説明

株式会社ディスコにより出願された特許

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【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なガラス基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ガラス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すガラス基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきガラス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたガラス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能な金属板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 金属板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施す金属板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき金属板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された金属板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 窒化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なガラス基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ガラス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すガラス基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきガラス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたガラス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なセラミックス基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 セラミックス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すセラミックス基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきセラミックス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたセラミックス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】表面に凹凸を有する半導体ウェーハの裏面を研削する場合において、裏面の平坦度を向上させる。
【解決手段】バンプ11が埋没するようにウェーハ1の表面1aに樹脂2を塗布し、その樹脂2を半硬化させた後に、バンプ11に到達しない深さを切削して樹脂2の表面を平坦化することにより、バンプ11に対応する凹凸が樹脂の表面に現れることがないようにする。そして、平坦化した樹脂の表面に支持基板を貼着し、平坦な支持基板側が支持された状態でウェーハ裏面の研削を行うことにより、ウェーハ表面の凹凸の影響を受けずに、研削後のウェーハ裏面を高精度に平坦化する。 (もっと読む)


【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 窒化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なセラミックス基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 セラミックス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すセラミックス基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきセラミックス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたセラミックス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】研削中の板状ワークがチャックテーブルから横ずれすることを防止する。
【解決手段】研削装置10に備えたチャックテーブル1は、板状ワークWを吸引保持する吸引保持板2と、吸引保持板2に吸引力を伝達する吸引領域6a,6bを有する基台3とを備え、基台3の上面であって吸引保持板2より外側にリング形状の制限リング5が埋設され、制限リング5の内径は、制限リング5の内周5aと板状ワークWの外周Wsが当接したときに吸引保持板2の保持面2aが露出しない大きさであり、基台3の上面からの制限リング5の突出部分高さHは、板状ワークWの仕上げ厚さTより低い高さとなっている。そして、研削中の板状ワークWに対する吸引力より研削砥石23,33の回転力が大きくなったときに制限リング5によって板状ワークWの横ずれを防止し、研削不良と研削割れとを防止する。 (もっと読む)


【課題】密閉式の蓋付きカセットを用いる形態の加工装置において、カセット蓋が取り外された際に、カセット本体から半導体ウェーハが飛び出したことを検出可能とする加工装置を提供する。
【解決手段】一側面に搬出入開口部71aを有するカセット本体71と搬出入開口部71aを開閉するカセット蓋72とからなり、カセット本体71中に半導体ウェーハWを収容したカセット7を載置するカセットテーブル81を備えたカセット載置機構8と、カセットテーブル81に載置されたカセット7から搬出された半導体ウェーハWを保持するチャックテーブル19と、チャックテーブル19に保持された半導体ウェーハWを加工する加工手段としての切削ユニット24と、を具備する加工装置とする。 (もっと読む)


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