説明

ローム株式会社により出願された特許

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【課題】電極部にCuメッキ層と半田層やSnメッキ層を形成する場合に、半田食われを防ぐとともに、密着性を向上させた電子部品の電極構造を提供する。
【解決手段】抵抗体1の裏面10bに、互いに間隔を隔てた一対の電極部50が設けられ、かつ一対の電極部50間には絶縁層2Aが設けられている。電極部50は、電極層3と電極層3上に積層されたメッキ電極層とで構成される。メッキ電極層は、銅メッキ層31、スズメッキ層32、ニッケルメッキ層33、スズを含むメッキ層34を有している。 (もっと読む)


【課題】 ワイヤの断線を抑制することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体チップ200と、半導体チップ200が搭載されたアイランド部320、および端子部350を有するリード310と、樹脂パッケージ400と、を備えた半導体装置101であって、リード300は、アイランド部320と端子部350とを繋ぐ連結部330と、端子部350に対して連結部330とは離間した位置に繋がり、端子部350側から樹脂パッケージ400内方に進入するワイヤボンディング部340と、をさらに有しており、半導体チップ200とワイヤボンディング部340とが、ワイヤ500によって接続されている。 (もっと読む)


【課題】、サイズの大きなセンサを用いたタッチ式入力装置において、座標判定の精度を改善する。
【解決手段】ピーク検出部16は、複数のセンサ電極SEそれぞれの静電容量を示す複数の容量値データC1,1〜CM,Nにもとづき、容量値が最大となるセンサ電極を特定し、特定したセンサ電極を示すピークデータPEAKを生成する。演算処理部18は、ピークデータPEAKが示すセンサ電極と、それから近い順に選択される(k−1)個(kは2以上の自然数)のセンサ電極に関して、i番目(1≦i≦k)のセンサ電極の容量値データをC、i番目のセンサ電極のX座標をX、i番目のセンサ電極のY座標をYと書くとき、ユーザが接触したX座標およびY座標を、式(1a)、(1b)により算出する。
x=Σi=1〜k(C×X)/Σi=1〜k …(1a)
y=Σi=1〜k(C×Y)/Σi=1〜k …(1b) (もっと読む)


【課題】撮像デバイスに及ぼすノイズの影響を低減可能な、アクチュエータの駆動回路を提供する。
【解決手段】駆動回路100は、撮像デバイス6とともに使用されるリニアアクチュエータ3を駆動する。パルス幅変調器10は、リニアアクチュエータ3の目標ストローク量を指示する指令値S1に応じたデューティ比を有するパルス信号S2を生成する。ブリッジ回路16は、パルス信号S2に応じてスイッチングし、リニアアクチュエータ3に駆動電流Idrvを出力する。パルス信号S2の周波数fPWMは、撮像デバイス6の水平走査周波数fHSYNCの実質的に(2×K−1)/2倍(Kは自然数)である。 (もっと読む)


【課題】より使用のしやすい携帯電話を提供する。
【解決手段】振動源の振動を携帯電話の外壁表面に伝達するとともに耳輪への接触なしに外壁表面を外耳道入口部周辺の耳軟骨の少なくとも一部に接触させたとき、非接触状態に比べ、外耳道内における音圧がボリューム変更なしに少なくとも10dB増加する。接触圧を変化させれば音圧がボリューム変更なしに少なくとも5dB変化する。外耳道入口部の閉鎖により、非接触状態に比べ外耳道内における音圧がボリューム変更なしに少なくとも20dB増加する。静かな部屋において非接触でボリュームを最小にして発生させた純音がマスクされる狭帯域雑音レベルから雑音レベルを上げてもボリューム変更なしに純音を聞くことができる。 (もっと読む)


【課題】 光の輝度を高めつつ、かつ、部品数の削減を図ることが可能なLED光源装置を提供する。
【解決手段】 LED光源装置A1は、複数のLEDチップ40と、複数のLEDチップ40を支持する基板10および絶縁部材20を備えている。基板10は、z方向における一方側を向く主面11を有しており、基板10には、z方向における他方側へ凹む複数の凹部12が形成されており、複数のLEDチップ40のいずれかである第1のLEDチップ40が、上記複数の凹部12のいずれかである第1の凹部12に設置されている。LED光源装置A1は、絶縁部材20の主面21に設けられ、第1のLEDチップ40と導通する金属膜30と、第1のLEDチップ40を覆うように第1の凹部12に充填された第1の透光樹脂510とを備えている。 (もっと読む)


【課題】強誘電体層中の金属原子がシリコン層に拡散することを抑制または防止して、小型化および特性の向上を図ることができる構造のシリコン装置を提供する。
【解決手段】シリコン装置としてのインクジェットプリンタヘッド1は、シリコン基板2と、シリコン基板2上に形成された酸化シリコン層5Bと、酸化シリコン層5B上に形成された拡散防止膜70と、拡散防止膜70上に設けられた圧電素子6とを含む。シリコン基板2にはインク溜まりとしての加圧室62が形成されており、その天面部の薄いシリコン層5Aと酸化シリコン層5Bとが振動膜5を構成している。圧電素子6は、拡散防止膜70に接する下部電極7と、下部電極7上に設けられた圧電体層8と、圧電体層8上に設けられた上部電極9とを含む。拡散防止膜70は、圧電体層8中の金属原子の拡散を防ぐ。 (もっと読む)


【課題】出力クロック信号の周波数制御を精度良く行うことが容易となるPLL回路を提供する。
【解決手段】流出または流入の出力電流を出力するものであって、パルス信号に応じて前記出力電流のオン/オフが切替えられるチャージポンプと、周期性を有する多値の参照信号に応じて前記パルス信号を生成する、パルス信号生成部と、を備え、前記出力電流に応じた出力クロック信号を生成するPLL回路であって、前記参照信号に応じて前記出力電流の電流量を調節する、電流量調節部を備えたPLL回路とする。 (もっと読む)


【課題】低コストで高い耐熱性ワイヤレス接合を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実装基板8と、実装基板8上に配置された信号配線電極12と、実装基板8上に若しくは実装基板8を貫通して配置されたパワー配線電極6と、信号配線電極12と電気的に接合可能なゲートパッド電極GPおよびパワー配線電極6と電気的に接合可能なソースパッド電極SPを有する半導体デバイス16と、信号配線電極12とゲートパッド電極GPとの間に配置された第1金属粒子接合層18Gと、パワー配線電極6とソースパッド電極SPとの間に配置された第2金属粒子接合層18Sとを備え、半導体デバイス16が実装基板8上にフリップチップ接続された半導体装置1およびその製造方法。 (もっと読む)


【課題】 ホログラム領域の読み取りが可能でありつつ、薄型化を図ることが可能なイメージセンサモジュールを提供すること。
【解決手段】 イメージセンサモジュール101は、主走査方向xに配列された複数の受光部を有するセンサIC500と、読み取り対象物890から向かってきた光をセンサIC500に結像させるレンズユニット400と、副走査方向yにおいてレンズユニット400に対して離間した位置に置かれた主走査方向xに延びる出射面283Aを有し、この出射面283Aから主走査方向xに延びる線状光を読み取り対象物890に向けて出射する光源ユニット200Aと、副走査方向yにおいてレンズユニット400と出射面283Aとの間に置かれた主走査方向xに延びる出射面283Bを有し、この出射面283Bから主走査方向xに延びる線状光を読み取り対象物890に向けて出射する光源ユニット200Bと、を備える。 (もっと読む)


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