【課題】ＬＥＤモジュールの小型化および長寿命化を図ることが可能なＬＥＤモジュールの製造方法およびＬＥＤモジュールを提供すること。
【解決手段】リードと、上記リードの表面に搭載されたＬＥＤチップ２と、上記リードの一部を覆い、かつ上記リードの面内方向において上記ＬＥＤチップ２を離間して囲む反射面６１を有するケース６と、を備えるＬＥＤモジュールの製造方法であって、リード１Ａ’，１Ｂ’にＬＥＤチップ２を搭載する工程と、ＬＥＤチップ２を搭載する工程の後に、ケース６を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】固体電界コンデンサ素子の含浸性を向上させ、静電容量や誘電損失といった電気的特性を向上させることが可能な多孔質焼結体を有する固体電界コンデンサ素子、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】弁作用金属の粉末で多孔質に形成され、かつ陽極ワイヤの一端を埋設した第１焼結体と、弁作用金属の粉末で多孔質に形成され、前記粉末の平均粒径が前記第１焼結体を形成した粉末の平均粒径より小さく、かつ前記陽極ワイヤの一端が埋設した側と対向する側において前記第１焼結体の少なくとも一部が露出するように前記第１焼結体の周りに形成された第２焼結体と、を含む多孔質焼結体を有する。 （もっと読む）

【課題】サービススタンドで給油パイプの接続を検出した時は、緊急充電操作をしない限り、給油パイプと一体型等の充電ケーブルが接続されても、家庭での充電を前提とする深夜電力契約をしていれば充電をスタートさせない。
【解決手段】充電ケーブルの接続と深夜充電の時間モニタを連動させる。深夜充電のために接続しておいたケーブルが翌朝外されずにそのまま接続状態になっていると車両が発進できないようにする。プラグインハイブリッド車両においてモータ走行をエンジン走行に切換える充電レベルを複数選択できる。電力と燃料の同時供給時において、充電ケーブル破損時は給油を禁止してスパーク等による引火を防止する。 （もっと読む）

【課題】電源が遮断されても機能を維持可能なＰＬＤを提供する。
【解決手段】リコンフィギュアラブル回路１０は、その回路形態がコンフィギュレーションデータＣＯＮＦに応じて設定される。コンフィギュレーションメモリ２０は、リコンフィギュアラブル回路１０と付随して設けられ、リコンフィギュアラブル回路１０のコンフィギュレーションを設定するコンフィギュレーションデータＣＯＮＦを保持する。コンフィギュレーションメモリ２０は、コンフィギュレーションデータＣＯＮＦの各データを保持する複数のメモリセルを含む。各メモリセルは、フリップフロップＦＦと、対応するフリップフロップの状態を保持する不揮発性メモリＭｎｖを含む。複数のメモリセルのフリップフロップは、デイジーチェインを構成するように直列に接続され、コンフィギュレーションデータＣＯＮＦが、当該デイジーチェインを経由してロード可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】高速化されたバイポーラ型半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
コレクタ領域１０と、コレクタ領域１０上に配置されたベース領域１２と、ベース領域１２上に配置されたエミッタ領域１４と、ベース領域１２上に配置され、エミッタ領域１４と共通に形成されたエミッタパッド領域３４と、ベース領域１２上に配置され、複数のベースコンタクトＣＢを介してベース領域１２と接続されたベース電極２０と、エミッタ領域１４上に配置されたエミッタ電極１８と、ベース領域１２近傍のエミッタパッド領域３４上に配置されたエミッタパッド電極２４とを備えるバイポーラ型半導体装置およびその製造方法であり、さらにエミッタパッド領域３４上に配置された絶縁層２６を備えていても良く、その際、エミッタパッド電極２４は、絶縁層２６上に配置される。 （もっと読む）

【課題】検出精度が高く、且つ小型の光ジャイロセンサを提供する。
【解決手段】基板１と、リング状の光路を構成するように基板１上に配置され、第１レーザ光Ｌ１と第２レーザ光Ｌ２が互いに異なる周回方向に伝搬する光導波路２０と、光導波路２０を囲むように基板１上に配置され、光導波路２０から第１レーザ光Ｌ１と第２レーザ光Ｌ２のそれぞれ一部が移行する光取り出し距離ｄ_Aで光取り出し長Ｌ_Aにわたって光導波路２０の一部に隣接して配置された光取り出し部３０１を有する検出路３０と、光導波路２０から光取り出し部３０１に移行した第１レーザ光Ｌ１と第２レーザ光Ｌ２のそれぞれ一部が合波して検出路３０に生じるビート信号を検出する信号検出器４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ミュート解除時のノイズを抑制する。
【解決手段】増幅部１０は、カップリングキャパシタＣ１を介して入力されたオーディオ信号Ｓ１を増幅する。充電回路２０は、増幅部１０の入力端子１０２に接続されるカップリングキャパシタＣ１の一端を充電する。電流検出部４０は、充電回路２０からカップリングキャパシタＣ１に対する充電電流Ｉｃをモニタする。バイパススイッチＳＷ１は、増幅部１０の出力端子側の第１ノードＮ１と、増幅部１０の入力端子１０２側の第２ノードＮ２との間に設けられる。バイパススイッチＳＷ１は、電流検出部４０により充電電流Ｉｃが所定のしきい値より小さくなったことが検出されると、オンからオフに切りかえられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高性能でかつ閾値電圧の低い半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板に形成され、ＮＭＯＳトランジスタが形成されるＮＭＯＳ形成領域とＰＭＯＳトランジスタが形成されるＰＭＯＳ形成領域とを絶縁分離する素子分離領域と、該基板上に形成されたＨｉｇｈ−ｋ材料からなるＮＭＯＳおよびＰＭＯＳのゲート絶縁膜と、該ＮＭＯＳのゲート絶縁膜上に形成されたＮＭＯＳゲート電極と、該ＰＭＯＳゲート絶縁膜上に形成された第１ニッケルシリサイド層と、該第１ニッケルシリサイド層上に形成され、該第１ニッケルシリサイド層よりも厚くかつ該第１ニッケルシリサイド層よりニッケル密度が大きい第２ニッケルシリサイド層と、を有するＰＭＯＳゲート電極と、該ＮＭＯＳゲート電極および該ＰＭＯＳゲート電極の側壁に形成されたサイドウォールスペーサとを備える。 （もっと読む）

【課題】型名などを容易にかつ確実に印字する半導体装置の印字方法を提供する。
【解決手段】本発明によって提供される半導体装置の印字方法は、半導体チップ１と、この半導体チップ１を覆う樹脂パッケージ５とを含む半導体装置Ａに対して、その表面に印字するための印字方法であって、樹脂パッケージ５の表面に溝部６を形成する工程と、溝部６の内部に樹脂パッケージ５に対して識別可能な熱硬化性樹脂７を充填する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド系樹脂からなるコア層を反応性イオンエッチング法によりエッチングする際に、光導波路コアの下端部にクラックが入らず、光導波路コアの側面部が粗面化しないので、また、低温で焼成されたポリイミド系樹脂からなるコア層であっても、コア層上に形成されたマスク層をパターニングする工程で、コア層にクラックが生じないので、導波損失が非常に小さい光導波路を製造する方法を提供すること。
【解決手段】基板上に各々ポリイミド系樹脂からなる下部クラッド層、光導波路コアおよび上部クラッド層が形成された光導波路を製造するにあたり、パターニングしたマスク層として無機材料からなるドライマスクを用い、かつ、エッチングガスとしてハロゲン系ガスを用いて、ポリイミド系樹脂からなるコア層を反応性イオンエッチング法によりエッチングして光導波路コアを形成する。 （もっと読む）