説明

株式会社堀場エステックにより出願された特許

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【課題】 ベースの締付け固定時に発生する応力を吸収緩和することでセンサに歪などの悪影響が及ばないようにして、本来の性能を安定よく確保でき、しかも、複数のセンサ等が設置される場合も低コストで十分な応力緩和機能を発揮できるようにする。
【解決手段】 内部に流体流路を有する本体ブロック1の外面1Aに、圧力センサ7を設置する中央取付部6aを有するセンサ取付用ベース(マスフローコントローラ用ベース)6をその長手方向の両端においてボルト11,11を介して金属ガスケット13を押圧変形させるように締付け固定してなるマスフローコントローラの取付構造であって、ベース6の長手方向両端の固定部位6b,6bより中央取付部6a側寄りの二箇所に、流体導入流路9と干渉しないように切り込み溝14,14を設けている。
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【課題】 シールリング締付面の研磨作業性の向上を図るとともに、感圧部の損傷や汚損、さらにはシールリング締付面の研磨不良をなくして圧力計測性能、品質および製品歩留まりの著しい向上を達成することができるようにする。
【解決手段】 ケース本体3から外方へ突出する環状フランジ部5のうち、シールリング締付面5aを有する外周側フランジ部分5Aをケース本体3に一体形成された内周側フランジ部分5Bと別体とし、この別体外周側フランジ部分5Aのシールリング締付面5aを研磨により鏡面化した上、この外周側フランジ部分5Aを内周側フランジ部分5Bに一体接合することにより、所定の突出幅の環状フランジ部5を有する静電容量型圧力計1を組立構成している。
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【課題】 空気の吸い込み舞い上がり循環現象に伴うウェハ表面の汚損を防止してウェハ表面に対する所定の処理性能及び製品品質の著しい向上を達成できるようにする。
【解決手段】 テーブル3及び該テーブル3上に固定保持されたウェハ4を縦軸芯a周りで駆動回転させながら、ウェハ4表面の中心から少し変位した箇所に処理液を滴下させることで、その液を遠心力により径方向外方へ拡散流動させてウェハ表面に対する所定の処理を行う回転式ウェハ処理装置において、テーブル3上部にウェハ4の上方及び外周を覆うカバー10が一体回転可能に設けられ、このカバー10の回転中心部にはウェハ4とカバー10間の微小隙間9に回転遠心力に応じた量の気体を導入する気体導入口13が形成され、かつ、テーブル3外周辺とカバー10外周辺部分との間には、微小隙間9内を流動した後の気体をウェハ4外方の斜め下向きに排出する排気口14が形成されている。
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【課題】 簡単な構成でありながらボルト穴からのボルトの脱落を防止できるボルト脱落防止機構を提供する。
【解決手段】 ボルト穴4にボルト5を挿入した状態でボルト5のねじ先5aが挿入される貫通穴8aを備え、この貫通穴8aがねじ部5bに接するように構成された抜け止め部材8と、この抜け止め部材8が収容可能な直径で前記ボルト穴4のねじ先側に形成された可動穴6とからなる。 (もっと読む)


【課題】 ボルト穴からのボルトの脱落を防止できる製造容易なボルト脱落防止治具、流量制御用機器およびボルト脱落防止治具の製造方法を提供すること。
【解決手段】 可撓性材料からなりボルト穴23に形成された座ぐり部24に嵌入保持されることによりボルト5の脱落を防止する治具であって、ボルト穴23に挿入されるボルト5を抜け止め保持する貫通穴2を備え、この貫通穴2の一端側2aおよび他端側2bの内径Dha,Dhbが前記ボルト5のねじ部5aの外径Dbよりも大径であると共に、貫通穴2の中間部2aにその内径Dhcがねじ部5aの外径Dbよりも小径となる突出部6が形成されている。
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【課題】 圧力差が大きい環境であっても設定した流量となるようにガスの流れを的確に制御することができ、とりわけ、薄膜堆積のプロセスにおいてプロセス精度を飛躍的に向上できる流量制御装置、薄膜堆積装置および流量制御方法を提供すること。
【解決手段】 ガスの流れを断続する開閉弁14と、この開閉弁14より上流側に配置されてガスの流量を調節する流量調節部12と、前記開閉弁12を閉じた状態で前記開閉弁14の上流側における内部圧力P3 が前記開閉弁14より下流側の圧力Pcと等しくなるように内部圧力P3 を調節する内部圧力調節部13とを備えてなる。
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少なくとも1つの導入部、少なくとも1つの導出部、及び流路を有する第1のディスクと、流路を有さない第2のディスクとを備えるフローリストリクタであって、第1のディスク及び第2のディスクは互いに積み重ねられる。また、マスフローコントローラは、入力部、出力部、流路、圧力トランスデューサ及び上記フローリストリクタを備えている。
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【課題】 半導体製造装置から排出される流体を安定してかつ応答性よく制御することのできる半導体製造装置における排気流体の制御装置を提供すること。
【解決手段】 半導体製造装置1から排出される流体3が流れる排気流路4を主流路4Aとバイパス流路4Bとに分岐し、主流路4Aには流量または圧力制御弁7を設け、バイパス流路4Bにはパイロット弁8を設けた。 (もっと読む)


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