【課題】バースト調光の再点灯時の突入電流を抑制する。
【解決手段】ＰＷＭ＿ＡＬＬ＿Ｌ信号がアサートされるタイミングにて、第１サンプルホールド回路４０は、フィードバック電圧Ｖ_ＦＢをサンプルホールドして電圧Ｖ_ＦＢ＿Ｈを生成し、第２サンプルホールド回路５０は、検出電圧Ｖ_ＯＵＴ’をサンプルホールドしてしきい値電圧Ｖ_ＴＨを生成する。パルス変調器２０は、（i）ＰＷＭ＿ＡＬＬ＿Ｌ信号がネゲートされるときＦＢ端子に生ずるフィードバック電圧Ｖ_ＦＢにもとづき、(ii)ＰＷＭ＿ＡＬＬ＿Ｌ信号がアサートされるときサンプルホールドされたフィードバック電圧Ｖ_ＦＢ＿Ｈにもとづき、パルス信号Ｓ_ＰＷＭを生成する。スイッチングトランジスタＭ１は、Ｖ_ＯＵＴ’＜Ｖ_ＴＨのとき、またはＰＷＭ＿ＡＬＬ＿Ｌ信号がネゲートされるとき、パルス信号Ｓ_ＰＷＭにもとづいて駆動され、それ以外のときオフする。 （もっと読む）

【課題】内部電源が送られる外部端子を有するものでありながら、内部電源生成回路の過熱をより確実に抑えることが容易となる半導体装置を提供する。
【解決手段】供給される外部電源を用いて駆動する半導体装置であって、前記外部電源を用いて第１内部電源を生成する第１内部電源生成回路と、第１内部電源が送られる外部端子と、第１内部電源を用いて駆動する第１サーマルシャットダウン回路と、第１内部電源とは異なる電源を用いて駆動する第２サーマルシャットダウン回路と、を備え、第２サーマルシャットダウン回路は、過熱を検出したときに、第１内部電源生成回路の動作を停止させる半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】バッテリから直接供給される電源電圧ＶＣＣに対応する。
【解決手段】ＬＥＤドライバ２０は、入力電圧から出力電圧を生成してＬＥＤに供給する昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータを制御する昇降圧ＤＣ／ＤＣコントローラブロックと、ＬＥＤの出力電流を生成するカレントドライバブロックを有し、昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータは、スイッチＮ１及びＮ２と、ダイオードＤ２及びＤ３と、インダクタＬ２と、を含み、昇降圧ＤＣ／ＤＣコントローラブロックは、Ｖ１〜Ｖ４とＶＬＥＤとの差分を増幅してＶｅｒｒを生成するエラーアンプ２１７と、Ｖｓｌｐを生成するスロープ電圧生成部２１１と、ＶｅｒｒとＶｓｌｐを比較して比較信号を生成するＰＷＭコンパレータ２１２と、比較信号に基づいて駆動信号を生成するドライバ制御部２１３と、駆動信号に基づいてＮ１及びＮ２を各々オン／オフさせるドライバ２１４及び２１５を含む。 （もっと読む）

【課題】 過度な重量増を回避しつつ高精度な検査を実現しうる半導体ウエハ検査装置を提供すること。
【解決手段】 本願の半導体ウエハ検査装置は、鉛直方向上方を向く基準面２１０を有する定盤２００と、定盤２００によって自重の少なくとも一部が負担されており、ｘ方向およびｙ方向に基準面２１０に沿って移動可能とされているとともに、集積回路が形成された機能面を有する半導体ウエハをこの機能面が鉛直方向上方を向く姿勢で支持するウエハ支持体３００と、ウエハ支持体３００をｘ方向およびｙ方向に移動させる移動手段４００と、半導体ウエハの機能面を対象とした検査する検査ヘッドと、を備える。 （もっと読む）

【課題】モータの急減速時や正転／逆転切換時における電源電圧の上昇を抑制する。
【解決手段】モータ駆動装置１０は、電源端とモータ３０との間に接続された上側トランジスタ２１Ｕ、２１Ｖ、２１Ｗ及びモータ３０と接地端との間に接続された下側トランジスタ２２Ｕ、２２Ｖ、２２Ｗ各々のオン／オフ制御を行うロジック回路１２と、電源端に印加される電源電圧ＶＣＣと所定の保護設定値との比較結果に応じた過電圧保護信号を生成してロジック回路１２に送出する過電圧保護回路１８とを有し、ロジック回路１２は、電源電圧ＶＣＣが保護設定値を上回ったときに上側トランジスタ２１Ｕ、２１Ｖ、２１Ｗをオフとして下側トランジスタ２２Ｕ、２２Ｖ、２２Ｗをオンとする。 （もっと読む）

【課題】より使用のしやすい携帯電話を提供する。
【課題を解決するための手段】外面に局部的な突出のない携帯電話上部の一対の角部を軟骨接触部とし、その振動の加速度または振幅が最も大きくなるよう軟骨伝導振動源の振動を伝達するとともに、非接触部については角部からの距離が大きくなるほど振動の加速度または振幅が単調減少するようにし、角部の１／４以下となることが可能なようにする。筐体に接触しないよう伝導振動源を硬質の軟骨接触部で保持し、この軟骨接触部と携帯電話筐体の間に弾性体を介在させる。Ｔコイルと軟骨伝送振動源を併用し、Ｔコイルが使用されるときには軟骨伝送振動源を振動させない。 （もっと読む）

【課題】低電流域のＲ_ｏｎを低減でき、大電流域で伝導度変調を行えるＭＯＳＦＥＴを備え、アプリケーションに最適なデバイス特性に制御できる半導体装置と製法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、ｎ−型ベース層２と、ｎ−型ベース層２の表面部に部分的に形成されたｐ型ベース層４と、ｐ型ベース層４の表面部に部分的に形成されたｎ^＋型ソース層５と、ｎ^＋型ソース層５およびｎ−型ベース層２の間のｐ型ベース層４の表面に形成されたゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６を介してｐ型ベース層４に対向するゲート電極７と、ｐ型ベース層４に連なるようにｎ−型ベース層２内に形成されたｐ型コラム層３と、ｎ−型ベース層２の裏面部に部分的に形成されたｐ^＋型コレクタ層１０と、ｎ^＋型ソース層５に電気的に接続されたソース電極８と、ｎ−型ベース層２およびｐ^＋型コレクタ層１０に電気的に接続されたドレイン電極１１とを含む。 （もっと読む）

【課題】過電流保護動作などに伴う出力電圧の持ち上がりを抑えることが可能となる、スイッチングレギュレータを提供する。
【解決手段】一端に入力電圧が入力され、他端が出力端子に接続されたインダクタと、インダクタの他端に一端が接続され、他端が接地点に接続された第１スイッチング素子と、出力端子に一端が接続され、他端が接地点に接続されたコンデンサと、を備え、第１スイッチング素子のスイッチング動作により入力電圧を昇圧させて出力端子から出力するものであり、スイッチング動作を停止させて第１スイッチング素子をオフに保持する、スイッチ停止動作を行う制御部を備え、制御部は、スイッチ停止動作を行う際、スイッチング動作を停止させる時、第１スイッチング素子を、所定の設定時間だけオンに維持した後にオフに保持するスイッチングレギュレータとする。 （もっと読む）

【課題】異なる電源からの複数の直流電圧にもとづき、高効率で電池を充電する。
【解決手段】第１電圧検出回路１６は、第１入力端子ＤＣの電圧が所定の第１しきい値電圧より高いときにアサートされる第１入力検出信号ＤＥＴ＿ＤＣを生成する。第２電圧検出回路１８は、第２入力端子ＵＳＢの電圧が所定の第２しきい値電圧より高いときにアサートされる第２入力検出信号ＤＥＴ＿ＵＳＢを生成する。入力セレクタ２０は、第１入力検出信号ＤＥＴ＿ＤＣと第２入力検出信号ＤＥＴ＿ＵＳＢにもとづいて、第１入力端子ＤＣと第２入力端子ＵＳＢの一方の電圧を選択する。ＤＣ／ＤＣコンバータ３０は、入力セレクタ３０の出力電圧ＶＩＮを降圧し、システム電圧ＶＳＹＳを生成する。リニアチャージャ５０は、システム電圧ＶＳＹＳを受け、電池２を定電流モードまたは定電圧モードで充電する。 （もっと読む）

【課題】耐圧を確保しつつ、オン抵抗を下げることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】高抵抗で第１導電型の第１ベース層１２と、第１ベース層の裏面に設けられた第１導電型のドレイン層１０と、第１ベース層の表面に形成された第２導電型の第２ベース層１６と、第２ベース層の表面に形成された第１導電型のソース層１８と、ソース層および第２ベース層の表面上に配置されたゲート絶縁膜２０と、ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極２２と、ゲート絶縁膜の下面からドレイン層に向かって延伸して配置された第１導電型の電流導通層１４と、ドレイン層に設けられたドレイン電極２８と、ソース層および第２ベース層に設けられたソース電極２６とを備え、電流導通層の側面と第２ベース層の最接近部との距離Ｗ１と、第２ベース層とドレイン層との垂直方向の距離Ｗ２との関係が、Ｗ１＞Ｗ２となるように構成した。 （もっと読む）