【課題】小型化、薄型化を図る場合であっても、絶縁材料からなる基板の破損等の不具合を回避することが可能なチップ抵抗器およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁材料からなる基板１と、基板１の一面１ａ側に形成され、離間配置された一対の電極２と、基板１の一面１ａ側に形成され、一対の電極２に導通する抵抗体層３と、この抵抗体層３を覆うように設けられた保護層４と、を備え、一面１ａ側が実装面とされたチップ抵抗器Ａであって、一対の電極２は、それぞれ、抵抗体層３に導通する電極層（第１電極層２１および第２電極層２２）と、この電極層上に形成されるメッキ層２３とを有しており、上記電極層とメッキ層２３との境界面は、保護層４の基板１厚み方向における先端露出面よりも基板１寄りに位置する。 （もっと読む）

【課題】制御手段の有する入力部の数より多い検出手段を備える入力装置を提供すること。
【解決手段】指Ｆｇの接近位置を検出するための複数の電極ａ１〜ａ８と、電極ａ１〜ａ８と接続している複数の入力端子ｃｈ０〜ｃｈ３を有するＩＣチップ７２と、を備える、入力装置Ａ１であって、入力端子ｃｈ１は、電極ａ２，ａ５に接続しており、電極ａ２と隣り合う２つの電極ａ１，ａ３、電極ａ５と隣り合う２つの電極ａ４，ａ６は、入力端子ｃｈ１と異なる入力端子ｃｈ０，ｃｈ２，ｃｈ３に接続しており、電極ａ２と隣り合う２つの電極ａ１，ａ３、および、電極ａ５と隣り合う２つの電極ａ４，ａ６、に接続している入力端子ｃｈの組み合わせは、それぞれ異なっている。 （もっと読む）

【目的】入力画像に角度依存情報を付与することによって一次元的な模様を強調して表示させる。
【構成】まず、入力画像のデータをコンピュータに入力する（Ｓａ１）。次に、コントラスト強度として任意の定数ｍを入力する（Ｓａ２）。次に、入力画像中の複数の画素からなる閉領域（ｘ，ｙ）を演算対象領域Ｄとして区画し、演算対象領域Ｄ内における注目画素とその周囲の任意の画素との２点の画素の傾きの強さを前記注目画素を中心とする全周に亘って合計し演算対象領域内の画素数で除算することによりその平均値を算出する（Ｓａ３）。さらに、ステップ（Ｓａ３）で求めた勾配の振幅値βにステップ（Ｓａ２）で入力したコントラスト強度ｍ（但し、ｍは正の定数である。）を乗算し、任意のオフセット値γを加算し（Ｓａ４）、最終的な出力画像を得る（Ｓａ５）。 （もっと読む）

【課題】ＤＣ／ＤＣコンバータとチャージポンプが別個独立に形成されていたので、個別に用意する必要があり、チップサイズの大型化やコストアップが招かれていた。
【解決手段】電源回路は、出力用スイッチＭ１１、Ｍ１２をオン／オフさせて生成されるパルス状のスイッチ電圧Ｖｓｗを整流・平滑することにより、入力電圧Ｖｉｎを降圧させた出力電圧Ｖｏｕｔ１を生成するＤＣ／ＤＣコンバータＭ１１、Ｍ１２、Ｌ１１、Ｃ１１と、電荷転送用スイッチＭ１１〜Ｍ１４をオン／オフさせて電荷蓄積用キャパシタＣ１２の充放電を繰り返すことにより、入力電圧Ｖｉｎを昇圧させた出力電圧Ｖｏｕｔ２を生成するチャージポンプＭ１１〜Ｍ１４、Ｃ１２、Ｃ１３と、を有して成り、電荷蓄積用キャパシタの一端は、スイッチ電圧Ｖｓｗの出力端に接続されており、出力用スイッチは、電荷転送用スイッチの一部としても共用されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高性能でかつ閾値電圧の低い半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板に形成され、ＮＭＯＳトランジスタが形成されるＮＭＯＳ形成領域とＰＭＯＳトランジスタが形成されるＰＭＯＳ形成領域とを絶縁分離する素子分離領域と、該基板上に形成されたＨｉｇｈ−ｋ材料からなるＮＭＯＳおよびＰＭＯＳのゲート絶縁膜と、該ＮＭＯＳのゲート絶縁膜上に形成されたＮＭＯＳゲート電極と、該ＰＭＯＳゲート絶縁膜上に形成された第１ニッケルシリサイド層と、該第１ニッケルシリサイド層上に形成され、該第１ニッケルシリサイド層よりも厚くかつ該第１ニッケルシリサイド層よりニッケル密度が大きい第２ニッケルシリサイド層と、を有するＰＭＯＳゲート電極と、該ＮＭＯＳゲート電極および該ＰＭＯＳゲート電極の側壁に形成されたサイドウォールスペーサとを備える。 （もっと読む）

【課題】 第１不純物領域−第２不純物領域間（たとえば、ソース−ドレイン間）の電位分布を均一にすること。
【解決手段】半導体装置１のＬＤＭＯＳＦＥＴ１０において、ドレイン領域１５とボディ領域１１との間の部分に、ボディ領域１１と間隔を空けてフィールド絶縁膜１６を形成する。フィールド絶縁膜１６上に、第１フローティングプレート２２および第２フローティングプレート２５を、平面視で交互に配置し、関係式：Ｌ／ｄ＝一定（Ｌ：平面視で隣接する第１フローティングプレート２２および第２フローティングプレート２５のうち内側のプレートの外周、ｄ：Ｌを定義するプレートの外周とその外周に対向して隣接する第１フローティングプレート２２または第２フローティングプレート２５の内周との距離）を満たすように形成する。 （もっと読む）

【課題】光学素子と光ファイバとの相対位置を容易に調整することができる、光通信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュール１では、ガラスエポキシ基板２の表面およびＩＣチップ７を封止する樹脂パッケージ１１に、発光素子１５の配置用の凹部１２が形成されている。そして、凹部１２の底面には、ガラスエポキシ基板２の一部が発光素子１５との電気接続のための端子１３として露出している。そのため、凹部１２内に発光素子１５を配置することにより、発光素子１５とガラスエポキシ基板２との電気的な接続を達成することができる。そして、凹部１２内において発光素子１５の位置に自由度があるので、発光素子１５に対して光ファイバ１９を光学的に接続する際に、発光素子１５および光ファイバ１９の両方の絶対位置（樹脂パッケージ１１に対する位置）を調整して、それらの相対位置を容易に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物の混入を防ぎ、高温でもｐ型不純物を十分ドープすることができる酸化亜鉛系半導体、酸化亜鉛系半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入し、また、基板１上にｐ型不純物原料ガスとしてＶ族の水素化物ガスを導入する。このようにして、基板１上にｐ型不純物がドープされた酸化亜鉛系半導体層２を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】プラスチックレンズの吸湿を防ぐことが可能なレンズモジュールおよびカメラモジュールを提供すること。
【解決手段】レンズモジュールＡ１は、レンズ１１と、レンズ１１を保持するレンズ支持体２と、を備えており、レンズ１１は、プラスチックレンズからなる本体部１１Ａと、本体部１１Ａの表面を覆う吸湿防止機能を有する保護膜１１Ｂと、を備えており、保護膜１１Ｂは、レンズ１１の表面のうち外気に接する全領域に形成されている。 （もっと読む）

【目的】入力画像の輝度に関するコントラストを調整した出力画像を得る。
【構成】入力画像に含まれる各画素の輝度値を調整する画像処理方法において、まず、入力画像中の複数の画素からなる閉領域β（ｘ，ｙ）を演算対象領域として区画し、前記演算対象領域を前記入力画像内で所定の画素単位で移動させる。このとき、前記演算対象領域内における輝度配列として定義される輝度エネルギーの最大値と最小値とをそれぞれ算出し、その輝度エネルギーの差分データを算出する（ステップＳ４）。次に、入力画像にステップＳ４で算出した差分データを適応することにより出力画像を生成する（ステップＳ６）。 （もっと読む）