説明

株式会社半導体エネルギー研究所により出願された特許

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【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装
置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第1の導電層、及び
有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第2の導電
層を形成して素子形成層を形成し、第2の導電層上に第1の可撓性を有する基板を貼りあ
わせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】多様な液晶デバイスに用いることができる新規な液晶性化合物、該液晶性化合物を含有しブルー相を発現する温度範囲の広い液晶組成物、及び上記液晶性化合物又は液晶組成物を用いた液晶素子並びに液晶表示装置を提供する。
【解決手段】下式(G1)で表される新規な液晶性化合物。


[式中、nは2〜10の整数を表す。] (もっと読む)


【課題】不良箇所が絶縁化された発光デバイスを作製する方法を提供することを課題の一とする。または、不良箇所が絶縁化された発光デバイスを作製する装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半球状のレンズと発光素子を重なるように形成した後に、不良箇所を検出する。次いで、検出された不良箇所を含む発光素子に重なる半球状のレンズに低エネルギー密度のレーザビームを照射し、該半球状のレンズにより集光された光により不良箇所を絶縁すればよい。 (もっと読む)


【課題】高度に集積化したDRAMを提供する。
【解決手段】基板201上にメモリセルアレイを駆動するための回路202を形成し、その上にビット線205を形成し、ビット線205上に半導体領域208とワード線210a、210b、キャパシタを形成する。ビット線が半導体領域208の下に位置し、ワード線210a、210b、キャパシタが半導体領域208の上に位置するため、ビット線205の配置の自由度が高まり、オープンビット線型のDRAMとすることで6F以下、あるいはセルトランジスタの構造を特殊なものとすることで4F以下とできる。 (もっと読む)


【課題】 光学系を複雑化させることなく、均一なエネルギー密度のレーザ光を被照射体
に照射することができる、レーザ照射装置の提案を課題とする。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、レーザ発振器と、被照射体の表面における一軸方向に、前記レーザ発振器から発振されたレーザ光によって形成されるビームスポットを繰り返し走査するための光学系と、前記表面において前記一軸方向と交差する方向に向かって、前記レーザ光に対する前記被照射体の相対的な位置を移動させるための位置制御手段とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】動作を不安定にすることなく、各トランジスタの特性劣化を抑制することが可能
な半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】非選択期間において、トランジスタが一定時間毎にオンすることで、シフト
レジスタ回路の出力端子に電源電位を供給する。そしてシフトレジスタ回路の出力端子は
、該トランジスタを介して電源電位が供給される。該トランジスタは非選択期間において
常時オンしていないので、該トランジスタのしきい値電位のシフトは、抑制される。また
、シフトレジスタ回路の出力端子は、該トランジスタを介して一定期間毎に電源電位が供
給される。そのため、シフトレジスタ回路は、ノイズが出力端子に発生することを抑制で
きる。 (もっと読む)


【課題】微細化した半導体集積回路において用いられるキャパシタを提供する。
【解決手段】誘電体の一つの面に接して設けられた、インジウム、錫あるいは亜鉛の少なくとも一つと窒素とを有する仕事関数が5.0電子ボルト以上、好ましくは5.5電子ボルト以上のn型半導体による電極を有するキャパシタである。電極の仕事関数が高いため、誘電体のポテンシャル障壁が高くなり、誘電体が10nm以下と薄くても十分な絶縁性を保てる。特に、誘電体が、high−k材料である場合に顕著な効果が認められる。 (もっと読む)


【課題】従来技術とは異なる新たな手段によって、容易に膜厚を厚くでき、低駆動電圧
で動作できる発光素子を提供する。またそれにより、消費電力が低く、なおかつ色純度の
高い発光素子を提供する。また同時に、消費電力が低く、なおかつ歩留まりの高い発光素
子を提供する。
【解決手段】陽極101と陰極105との間に、発光物質を含む第1の層102、第2
の層103、第3の層104が、陽極101から陰極105の方向に対して順に設けられ
、第3の層104が陰極105に接する構成の発光素子を作製する。第2の層103は、
n型半導体若しくはそれを含む混合物、又はキャリア輸送性を有する有機化合物と電子供
与性の高い物質との混合物を用いて形成する。また第3の層104は、p型半導体若しく
はそれを含む混合物、又はキャリア輸送性を有する有機化合物と電子受容性の高い物質と
の混合物を用いて形成する。 (もっと読む)


【課題】アクティブマトリクス型EL表示装置において、画素を構成するTFTの特性のバラつきや、表示装置を使用する環境温度の変化に対して、輝度表示のバラつきを抑えることを課題とする。
【解決手段】時間階調方式を用いる。且つEL駆動用TFTを、オン状態において飽和領域で動作させることにより、EL駆動用TFTのドレイン電流を一定に保つことができる。これにより、EL素子に一定の電流を流すことができ、正確な階調表示の高画質なアクティブマトリクス型EL表示装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】発光素子を有する表示装置の水分によるダークスポットの発生や陰極の剥離を抑える。
【解決手段】第1の基板上に、第1の電極と、第1の電極上の有機化合物層と、有機化合物層上の第2の電極と、を有する発光素子を形成し、第2の基板を選択的に掘削し、第1の領域と、第1の領域に囲まれ前記第1の領域に対して凹状である第2の領域とを形成し、第2の基板が有する第1の領域と第1の基板とを接着材を用いて貼り合わせる。このように、第2の基板に第1の領域に対して凹状である第2の領域を形成することにより、第1の基板と貼り合わせるときに用いる接着剤層の厚みを薄くでき、封止空間への水分の浸入を防ぐことができる。 (もっと読む)


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