ｌ信号がアサートされるときサンプルホールドされたフィードバック電圧Ｖ_ＦＢ＿Ｈにもとづき、パルス信号Ｓ_ＰＷＭを生成する。スイッチングトランジスタＭ１は、Ｖ_ＯＵＴ’＜Ｖ_ＴＨのとき、またはＰＷＭ＿ＡＬＬ＿Ｌ信号がネゲートされるとき、パルス信号Ｓ_ＰＷＭにもとづいて駆動され、それ以外のときオフする。 （もっと読む）

【課題】抵抗膜方式タッチパネルにおいて、フリック入力を検出する。
【解決手段】座標検出部１１０は、第１端子Ｐ１から第４端子Ｐ４の状態にもとづき、ユーザが接触した座標を検出する。第１容量検出回路３０ｘは、第１端子Ｐ１および第２端子Ｐ２のひとつである第１検出端子と接続され、第１検出端子からみたパネルの容量を検出する。フリック入力判定部１２０は、第１検出端子の容量の時間波形にもとづき、第２方向に対するフリック入力の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】過電流保護値に適切な負の温度特性を持たせる。
【解決手段】過電流保護回路１８は、抵抗値の異なる抵抗Ａ１、Ａ２を含む抵抗部Ａと、抵抗Ａ１、Ａ２に現れる電圧Ｖ１、Ｖ２を比較して過電流保護信号Ｓ１を生成する比較部Ｂと、抵抗Ａ１、Ａ２にスイッチ素子１２の降下電圧（ＳＷ−ＰＧＮＤ）を印加する入力部Ｃと、電流値の等しい電流Ｉ１、Ｉ２を生成して抵抗Ａ１、Ａ２に供給する電流生成部Ｄとを有し、電流生成部Ｄは、抵抗Ａ１、Ａ２と同一の温度特性を有しており、温度特性のフラットな基準電圧ＢＧから基準電流Ｉｘを生成する抵抗Ｄ１０と；スイッチ素子１２と同一の温度特性を有しており、基準電流Ｉｘから基準電圧Ｖｘを生成する抵抗Ｄ７と；負の温度特性を有しており、基準電圧Ｖｘから基準電流Ｉｙを生成する抵抗Ｄ８と；基準電流Ｉｙから電流Ｉ１、Ｉ２を生成するカレントミラー（Ｄ１〜Ｄ４）と；を含む。 （もっと読む）

【課題】貫通電極におけるボイドの発生を防止することができ、従来に比べて信頼性の高い半導体装置およびその製造方法、ならびに電子部品を提供すること。
【解決手段】Ｓｉ基板２９上のゲート絶縁膜３０上に電極層５１を形成する。ゲート絶縁膜３０上に層間絶縁膜３１を形成した後、ダマシン法により電極層５１と同一パターンの下側配線４２と、反対パターンの下側絶縁膜４３を含む下側パッド４０を形成する。次に、貫通孔５９を形成し、同時に、貫通孔５９内に下側絶縁膜４３と同一パターンの突出部６０が形成された第１層間絶縁膜３２を露出させる。そして、突出部６０の一部がエッチング残渣として残るように第１層間絶縁膜３２をエッチングした後、ビア絶縁膜３８を形成し、貫通孔５９の底面のビア絶縁膜３８をエッチングする。次に、貫通孔５９のビア絶縁膜３８の内側に電極材料をめっき成長させることにより、貫通電極１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な構成で、静電容量を正確に検出することができる半導体装置およびそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、チップサイズパッケージ型半導体チップ２と、実装基板３と、検出対象物との間の静電容量を検出するための検出電極２０と、検出電極２０を取り囲むシールドとを含む。半導体チップ２は、内部回路８を構成する素子が作り込まれた半導体基板４と、半導体基板４の表面を封止する樹脂６と、樹脂６の表面から突出し、内部回路８に電気的に接続された突起電極７とを有する。実装基板３は、半導体チップ２の樹脂６の表面に対向して配置され、半導体チップ２がフリップチップ接合によって実装される実装面２１を有する。検出電極２０は、半導体チップ２または実装基板３に設けられており、シールドの少なくとも一部が実装基板３に設けられている。 （もっと読む）