株式会社テクニスコにより出願された特許

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【課題】ペルチェ素子よる吸熱・発熱効果よりも大幅に温度の昇降時間を短縮、すなわちPCR反応の1サイクル数分単位から数秒単位まで短縮することができる温度調節流路付きスライド構造を提供すること。同時に反応部のDNAや細胞の1分子観察技術を可能とする。
【解決手段】スライド1は、シリコン板2の裏面に液体の温度調節流路8となる溝を形成し、シリコン板2に溝を閉塞するシート状ガラス3を固定して温度調節流路8を形成している。スライド1には、DNA、細胞などを収容する反応チャンバー5と温度調節流路8に連通する供給口10と排水口11とを形成している。供給口10は、温度調整用の流体供給手段へ接続し、供給口10から排水口11に向かって流体を流し、反応部7の温度調整を瞬時できるようにした。シート状ガラス3は、厚さが0.17mmであり、反応部7液浸対物レンズで観察することができる。 (もっと読む)


【課題】ペルチェ素子よる吸熱・発熱効果よりも大幅に温度の昇降時間を短縮、すなわちPCR反応の1サイクル数分単位から数秒単位まで短縮することができる温度調節流路付きスライド構造を提供すること。同時に反応部のDNAや細胞の1分子観察技術を可能とする。
【解決手段】スライド1は、シリコン板2の裏面に液体の温度調節流路8となる溝を形成し、シリコン板2に溝を閉塞するシート状ガラス3を固定して温度調節流路8を形成している。スライド1には、DNA、細胞などを収容する反応チャンバー5と温度調節流路8に連通する供給口10と排水口11とを形成している。供給口10は、温度調整用の流体供給手段へ接続し、供給口10から排水口11に向かって流体を流し、反応部7の温度調整を瞬時できるようにした。シート状ガラス3は、厚さが0.17mmであり、反応部7液浸対物レンズで観察することができる。 (もっと読む)


【課題】熱膨張制御の為Moのように硬い金属を含むヒートシンクであっても、精度良く容易に製造することができるヒートシンクを提供すること。
【解決手段】レーザーダイオード2を載置する載置面1aと、載置面1aに隣接しレーザーダイオード2の発光面2aに対して同一面上に配置される端面1bとを有している。ヒートシンク1の基材3の表面を基材3よりも軟らかい材質のメッキ層で厚手に被覆し、被覆された載置面1aと端面1bとのコーティング層4a,4bをダイヤモンドバイトなどで切削加工した後、レーザーダイオード2の発光面2aとヒートシンク1の端面1bを同一面上に配置するようにした。レーザーダイオードとヒートシンクはインジウムや金錫半田などで高い平面性を持って高精度に接合する事が出来る。 (もっと読む)


【課題】従来よりもより優れた方法で培養細胞を観察することができるスライドを提供すること。
【解決手段】スライド1は、セル孔4の底部を形成する底板3と、底板3の上に設けられセル孔の貫通孔を形成したホルダー板2とから構成され、底板3がホウ珪酸ガラスによって形成され、ホルダー板2が結晶シリコンで形成されている。スライド1は、スライド1の表面側に細胞を入れるセル孔4の開口を有し、セル孔4の底部に顕微鏡によって観察するための透視面を有する。 (もっと読む)


【課題】品質にバラツキのない半導体ウエハー用治具の洗浄方法を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハー用治具の材料切り出し後に、半導体ウエハー用治具の有機洗浄、強アルカリ洗浄及びフッ硝酸洗浄を行い、半導体ウエハー用治具の表面を強アルカリ洗浄、該フッ硝酸洗浄で剥離する第1の工程と、半導体ウエハー用治具の研磨、成形後に半導体用ウエハー用治具の有機洗浄、強アルカリ洗浄及びフッ硝酸洗浄を行い、半導体ウエハー用治具の表面を強アルカリ洗浄、フッ硝酸洗浄で剥離する第2の工程と、半導体ウエハー用治具の溝付け又は仕上げ加工後に半導体ウエハー用治具の有機洗浄、強アルカリ洗浄及びフッ硝酸洗浄を行い、半導体ウエハー用治具の表面を強アルカリ洗浄、フッ硝酸洗浄で剥離する第3の工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】超音波加工機に用いられる穿孔用の工具について、多数のピン状の加工用ピンを高精度かつ容易に形成できるようにすること。
【解決手段】母材21面にレジスト膜22を形成し、加工用ピン23を形成する母材21面の位置に対応させてレジスト膜22を除去するための光りを照射して母材21面が表れるまでレジスト膜22を除去し、母材21面の前記レジスト膜22を除去した部分に電鋳メッキによるメッキ膜(加工用ピン)23を形成した後、母材21面上に残留するレジスト膜22を除去するようにした。 (もっと読む)


【課題】複数の金属板などの張り合わせ技術を用いることなく、一体構造で内部に緻密かつ自由形状の流路を作成する水冷式ヒートシンクを提供すること。
【解決手段】水冷式のヒートシンク1は、外側に成形体本体2が設けられ、成形体本体2の内部に液体が通る流路3が形成されるとともに、ヒートシンク本体1に流路3に連通する液体の入口5と出口4を形成している。ヒートシンク1の成形体本体2の全体が電鋳メッキによる厚膜被覆層によって一体成形され、接合部を無くした。 (もっと読む)


【課題】ウェーハの表面にデバイス保護のために取り付けられるガラス基板にビアを形成する場合において、ガラス基板の破損を防止すると共に、ガラス基板と導電性金属との間に隙間が形成されないようにする。
【解決手段】ガラス基板1の表面1aから裏面1bに至る細孔の内周面にアンカー金属膜3を形成し、アンカー金属膜3の内周側に形成された空洞部にろう材7を充填してビア8を形成する。そして、アンカー金属膜3の熱膨張率をろう材より低くすることにより、ガラス基板の熱膨張率とろう材の熱膨張率との差に起因してガラス基板が破損するのを防止する。 (もっと読む)


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