説明

株式会社半導体エネルギー研究所により出願された特許

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【課題】複数の発光層の間に中間導電層を設けた発光素子を作成する場合、従来の手法で
は、透明性を維持する必要性があるため、材料の制約が非常に大きく、素子の作製プロセ
スも複雑なものとなっていた。
【解決手段】本発明に係る発光素子は、画素電極、第1の発光層、中間導電層(電子注入
を担う層及び正孔注入を担う層からなり、その少なくとも一方が島状)、第2の発光層、
対向電極が順次積層されてなることを特徴とする。これにより、中間導電層として使用可
能な材料の選択幅を大幅に広げ、発光効率が高く、消費電力が小さく、信頼性の高い有機
EL素子に代表される発光素子及び該発光素子を用いた表示装置を提供することができる
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【課題】非接触でデータの送受信が可能な半導体装置は、鉄道乗車カードや電子マネーカ
ードなどの一部では普及しているが、さらなる普及のためには、安価な半導体装置を提供
することが急務の課題であった。上記の実情を鑑み、単純な構造のメモリを含む半導体装
置を提供して、安価な半導体装置及びその作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】有機化合物を含む層を有するメモリとし、メモリ素子部に設けるTFTのソ
ース電極またはドレイン電極をエッチングにより加工し、メモリのビット線を構成する導
電層とする。 (もっと読む)


【課題】オフ電流の極めて小さい酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを適用することで、消費電力の極めて小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に加熱処理により酸素を放出する下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に第1の酸化物半導体膜を形成し、基板を加熱処理する。次に、第1の酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、該導電膜を加工してソース電極およびドレイン電極を形成する。次に、第1の酸化物半導体膜を加工して第2の酸化物半導体膜を形成した直後にソース電極、ドレイン電極および第2の酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】有機EL用発光材料として良好な、新規スチルベン化合物を提供する。
【解決手段】下記の式で表される化合物に代表される新規スチルベン化合物を提供する。
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【課題】有機材料の塗布液を塗布する際に、塗布液の液切れを良くして効率的に塗布する手段を提供する。
【解決手段】ヘッド部と、前記ヘッド部と連結したノズルと、前記ノズルの先端に設けられた接触子と、前記接触子の外側に設けられた塗布液吸い取り管と、を有することを特徴とする成膜装置を用いる。 (もっと読む)


【課題】短チャネルでも動作するフローティングゲートを有する半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】フローティングゲート104に窒化インジウム、窒化亜鉛等の仕事関数が5.5電子ボルト以上の高仕事関数化合物半導体を用いる。このことにより、基板101とフローティングゲート104の間のフローティングゲート絶縁膜103のポテンシャル障壁が従来のものより高くなり、フローティングゲート絶縁膜103を薄くしても、トンネル効果による電荷の漏洩を低減できる。フローティングゲート絶縁膜103をより薄くできるのでチャネルをより短くできる。 (もっと読む)


【課題】照射された水素イオンの単結晶半導体基板からの脱離を抑制する。
【解決手段】半導体基板中に炭素イオンを照射し、当該炭素イオンが照射された半導体基板中に、水素イオンを照射することにより、当該半導体基板中に脆化領域を形成し、当該半導体基板の表面及びベース基板の表面を対向させ、接触させることにより、当該半導体基板及び当該ベース基板を貼り合わせ、貼り合わせた当該半導体基板及び当該ベース基板を加熱し、当該脆化領域において分離させることにより、当該ベース基板上に半導体層を形成するSOI基板の作製に関する。 (もっと読む)


【課題】新たな構造の半導体装置、及びその駆動方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体を用いた書き込み用トランジスタ、該トランジスタと異なる半導体材料を用いた読み出し用のpチャネル型トランジスタ及び容量素子を含む不揮発性のメモリセルを有する半導体装置を提供する。メモリセルへの書き込みは、書き込み用トランジスタをオン状態として、書き込み用トランジスタのソース電極と、容量素子の電極の一方と、読み出し用トランジスタのゲート電極とが電気的に接続されたノードに電位を供給した後、書き込み用トランジスタをオフ状態として、ノードに所定量の電荷を保持させることで行う。また、保持期間において、メモリセルを選択状態とし、且つ、読み出し用トランジスタのソース電極およびドレイン電極を同電位とすることで、ノードに蓄積された電荷を保持する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、電気特性の良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に第1の酸化絶縁膜を形成し、該第1の酸化絶縁膜上に第1の酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行い、第1の酸化物半導体膜に含まれる水素を脱離させつつ、第1の酸化絶縁膜に含まれる酸素の一部を第1の酸化物半導体膜に拡散させ、水素濃度及び酸素欠陥を低減させた第2の酸化物半導体膜を形成する。次に、第2の酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、第3の酸化物半導体膜を形成した後、第2の酸化絶縁膜を形成して、当該第2の酸化絶縁膜を選択的にエッチングして、第3の酸化物半導体膜の端部を覆う保護膜を形成する。この後、第3の酸化物半導体膜及び保護膜上に一対の電極、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】電源電圧の供給が停止した後もデータ保持可能な記憶素子を提供する。消費電力の低減可能な信号処理回路を提供する。
【解決手段】クロック信号に同期してデータを保持する記憶素子において、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタ及び容量素子を用いることより、電源電圧の供給が停止した間もデータ保持ができる。ここで、電源電圧の供給を停止する前に、クロック信号のレベルを一定に保った状態で当該トランジスタをオフ状態とすることにより、データを正確に容量素子に保持させることができる。また、このような記憶素子を、CPU、メモリ、及び周辺制御装置のそれぞれに用いることによって、CPUを用いたシステム全体で、電源電圧の供給停止を可能とし、当該システム全体の消費電力を削減することができる。 (もっと読む)


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