【課題】シロキサン化合物の効率的な分解および分解物からの新たな有機ケイ素化合物を製造すること。
【解決手段】酸素がケイ素原子に結合した有機ケイ素化合物に、触媒の存在下、アセタールおよび活性水素基含有化合物を反応させ、アルコキシシランモノマー、および／またはアルコキシシランオリゴマーに分解することを特徴とする有機ケイ素化合物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
微弱なラマン散乱光を感度良く、再現性、信頼性良く測定できる表面増強ラマン分光分析用の測定手順を提供すること。
【解決手段】
ラマン分光分析装置の外において、測定対象物上への微小金属構造体の形成、または、事前に作成しておいた微小金属構造体と測定対象物との接触によって、微小金属構造体および測定対象物からなる分光分析試料を作成し、前記分光分析試料を、少なくともその一部が照射するレーザー光に対し透明である外気と遮断しうる密閉容器に封入し、前記密閉容器をラマン分析装置中に設置し、前記密閉容器の透明な部分を通してレーザーを分光分析試料に照射し、得られたラマン散乱光を分析することを特徴とする表面増強ラマン分光分析方法。 （もっと読む）

【課題】高精度で近接場光を取り出すために、近接場プローブを作製するにあたり、小孔を、短時間の内に、小孔の開口径のばらつきを小さく高精度で設ける。
【解決手段】小孔の空いていない錐体型の近接場プローブ用材料の先端に、先端の側方から集束イオンビームを照射し、開口径5000nmφ以下の小孔をあける。集束イオンビームの入射角は、錐体の垂線に対して、70〜110度の角度が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 優れた深さ空間分解能および空間分解能を有する赤外分光装置の提供
【解決手段】試料照射部および光検出器を具備した赤外顕微鏡であって、前記試料照射部が赤外線が照射されるための試料が載置される試料台、および前記試料に照射するための赤外線または試料を透過したもしくは試料から反射された赤外線を通過させるための小孔を有するプローブを試料が載置される部位の近傍に有することを特徴とする赤外顕微鏡装置。
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【課題】 走査型電子顕微鏡を有する光分析装置であって、簡便に試料交換が可能な装置および分光分析方法を提供する。
【解決手段】試料照射部、試料交換室および光検出器を具備した光分析装置であって、
前記試料照射部が、走査型電子顕微鏡、走査型電子顕微鏡から発せられる電子線が照射されるための試料が載置される試料台、ならびに前記試料から発せられる発光を通過させるための小孔を有する採光部を具備した試料照射部を具備し、試料台を試料照射部および試料交換室との間を移動可能とする移動手段を具備した光分析装置。
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【課題】 測定結果が安定して得られ、また不純物の試料への付着のための暴露および試料の取扱作業が簡便な気体の不純物の測定方法およびそれに適した容器の提供。。
【解決手段】 密閉構造を有し、容器内に板状試料を支持するための試料支持部が設けられ、支持される板状試料の垂線方向の容器の一部が、開放可能な蓋を有する板状試料の暴露用および運搬用の容器、および気体中の微量成分を測定したい場所において前記の容器の蓋部を開放または取り外した状態で固体試料を配置して試料を気体に暴露し、試料に微量成分を付着させた後、蓋部を取り付け密閉状態とした後、試料および容器を分析場所まで搬送し、蓋部を開放または取り外して、試料を取り出し、当該試料に付着した不純物を分析することを特徴とする気体中の不純物の測定方法。 （もっと読む）

【課題】 優れた深さ空間分解能および空間分解能を有するカソードルミネッセンス装置の提供
【解決手段】試料台に載置される試料の表面の近傍に、試料側に突出し、その頂部に照射電子線および試料からの発光を透過させるための小孔を有する採光部をもつカソードルミネッセンス測定装置。
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【課題】 紫外レーザ光を用いた近接場光利用紫外共鳴ラマン分光装置を用いてSiや多結晶Si 、GaN、ZnOなどの最先端材料とこれらを用いたデバイスの応力（歪み）分布をナノメータスケールの空間分解能や深さ分解能で検出する方法を提供すること。
【解決手段】以下の工程を含むことを特徴とする試料の応力または歪みを検出する方法。１）近接場プローブを有する顕微ラマン分光装置において、試料に対し電磁波を照射して、当該試料から発生した近接場共鳴ラマン散乱光を検出する工程。２）検出された近接場共鳴ラマン散乱光の波数シフト量から試料の応力又は歪みを算出する工程。 （もっと読む）

【課題】高空間分解能で測定位置の確認ができ、且つ高空間分解能で試料分析ができるカソードルミネッセンス（ＣＬ）を用いた半導体結晶欠陥検出方法等を提供する。
【解決手段】表面側にシリコン層を有する基板２をステージ３に載置する工程と、基板２を温度１００Ｋ〜４Ｋに冷却する工程と、ステージ３と基板表面を照射するための電子線とのいずれか一方を２次元的に走査して、基板表面の所定領域内を電子線により順次照射する工程と、基板表面から発生したＣＬ光のうちの波長１２００ｎｍ〜１７００ｎｍの近赤外光を検出すると共に、検出位置確認のために、基板表面から発生した２次電子を検出する工程と、検出された２次電子により基板表面の画像である２次電子像を表示すると共に、２次電子像に対応させて、検出された近赤外光の強度を表示し、基板表面で近赤外光の強度が大きい部位を特定する工程とを順に実行している。 （もっと読む）

【課題】 ナノメータースケールでの半導体の分析を実用上可能とする。
【解決手段】 波長３６４ｎｍまたは３５１ｎｍの紫外レーザ光または極端紫外レーザ光を光源として、当該光またはこれに由来する近接場光を３．３〜５．１ｅＶのバンドギャップを有する試料に照射し、当該試料と当該近接場光との相互作用により発生した共鳴ラマン散乱光を、近接場プローブにより集光することを特徴とする共鳴ラマン散乱測定による分析方法。 （もっと読む）