説明

株式会社昭和真空により出願された特許

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【目的】 高真空状態のままクリーニングを行なえ、膜の密着性のよい電磁波シールド膜を簡単に形成する方法と装置を提供する
【構成】 クリーニングした基体3に該蒸発源4の電磁波シールド用材料を成膜する方法に於いて、クリーニング手段5をRF電源8に接続されたRFイオン化電極9で構成してアノードの該基体と蒸発源の間に配置し、該真空室内に不活性ガス等を導入して圧力調整したのちRFイオン化電極に通電してグロー放電により該基体をクリーニングし、続いてガス導入口を閉じてその圧力状態で該蒸発源を作動させ、電磁波シールド用材料の蒸気を該グロー放電内で励起・イオン化して基体に堆積させる
【効果】 真空室内の圧力を変更せずにクリーニングしながら密着性の良い電磁波シールド膜の成膜を簡単な操作で短時間に行なえ、電源および複雑な基体の絶縁機構が不要で構成も簡単になる (もっと読む)


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