【課題】
半導体デバイスにおける白金拡散方法。
【解決手段】
シリコン基板表面に白金膜を堆積後，３００℃〜５００℃の低温熱処理工程を施して白金シリサイド（ＰtＳi）膜を形成した後に，Ｐt膜は除去してＰtＳi膜により温度範囲（８００℃〜１,０００℃）の高温でＰt拡散するものとする。低温熱処理後はＰt膜は除去するため拡散温度を高くすることが出来て高速スイッチング特性が向上する。シリコン基板表面の酸化膜などへのＰt濃度を従来よりも減少させるので良好な耐圧歩留率が再現性よく得られる。 （もっと読む）

【課題】
スイッチングＯＦＦ遅延時間が短いトランジスタを提供する。
【解決手段】
Ｎ＋型半導体基板の表面層に形成したＮウエル領域に第１のトランジスタのＰ形のベース領域を形成し、その中央部にＮ＋形のエミッタ領域を形成，半導体基板の他面側の表面層に第１のトランジスタのコレクタ電極を金属で形成する。Ｎウエル領域にダイオードのアノードを形成し電極を金属で形成する。エミッタ領域にエミッタ電極を金属で形成，ダイオードのアノード電極とを接続する。コレクタ電極とダイオードのカソードとが共通電極（コレクタ電極）となって同一チップ内に逆並列接続され，ダイオードのアノードとＰ形のベース領域との間にＰＮＰ寄生トランジスタが生成して，これのＯＮのとき，第１のトランジスタのベース電流を減らすので第１のトランジスタのＯＦＦ遅延時間が短縮される。 （もっと読む）

【課題】製造の工程と工程の間に品質チェックが出来る工程区切りが可能である製品構造で，パワー半導体素子が放熱良好に接続されたＩＰＭ搭載の太陽光インバータの構造と製造方法。
【解決手段】隔壁で区切られ端子接続手段および太陽電池モジュールの出力リード線用端子手段を具備しパワー半導体素子が直付け搭載の放熱板が，絶縁枠体に絶縁間隔を空けて固着され、該絶縁枠体に絶縁物を充填してＩＰＭが形成され、太陽電池モジュールの出力リード線を端子手段に接続した後に該接続部を絶縁物で充填して完成する太陽光インバータ。 （もっと読む）

【課題】 電源装置の部品に熱ストレスを与えず、電源装置の電力半導体装置の寿命を延ばす。
【解決手段】 電源部は、電力半導体装置を含む入力側整流回路４、インバータ及び出力側整流回路１２を備えている。通電時間中、電源部が通電され、休止時間中、電源部が非通電とされることが繰り返され、通電時ごとにファン１８が駆動され、電力半導体装置を冷却する。温度検出器３０が電力半導体装置の温度を測定し、その温度を表す温度測定信号を生成する。電源部の休止時間開始時の温度測定信号と休止状態終了時の予定温度信号と休止時間とから、休止時間開始時の温度測定信号から予定温度信号まで休止時間中に減少する基準値を設定器３８が生成する。誤差増幅器３６とファン制御部２２とが、前記基準値に温度測定信号がほぼ一致するようにファン１８の回転数を制御する。 （もっと読む）

【課題】 出力変圧器の磁気飽和を抑制しつつ、当該出力変圧器を含む電源装置全体を小型化かつ計量化し、さらには低コスト化する。
【解決手段】 この発明に係る電源装置１０によれば、インバータ回路２２が採用されている。そして、このインバータ回路２２の入力電圧が、入力検出回路６２によって検出される。ここで、検出された入力電圧、言い換えれば商用電源電圧が、極端に増大したときは、インバータ回路２２を制御するためのＰＷＭ制御信号のパルス幅が制限される。これによって、商用電源電圧が極端に増大することによる出力変圧器２４の磁気飽和が抑制され、当該出力変圧器２４として小型かつ軽量で、しかも廉価なものを採用することができる。つまり、出力変圧器２４の磁気飽和を抑制しつつ、当該出力変圧器２４を含む電源装置１０全体を小型化かつ計量化し、さらには低コスト化することができる。 （もっと読む）

【課題】異なる交流電圧のうち選択されたものが供給される電源装置を、安価に製造する。
【解決手段】複数の電圧のうち１つが供給される電源端子２ａ、２ｂ、２ｃからの電圧を、整流回路６が整流して、整流電圧を２つの出力端子６ａ、６ｂ間に生じる。インバータ１６ａ、１６ｂを整流回路６の出力端子６ａ、６ｂ間に、接続回路１０が複数の接続状態のうち接続指示信号によって選択されたものに接続する。複数の接続状態は、前記複数の電圧に対応して設けられ、対応電圧が電源端子２ａ、２ｂ、２ｃに供給されているとき、インバータ１６ａ、１６ｂに予め定めた電圧が供給される。接続指示信号のうち１つを、手動操作に応じて接続指示信号発生回路３４が出力する。電源端子２ａ、２ｂ、２ｃに複数の電圧のうち１つが供給されたとき、電圧検出回路３８からの接続指示信号と接続指示信号発生回路３４からの接続指示信号とが一致するか判定部２４ｄが判定する。 （もっと読む）

【課題】 筺体に装着されたカバーの脱落を防止する。
【解決手段】 この発明によれば、ポリカーボネート製のカバー４の左右両端に、可撓部５４および５４が設けられている。そして、この可撓部５４および５４が内側に弾性変形することによって、当該可撓部５４および５４に設けられた突出部５２および５２が筺体１側の挿入孔７および７に係止（挿入）し、これによって当該筺体１にカバー４が装着される。そして、この装着後、さらにカバー脱落防止具１０が、カバー４に取り付けられる。これによって、可撓部５４および５４を変形可能とするべく切込み部５６および５６が埋められ、当該可撓部５４および５４の変形が阻止される。この結果、筺体１からのカバー４の脱落が防止される。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＯＳ-ＦＥＴやＩＧＢＴ素子などの縦型半導体装置における、耐圧を向上させる為の構造と製造方法。
【解決手段】
ドレイン領域の主面に対向電極として選択的にソース電極と絶縁層を介したゲート配線が形成された構造のＭＯＳ-ＦＥＴやＩＧＢＴ素子などの縦型半導体装置において、ゲート配線直下のドリフト層に，ソース領域形成のマスクを修正して、アイランド状に耐圧維持用拡散層を、ソース形成と同一工程で拡散して形成し、ドリフト層のソース電極方向への空乏層の伸びを抑制し、電界集中により耐圧低下するのを改良し、耐圧を向上させた。 （もっと読む）

【課題】フライホイールダイオードを内蔵したパワースイッチングデバイスにおける、高速スイッチング性向上と、安価に製造できるデバイス構造と製造方法。
【解決手段】下面にコレクタ電極を有するＮ+半導体層上面に形成したＮ-半導体層上面から厚み方向にＰ型領域を櫛状に形成し、該Ｐ型領域上面をエミッタ電極に接続したショトキー金属層に接合してなる、ＭＰＳ構造体のダイオードをコレクタ・エミッタ間に造り込み、ＭＰＳ構造のダイオードの逆回復時間が従来のＰＩＮダイオードの６分の１に短くすることが出来た。 （もっと読む）

【課題】耐圧の高いパワー半導体デバイスの安価に生産可能な構造。
【解決手段】少なくとも第一主電極（エミッタ、陽極など領域）と、これに対応した第二主電極（陰極、コレクタ領域）とによって機能を発揮させているパワー半導体デバイス（ＭＯＳトランジスタ、ダイオード）において，ｎ-型半導体層に形成される第一主電極とその近傍からなるセル領域をｎ-型半導体層内に取り囲む環状に形成されたチャンネルストッパでないｎ+型分離領域が，ダイシング後の単位素子の周縁となる部位に、少なくともｎ-型半導体層の厚み寸法の深さ寸法までｎ-型半導体層上面から形成された、コレクタウォール構造のパワー半導体デバイス。 （もっと読む）