説明

株式会社三社電機製作所により出願された特許

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【課題】略直方体形の複数のバッテリーを装置内に固定でき、かつ装置から容易に取り外すことが出来るバッテリートレイの提供。
【解決手段】バッテリートレイ1は、平面視で長方形を呈する底壁の周囲に側壁が立設された第1および第2のトレイ部T1,T2を有し、第1のトレイ部T1にテーパー状の4つの側面と互いに平行な上下面からなる略直方体形のバッテリー200が収容されるように構成される。バッテリートレイ1は、第2のトレイ部T2の第2のトレイ面3の内面に、テーパー状に漸次高さが変化する第1の凸部32,33が設けられる。この構成で、バッテリー200をトレイ部T1に収容したとき、第1の凸部32,33が、バッテリー200の当接面206に当接することにより、バッテリー200の位置決め面207を第1のトレイ部T1のバッテリー保持壁4の内面に平行に保持する。 (もっと読む)


【課題】 電源装置のリレー接点が異常動作をしても、電源装置の損傷を防止する。
【解決手段】 インバータ10、12の正電源入力端子16p、22p間にリレー接点26が接続され、負電源入力端子16n、22n間にリレー接点28が接続され、インバータ10の正電源入力端子16pに正直流電源端子8pが接続され、インバータ12の負電源入力端子22nに負直流電源端子8nが接続されている。駆動部32は、正負直流電源端子8p、8n間の電圧が予め定めた値よりも大きいとき、リレー接点26、28を開放し、前記直流電圧が前記予め定めた値以下のとき、リレー接点26、28を閉成する。インバータ10の負電源入力端子16nにダイオード30のアノードが接続され、インバータ12の正電源入力端子22pにダイオード30のカソードが接続されている。 (もっと読む)


【課題】バス電圧を一定電圧に制御する制御部を一つの制御部で構成することにより、蓄電池の出力電流アンバランスを防止し、且つ調停回路などを不要とする蓄電池用充放電装置を提供する。
【解決手段】蓄電池用充放電装置は、各電圧源ユニットに設けられ、各電圧源ユニット流れる電池電流を検出する複数の電流センサと、複数の電流センサで検出した各電池電流の平均値又は加算値を求める電池電流演算部と、バス電圧と予め設定したバス電圧指令値との差に対応する値と前記各電池電流の平均値又は加算値とを比較し、この値に基づいて前記双方向チョッパを駆動するためのPWM信号を生成するPWM発生部と、前記PWM信号を前記双方向チョッパのそれぞれに分配するPWM分配部と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】取り付け性の低下やコストの増加が発生することがなく、樹脂の温度変化による変形を抑制して、ダイオードチップへのストレスを抑制できるスティックダイオードを提供する。
【解決手段】
この発明のスティックダイオード1は、樹脂4の第1封止部4Fと第2封止部4Bとの体積が等しく形成している。そのため、第1封止部4Fと第2封止部4Bの熱容量が等しくなる。また、第1封止部4Fは第2封止部4Bと接合して一体となっており、ダイオードチップの発熱や夜間等の冷却による第1封止部と第2封止部の変形量が等しく、温度変化により封止体全体が変形するのを防止できる。これにより、ダイオードチップへのストレスが軽減し、ダイオードチップの割れや劣化を防止することができる。また、部品を追加することなく、樹脂4の体積を調整しているのみであり、取り付け性の低下やコストの増加が発生することがない。 (もっと読む)


【課題】破損しにくいスティックダイオードを提供する。
【解決手段】スティックダイオード1は、第1導体板2の端部に凹部2Uを形成し、第2導体板3の端部に凸部3Jを形成し、凹部2Uと凸部3Jを対向させて、凹部2U内に凸部3Jを配置する。これにより、スティックダイオード1を幅方向(短手方向)にどこを切断しても、必ず第1導体板2または第2導体板3が樹脂4内に存在するので、スティックダイオード1の強度が上がり、折れを防止できる。また、凹部2Uと凸部3Jを設けることで、従来のように導体板の端部が直線状であった場合と比較して、端部における導体板の量が減り、導体板の端部の熱膨張による変形量を小さくすることができ、導体板2,3が変形により樹脂4を押圧する力を弱めることができ、樹脂4が割れるのを防止できる。また、凹部2Uや凸部3Jを曲線状に形成することで押圧力が分散され、樹脂4の割れを防止できる。 (もっと読む)


【課題】特定構成のDC−DCコンバータ回路において、制御部に電気信号を絶縁するためのフォトカプラやパルストランス等を不要とする回路構成を提供する。
【解決手段】DC−DCコンバータ回路は、第1、第2のスイッチ素子と、それらのスイッチ素子間に直列的に接続される第1、第2の一次巻線を備え、さらに出力電圧を得るための二次巻線を備える出力トランスを備える。また、DC−DCコンバータ回路は、第1、第2の電圧源と制御部とを備える。第1、第2の一次巻線の各センタータップ間に電源が接続され、第1、第2の一次巻線の両端間に第1、第2の電圧源がクロス接続される。
第2の一次巻線には、直列的に第1、第2の定電流回路が接続される。この第1、第2の定電流回路の出力は第1、第2のスイッチ素子のゲート側に供給される。第1、第2の定電流回路により、第2の一次巻線に生じる電圧変動を緩和する。 (もっと読む)


【課題】基板の厚み変更に容易に対応できるパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】パワー半導体モジュール1のケース2の底面2B側に設けた凹部3の周縁に沿って、複数の基板取り付け面4A,4Bを階段状に形成する。仕様変更や設計変更により基板の厚みを変える場合には、変更後の厚みに対応する基板取り付け面に取り付けられるように、その基板取り付け面に応じたサイズで基板5A,5Bを作成する。また、各基板取り付け面の取り付け位置は、底面からの深さが内側ほど深くなるように形成する。これにより、基板取り付け面4A(4B)に取り付けた基板5A(5B)の非実装面と、ケースの底面2Bと、を同じ高さにすることができ、ヒートシンクにセラミックス基板を密着させて、効率良く放熱することができる。 (もっと読む)


【課題】 降伏電圧を越える逆方向バイアス時にアノード領域の曲線部への電流集中によって、熱破壊が生じるのを抑制することができるPINダイオードを提供する。
【解決手段】 N半導体層1及びN半導体層2からなる半導体基板11と、N半導体層1の外面上に形成されたカソード電極18と、N半導体層2の外面からP型不純物を選択的に拡散させて形成された主アノード領域16、分離アノード領域15及びアノード接続領域と、主アノード領域16上に形成されたアノード電極17により構成される。主アノード領域16は、4辺が直線部B4からなり、4頂点が略円弧状の曲線部B3からなる略矩形の外縁を有し、分離アノード領域15は、主アノード領域16の外縁に沿って環状に形成され、アノード接続領域は、互いに対向する分離アノード領域15の内縁及び主アノード領域16の直線部B4のいずれか一方を突出させ、他方に点接触させる形状からなる。 (もっと読む)


【課題】 アバランシェ耐量を向上させたPINダイオードを安価に提供することを目的とする。
【解決手段】 N半導体層1及びN半導体層2からなる半導体基板11と、N半導体層2の外面に対する選択的な不純物拡散により形成されたP型のアノード領域15と、アノード領域15内のコンタクト領域17cを介してアノード領域15と導通するアノード電極17とを備える。アノード領域15は、4辺が直線部B2からなり、4頂点が曲線部B2からなる略矩形の外縁を有し、コンタクト領域17cの外側に、曲線部B1に沿って延びるN型の非拡散コーナー領域16がそれぞれ形成されている。このため、曲線部B1上の降伏箇所から、アバランシェ電流が、高抵抗の非拡散コーナー領域16を回り込んで流れると、曲線部B1に沿って電圧降下が生じることにより、降伏箇所を直線部B2へ移動させることができる。 (もっと読む)


【課題】 ゲートオン時の雷サージ耐量を向上させたサイリスタを提供する。
【解決手段】 P型の矩形状の第1領域中にN型のエミッタ領域21,22が形成された半導体基板10と、第1領域上に形成されたゲート電極12と、エミッタ領域22上に形成されたカソード電極14とを有し、ゲート電極12が第1領域のコーナーに配置されたサイリスタ100であって、第1領域とエミッタ領域21とにまたがって配置された補助電極13を備え、補助電極13が、ゲート電極12に対向するゲート対向部13aと、ゲート電極12に対向することなく、カソード電極14の外縁に沿って延伸させたアーム部13bとからなる。 (もっと読む)


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