説明

ローム株式会社により出願された特許

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【課題】過電流保護値に適切な負の温度特性を持たせる。
【解決手段】過電流保護回路18は、抵抗値の異なる抵抗A1、A2を含む抵抗部Aと、抵抗A1、A2に現れる電圧V1、V2を比較して過電流保護信号S1を生成する比較部Bと、抵抗A1、A2にスイッチ素子12の降下電圧(SW−PGND)を印加する入力部Cと、電流値の等しい電流I1、I2を生成して抵抗A1、A2に供給する電流生成部Dとを有し、電流生成部Dは、抵抗A1、A2と同一の温度特性を有しており、温度特性のフラットな基準電圧BGから基準電流Ixを生成する抵抗D10と;スイッチ素子12と同一の温度特性を有しており、基準電流Ixから基準電圧Vxを生成する抵抗D7と;負の温度特性を有しており、基準電圧Vxから基準電流Iyを生成する抵抗D8と;基準電流Iyから電流I1、I2を生成するカレントミラー(D1〜D4)と;を含む。 (もっと読む)


【課題】内部電源が送られる外部端子を有するものでありながら、内部電源生成回路の過熱をより確実に抑えることが容易となる半導体装置を提供する。
【解決手段】供給される外部電源を用いて駆動する半導体装置であって、前記外部電源を用いて第1内部電源を生成する第1内部電源生成回路と、第1内部電源が送られる外部端子と、第1内部電源を用いて駆動する第1サーマルシャットダウン回路と、第1内部電源とは異なる電源を用いて駆動する第2サーマルシャットダウン回路と、を備え、第2サーマルシャットダウン回路は、過熱を検出したときに、第1内部電源生成回路の動作を停止させる半導体装置とする。 (もっと読む)


【課題】バッテリから直接供給される電源電圧VCCに対応する。
【解決手段】LEDドライバ20は、入力電圧から出力電圧を生成してLEDに供給する昇降圧DC/DCコンバータを制御する昇降圧DC/DCコントローラブロックと、LEDの出力電流を生成するカレントドライバブロックを有し、昇降圧DC/DCコンバータは、スイッチN1及びN2と、ダイオードD2及びD3と、インダクタL2と、を含み、昇降圧DC/DCコントローラブロックは、V1〜V4とVLEDとの差分を増幅してVerrを生成するエラーアンプ217と、Vslpを生成するスロープ電圧生成部211と、VerrとVslpを比較して比較信号を生成するPWMコンパレータ212と、比較信号に基づいて駆動信号を生成するドライバ制御部213と、駆動信号に基づいてN1及びN2を各々オン/オフさせるドライバ214及び215を含む。 (もっと読む)


【課題】 過度な重量増を回避しつつ高精度な検査を実現しうる半導体ウエハ検査装置を提供すること。
【解決手段】 本願の半導体ウエハ検査装置は、鉛直方向上方を向く基準面210を有する定盤200と、定盤200によって自重の少なくとも一部が負担されており、x方向およびy方向に基準面210に沿って移動可能とされているとともに、集積回路が形成された機能面を有する半導体ウエハをこの機能面が鉛直方向上方を向く姿勢で支持するウエハ支持体300と、ウエハ支持体300をx方向およびy方向に移動させる移動手段400と、半導体ウエハの機能面を対象とした検査する検査ヘッドと、を備える。 (もっと読む)


【課題】モータの急減速時や正転/逆転切換時における電源電圧の上昇を抑制する。
【解決手段】モータ駆動装置10は、電源端とモータ30との間に接続された上側トランジスタ21U、21V、21W及びモータ30と接地端との間に接続された下側トランジスタ22U、22V、22W各々のオン/オフ制御を行うロジック回路12と、電源端に印加される電源電圧VCCと所定の保護設定値との比較結果に応じた過電圧保護信号を生成してロジック回路12に送出する過電圧保護回路18とを有し、ロジック回路12は、電源電圧VCCが保護設定値を上回ったときに上側トランジスタ21U、21V、21Wをオフとして下側トランジスタ22U、22V、22Wをオンとする。 (もっと読む)


【課題】より使用のしやすい携帯電話を提供する。
【課題を解決するための手段】外面に局部的な突出のない携帯電話上部の一対の角部を軟骨接触部とし、その振動の加速度または振幅が最も大きくなるよう軟骨伝導振動源の振動を伝達するとともに、非接触部については角部からの距離が大きくなるほど振動の加速度または振幅が単調減少するようにし、角部の1/4以下となることが可能なようにする。筐体に接触しないよう伝導振動源を硬質の軟骨接触部で保持し、この軟骨接触部と携帯電話筐体の間に弾性体を介在させる。Tコイルと軟骨伝送振動源を併用し、Tコイルが使用されるときには軟骨伝送振動源を振動させない。 (もっと読む)


【課題】低電流域のRonを低減でき、大電流域で伝導度変調を行えるMOSFETを備え、アプリケーションに最適なデバイス特性に制御できる半導体装置と製法を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、n−型ベース層2と、n−型ベース層2の表面部に部分的に形成されたp型ベース層4と、p型ベース層4の表面部に部分的に形成されたn型ソース層5と、n型ソース層5およびn−型ベース層2の間のp型ベース層4の表面に形成されたゲート絶縁膜6と、ゲート絶縁膜6を介してp型ベース層4に対向するゲート電極7と、p型ベース層4に連なるようにn−型ベース層2内に形成されたp型コラム層3と、n−型ベース層2の裏面部に部分的に形成されたp型コレクタ層10と、n型ソース層5に電気的に接続されたソース電極8と、n−型ベース層2およびp型コレクタ層10に電気的に接続されたドレイン電極11とを含む。 (もっと読む)


【課題】耐圧を確保しつつ、オン抵抗を下げることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】高抵抗で第1導電型の第1ベース層12と、第1ベース層の裏面に設けられた第1導電型のドレイン層10と、第1ベース層の表面に形成された第2導電型の第2ベース層16と、第2ベース層の表面に形成された第1導電型のソース層18と、ソース層および第2ベース層の表面上に配置されたゲート絶縁膜20と、ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極22と、ゲート絶縁膜の下面からドレイン層に向かって延伸して配置された第1導電型の電流導通層14と、ドレイン層に設けられたドレイン電極28と、ソース層および第2ベース層に設けられたソース電極26とを備え、電流導通層の側面と第2ベース層の最接近部との距離W1と、第2ベース層とドレイン層との垂直方向の距離W2との関係が、W1>W2となるように構成した。 (もっと読む)


【課題】発光素子を効率的に駆動可能な駆動回路を提供する。
【解決手段】基準電圧源34は、制御電圧VCNTおよびそれと連動する基準電圧VREFを生成する。電流設定端子ISETには、電流設定抵抗RSETが接続される。第2トランジスタM2の一端は電流設定端子ISETと接続される。電流電圧変換回路36は、第2トランジスタM2に流れる電流IM2を、第1の変換係数で制御電圧VCNTに変換するとともに、第2の変換係数で中間電圧Vbに変換する。第3誤差増幅器EA3、第3トランジスタM3、第2抵抗R2および第3抵抗R3は、中間電圧Vbに比例する基準電圧VREFを生成する。 (もっと読む)


【課題】PFC回路を有する電源装置の部品点数を削減する。
【解決手段】PFC回路200は、整流回路10からの交流電圧VAC’を受け、直流電圧VDDに変換する。第1スイッチSW1は、整流回路10の出力端子12と第2スイッチSW2の間に設けられる。制御回路210は、出力ラインOUTに生ずる直流電圧VDDに応じたフィードバック信号VFBと、整流回路10からの交流電圧VAC’に応じた電圧検出信号V1と、第2スイッチSW2に流れる電流IM2に応じた電流検出信号V2と、を受ける。制御回路210は、直流電圧VDDが所定の目標値に近づくように、かつ電流検出信号V2の波形が電圧検出信号V1の波形に近づくように、第2スイッチSW2をスイッチングするとともに、第2スイッチSW2と相補的に第1スイッチSW1をスイッチングする。 (もっと読む)


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