【課題】複数のイオンビームを独立してオン・オフ可能とする。
【解決手段】 イオンガン１１は、ガス導入部１１４よりＡｒガスを本体１１１内に導入し、フィラメント１１３とアノード１１２との間で直流熱陰極放電をおこし、Ａｒのプラズマを生成する。次に、２つ分割された構成を有する、分割加速グリッド１１６ａ、１１６ｂに、イオンを射出する方向に電圧勾配を与えて、イオンを射出させる。加速制御スイッチ１２１ａ、１２１ｂを独立してオン・オフすることにより、分割加速グリッド１１６ａ、１１６ｂの電位を独立に制御し、停止すべきイオンビームに対応する分割加速グリッド１１６ａ、１１６ｂの電位をフローティング状態にして、イオンビームを停止する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム蒸発源を用いた真空蒸着装置において、連続蒸着処理能力の増大を可能とした真空蒸着装置および方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム蒸発源を搭載した真空蒸着装置において、装置内の所定の部材を被装する防着カバー、及び防着カバーを移動させる駆動源を備える構成とした。ここで、複数の防着カバーを用いて、その複数の防着カバーのうちの１つが蒸発源に対向する位置に配置され、蒸着源に対向する位置に配置される防着カバーが駆動源によって交換される構成とした。 （もっと読む）

【課題】イオンエッチングによる圧電共振子の共振周波数調整装置に関し、高精度で効率の良い調整方式を提供する。
【解決手段】搬送用トレー３０には圧電共振子２がマトリクス状配列態様でセットされる。イオンガン６０の各開口部６１,６２の間隔は前記配列の行方向間隔ｄのＮ倍（Ｎは２以上の整数）に設定してある。イオンビームはビーム制御板５０とマスク板４０を介して２列の各圧電共振子２に放射される。制御モジュール７０は、ピン２１,２２を通じて各圧電共振子２の共振周波数を計測しながらビーム制御板５０のシャッター５１a,５２aを開閉制御し、手前側の列の各圧電共振子２を予備的周波数に、前方側の列の各圧電共振子２を目的周波数に調整した後、搬送用トレー３０をステップｄだけ進める。予備的周波数に調整した各圧電共振子２は自然冷却されて目的周波数の調整段階へ移行する。 （もっと読む）

【課題】圧電素子の周波数調整装置において、予め実験によって周波数シフト量を求める必要がなく、条件出しの時間を大幅に短縮することができ、かつ、多品種少量生産にも対応できる装置を提供する。
【解決手段】圧電素子をイオンビームエッチングするためのイオンガン、イオンガンの出力を制御する制御手段、及び制御手段に制御情報を提供する演算手段を備え、圧電素子をエッチングして圧電素子の共振周波数を調整する圧電素子の周波数調整装置において、演算手段が、エッチングされる圧電素子の材料特性及び照射されるイオンビームの電力に基づいて圧電素子における熱応力分布を導出するとともに、熱応力分布に基づいてエッチング後に発生する共振周波数のシフト量を制御情報として計算し、制御手段が、シフト量に基づいて共振周波数の調整量を補正するように構成した。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】エッチング装置１０は、イオンガン１１とＸＹステージ１２と制御部１３とＰＣ１５とを備える。予め測定されたエッチングが施される基板２１の厚みの分布から、升目状に区分された基板２１の各領域の被エッチング総量を算出し、この被エッチング総量に達するようにＰＣ１５は各領域におけるエッチング時間を判別する。制御部１３は、このＰＣ１５によって判別されたエッチング時間に基づき、ＸＹステージ１２及びイオンガン１１を制御する。イオンガン１１とＸＹステージ１２との間にはマスク等の遮蔽物が設けられていないためエッチング可能領域を遮ることがなく、良好に任意の形状に加工することができる。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板等の耐熱温度の低い基板でもイオンアシスト成膜を可能とする。
【解決手段】真空槽３０と、基板ドーム２１との間に高周波電源４１から高周波電圧を印加し、真空槽３０内のガスをプラズマ化し、陽イオンにより、蒸着分子の成膜基板２２への堆積をアシストする。高周波電圧の印加により発生する基板ドーム２１のセルフバイアス電圧を検出し、セルフバイアス電圧が減少すると、これを補償するように高周波電源４１の出力電力を増加する。 （もっと読む）

【課題】従来のＮＢＰＦの製造工程におけるＮＢＰＦ作成時の膜厚制御法とＮＢＰＦ作成後の評価法が異なるための問題点を解決する。
【解決手段】所望の光学特性を得るための膜設計に基づき、各層の種々の膜厚における分光特性を理論値として予め計算し、前記理論値と成膜時における分光特性の実測値とを逐次比較し膜厚制御を行うために、成膜基板に投光する測定光を波長掃引し、成膜基板の分光特性を実測する。具体的には、成膜基板に投光する測定光を波長掃引する波長可変レーザーを、成膜基板を透過または反射した光を受光し、波長可変レーザーの波長掃引に同期して受光した光を光電変換し出力する分光特性測定用受光器と、分光特性測定用受光器の出力に同期して成膜基板の透過率または反射率を計測し出力する光パワーメータと、光パワーメータの出力する透過率または反射率から成膜基板の分光特性を読込み、前記理論値との比較を行う。又、単色測定法と分光特性法とを択一的に選択する手法も提供している。 （もっと読む）

【課題】水晶振動子表面上にプラズマ発生させながらその共振周波数を測定する周波数調整装置において、プラズマ発生に起因する耐圧を超えるスパイクノイズが発振回路に入り込むのを効果的に抑制する。
【解決手段】圧電素子に設けられた一方の電極と圧電素子に離間して設けられた放電電極との間に電圧を印加して圧電素子表面にプラズマを発生させるための放電回路、圧電素子に設けられた一方及び他方の電極に接続され圧電素子を発振させるための発振回路、及びプラズマ発生中に発振回路の出力周波数を測定する検出回路からなる周波数調整装置において、発振回路の圧電素子側の２つの端子間に発生するサージ電圧を抑制するために、２つの端子間にサージ吸収回路を設けた。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング装置において、仕込室から成膜室への気体分子流入を効果的に抑制する。
【解決手段】内部にスパッタカソードが配置された成膜室、成膜室に仕切りバルブを介して連接された仕込室、成膜室にメインバルブを介して接続された高真空ポンプ、および仕込室に接続された粗引きポンプを備えたスパッタリング装置において、さらに、高真空ポンプと仕込室とを接続するバイパス配管、および、バイパス配管を開閉するための、メインバルブと同時には開かないように設定可能なバイパスバルブを設けた。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着装置において、膜厚の設計自由度を高めるとともに微調整を容易とし、かつ、膜厚設計用の可動部材の収納性を高める。
【解決手段】真空槽内に、基板の保持手段と蒸着源とを備える真空成膜装置において、さらに、基板の成膜面に蒸着源に対する遮蔽領域を形成する少なくとも１つの遮蔽部材、遮蔽部材の駆動源、および、駆動源の制御装置を備え、制御装置が、遮蔽部材が遮蔽領域を形成しない状態における基板の面内膜厚分布の実測値または計算値および基板の面内膜厚分布の目標値を予め記憶しておく記憶手段、並びに、記憶手段に入力された各値に基づいて、基板上の各点の位置に対応する成膜時間を算出し、成膜時間に基づいて駆動源の操作量を決定する演算手段からなり、駆動源がその操作量に基づいて遮蔽領域の位置を移動させて所望の面内膜厚分布を得るよう構成した。 （もっと読む）