説明

株式会社半導体エネルギー研究所により出願された特許

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【課題】ITOなどの透明電極をスパッタリング法によって成膜する際のダメージが抑制された素子構造を提供する。
【解決手段】蒸着法で形成されたモリブデン酸化物を含む層206を、スパッタリング法により形成されるITOなどの透明電極207に接して下側に設ける。スパッタリング法によるダメージをモリブデン酸化物によって抑制できる。 (もっと読む)


【課題】発光素子を有し、且つシースルー機能を有する表示装置において、用途や状況に応じた多様な表示モードを可能とする表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】シースルー機能を有する表示装置において、両面発光型の発光素子を含む画素を有する第1の表示部と、光散乱性の液晶層を有する第2表示部との間に、シャッター状の遮光手段を設けることにより、第1の表示部、第2の表示部およびシャッター状の遮光手段を切り替えるだけで容易に用途や状況に応じた多様な表示モードを可能とする表示装置を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】正孔注入性および正孔輸送性に優れた材料を提供することを目的とする。また、
正孔注入性および正孔輸送性に優れた材料を用いた発光素子および発光装置を提供するこ
とを目的とする。
【解決手段】一般式(1)で表されるカルバゾール誘導体を提供する。本発明のカルバゾ
ール誘導体は、正孔注入性、正孔輸送性に優れている。また、本発明のカルバゾール誘導
体を発光素子または発光装置に適用することで、駆動電圧の低減、発光効率の向上、長寿
命化、信頼性の向上を実現することができる。
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【課題】本発明は、耐湿性の良い発光素子について提供することを課題とする。また、
本発明は、耐湿性が良く、白色光を呈することのできる発光素子を提供することを課題と
する。
【解決手段】本発明の発光素子の一は、第1の電極と第2の電極との間に、n(nは自
然数)個の発光層を有する。そして、m(mは自然数、1≦m≦n)番目の発光層と m
+1番目の発光層との間には、第1の層と第2の層とを有する。また、第1の層と第2の
層とは接している。ここで、第1の層は、正孔を輸送し易い物質と電子受容性の物質とを
含む層である。また第2の層は、電子を輸送し易い物質と電子供与性の物質とを含む層で
ある。そして、モリブデン酸化物を電子供与性の物質として用いていることを特徴として
いる。 (もっと読む)


【課題】リチウムイオン電池等の非水電解質二次電池の電力取り出し効率を向上させる。
【解決手段】遷移金属元素を有するオリビン型酸化物等の磁化率の異方性を有する材料を活物質粒子とし、活物質粒子を電解質と混合してスラリーを形成し、これを集電体に塗布した後、磁場中に放置すると、活物質粒子が配向する。このように配向した活物質粒子を用いることにより解決できる。 (もっと読む)


【課題】薄膜の応力を用いて、トランジスタのしきい値電圧を変化させる。
【解決手段】第1のチャネル形成領域を有する第1の半導体層と、第2のチャネル形成領域を有する第2の半導体層に対して、それらの上に形成された薄膜の応力を用いて、トランジスタのしきい値電圧を異ならせることができる。これらを電気的に接続することで、E/D MOS回路を提供できる。 (もっと読む)


【課題】TFTの特性に左右されずに発光素子に流れる電流を制御する。
【解決手段】書き込み期間において、発光素子に電流がながれないため、第1のトランジスタのドレイン電流が流れることでゲート電圧が変化し始めてから、その値が安定するまでの時間が発光素子の容量に左右されない。したがって、従来の画素と比べて、供給された電流から変換される電圧が早く安定するので、電流を書き込む時間を短くすることができ、動画表示において残像が視認されてしまうことを防ぐことができる。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第1の導電膜及び第2の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 (もっと読む)


【課題】有機材料の塗布液を塗布する際に、塗布液の液切れを良くして効率的に塗布する手段を提供する。
【解決手段】前記塗布液が吐出される際に、塗布方向と略垂直方向で、かつ、前記接触子の外側方向に広がった塗布液を、前記接触子の外側に取り付けられた塗布液吸い取り管で吸い取る。 (もっと読む)


【課題】膜厚の均一な半導体層を有するSOI基板を得る。
【解決手段】半導体基板の第1の面を研磨して、当該第1の面を平坦化し、当該半導体基板の当該第1の面と反対側の面である第2の面にイオンを照射することにより、当該半導体基板中に脆化領域を形成し、当該半導体基板の第2の面及びベース基板の表面を対向させ、接触させることにより、当該半導体基板及び当該ベース基板を貼り合わせ、貼り合わせた当該半導体基板及び当該ベース基板を加熱し、当該脆化領域において分離させることにより、当該ベース基板上に半導体層を形成するSOI基板の作製に関する。当該SOI基板の作製においては、当該半導体層の膜厚の標準偏差をσとし、3σが1.5nm以下である。 (もっと読む)


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