説明

株式会社コベルコ科研により出願された特許

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【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜の成膜における異常放電を抑制し、スパッタリング法による安定した成膜が可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn23+m(mは5〜7の整数)相を主相とし、平均粒径10μm以下、且つ粒径30μm以上の結晶粒の割合が15%以下であり、相対密度85%以上である。 (もっと読む)


【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電を抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn23+m(mは5〜7の整数)相を主相とし、In23、及びZnOの各結晶相を含むと共に、相対密度85%以上、比抵抗0.1Ω・cm以下である。 (もっと読む)


【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電や割れを抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn23+m(mは5〜7の整数)相、In23、及びZnOの各結晶相を含むと共に、相対密度95%以上、比抵抗0.1Ω・cm以下である。 (もっと読む)


【課題】ソーワイヤを用いてワークを切断したときに、加工変質層深さが浅く、平滑な表面の切断体が得られる樹脂被覆ソーワイヤを提供する。
【解決手段】樹脂被覆ソーワイヤは、ソーマシンでワークを切断するときに用いられるソーワイヤであって、鋼線の表面に、砥粒を含有せず、且つ120℃での硬さが0.07GPa以上の樹脂皮膜が被覆されており、樹脂皮膜は、ワークを切断するときに吹き付けられる砥粒が樹脂皮膜に食い込むことを抑制するように硬さが制御されている。 (もっと読む)


【課題】振動の測定および解析を容易に行うことができるようにする。
【解決手段】高速度カメラ4の撮像部4aは、ケーブル10の各実測点に設けられたマーカーシール5が正反射する光を撮像する。高速度カメラ4の計算処理部4bは、撮像部4aによる撮像と並行して、撮像部4aが撮像した画像毎に各実測点の座標を求める。高速度カメラ4のメモリ4cは、各実測点の座標に係るデータを記憶する。コンピュータ6は、メモリ4cに記憶された各実測点の座標に係るデータを用いてケーブル10の振動分析を行う。 (もっと読む)


【課題】本発明は、イオン注入された表層よりも深層の影響をより低減し、イオン注入量をより精度よく測定し得るイオン注入量測定装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明のイオン注入量測定装置Daは、光源部1aおよび変調部2aによってイオン注入された半導体である測定対象のイオン注入半導体SMにおけるバンドギャップ以上のエネルギーを有するとともに、強度を周期的に変調した励起光をイオン注入半導体SMに照射し、測定波生成部6で生成された測定波をイオン注入半導体SMに照射し、検出部10aによってイオン注入半導体SMで反射された測定波の反射波を検出し、イオン注入量演算部142aによって、検出部10aの検出結果に基づいて、前記励起光の変調周波数の変化に対する前記反射波の強度の変化である前記反射波の変調周波数依存特性を求め、この求めた前記反射波の変調周波数依存特性に基づいてイオン注入量を求める。 (もっと読む)


【課題】音響管において、高周波数域での吸音率や音響インピーダンス測定を行えるようにする。
【解決手段】本発明の音響管1は、管本体5の一端部に吸音試験材Wを保持する保持部6が設けられていると共に管本体5の他端部に保持部6に保持される吸音試験材Wへ向けて音波を発生する音源部7が設けられ、且つ保持部6と音源部7との間の管壁に管軸方向に並んで2個以上の集音部8が設けられたものであって、集音部8は、管本体5の管壁を貫通する通孔15と、この通孔15の管壁外面側の開口周部を拡径するように設けられた凹部16と、この凹部16に埋め込まれたMEMSマイクロフォン17とを有しており、管本体5の管壁内面とMEMSマイクロフォン17との間を連通する通孔15の長さが、通孔15内で音源部7から発せられる音波の共鳴を起こす長さよりも短くなるように設定されている。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングターゲットを用いたときの成膜速度(スパッタレート)が高められ、好ましくはスプラッシュの発生を防止できるAl基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明のAl基合金スパッタリングターゲットは、Taを含有するものである。好ましくは、AlおよびTaを含むAl−Ta系金属間化合物の平均粒子直径は0.005μm以上1.0μm以下で、且つ、Al−Ta系金属間化合物の平均粒子間距離は0.01μm以上10.0μm以下を満足するものである。 (もっと読む)


【課題】捩り試験機等の試験装置を使用せずに、簡便にラバーブッシュの動特性を測定できるようにすることである。
【解決手段】ラバーブッシュ1の内筒41に挿入固定される棒状の内筒支持部材10と、ラバーブッシュ1の外筒42の外径側に固定される外筒支持部材20と、内筒支持部材10に取り付けられるアーム部材30とを備えたラバーブッシュ1の動特性測定用具2であって、外筒支持部材20を動かないように固定し、アーム部材30に振動検出器32を取り付け、アーム部材30を加振することにより、ラバーブッシュ1に捩り方向又は抉り方向の振動を加え、ラバーブッシュ1の動特性を捩り試験機等の試験装置を使用せずに簡便に測定できるようにした。 (もっと読む)


【課題】本発明は、表面から所定深さでのイオン注入量を測定し得、また、表層よりも深層の影響をより低減してイオン注入量をより精度よく測定し得る。
【解決手段】本発明では、測定対象のイオン注入半導体SMにおけるバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光が光源部1から放射され、所定の測定波が測定波生成部6から放射され、これらがイオン注入半導体SMへ照射される。一方、測定波をその照射前に一部が分岐されて、参照波としてイオン注入量を測定したい表面からの深さに応じた位相に調整される。参照波とイオン注入半導体SMでの測定波の反射波とが合波され、その強度が検出部11で検出される。そして、この検出波の強度に基づいて光励起キャリアの寿命に関する指標値が求められ、所与の、光励起キャリアの寿命に関する指標値とイオン注入量との対応関係を表すイオン注入量対応情報に基づいてイオン注入量が求められる。 (もっと読む)


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