【課題】エネルギーの損失が少ない発光デバイスを提供する。信頼性の高い発光デバイスを提供する。
【解決手段】絶縁性の表面に、第１の発光素子及び第２の発光素子を有し、第１の発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、第１の電極及び第２の電極の間に挟持された発光性の有機化合物を含む層と、を備え、第１の電極の端部は、絶縁性の第１の隔壁に覆われ、第２の発光素子は、第３の電極と、第４の電極と、第３の電極及び第４の電極の間に挟持された発光性の有機化合物を含む層と、を備え、第１の電極及び第３の電極は、発光性の有機化合物が発する光に対して透光性を有する同一の層から形成され、第２の電極及び第４の電極は同一の層から形成され、第２の電極が、第１の隔壁を介して第１の電極の端部と交差して、第３の電極と電気的に接続する発光ユニットを提供する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化を図る技術として、表示領域の一部のみを利用して表示（パーシャル表示）を行う技術が用いられている。例えば、表示領域を分割し、それぞれの表示領域を別個に駆動する複数の駆動回路を設け、節電モード時には、固定パターンを表示する領域のみ駆動させるなどしてパーシャル表示を行うことができるが、任意の位置に表示を行うことができない。また、任意の表示領域の画素にビデオ信号を入力することによりパーシャル表示を行うこともできるが、駆動回路の構成が複雑になってしまう。そこで、任意の位置にパーシャル表示を行うことが可能であり、さらに消費電力の低減を図った表示装置を提供する。
【解決手段】パーシャル表示中において、非表示領域とする画素を選択しているときには信号線駆動回路の動作を停止し、信号線駆動回路からは非表示信号を出力するようにする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜をチャネル形成領域に用いたトランジスタにおいて、短チャネル効果による電気特性の変動を抑制し、微細化した半導体装置を提供する。また、オン電流を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】非晶質領域である一対の第２の酸化物半導体領域と、一対の第２の酸化物半導体領域に挟まれた第１の酸化物半導体領域と、を有する酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して第１の酸化物半導体領域上に設けられるゲート電極と、を有する半導体装置において、第２の酸化物半導体領域には、窒素、リン、又は砒素など１５族元素のいずれか一以上の元素が添加されている。 （もっと読む）

【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる信号処理回路。特に、短時間の電源停止により消費電力を抑えることができる信号処理回路。
【解決手段】制御装置と、演算装置と、緩衝記憶装置とを有し、緩衝記憶装置は、主記憶装置から、或いは演算装置から送られてきたデータを、制御装置からの命令に従って記憶し、緩衝記憶装置は複数のメモリセルを有し、メモリセルは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタと、トランジスタを介してデータの値に従った量の電荷が供給される記憶素子とを有する信号処理回路。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを微細化する。この時、微細化されたコンタクトホールであっても、半導体装置における電極のコンタクトを確実なものとする。
【解決手段】珪化膜と樹脂材料膜とからなる多層の層間絶縁膜を形成する。その後、コンタクトホールを形成する。このとき、珪化膜に設けられるコンタクトホールの大きさを樹脂材料膜に設けられるコンタクトホールの大きさよりも小さくする。このような構成は、パターンが複雑化してもコンタクトのとりやすいものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置の画質の低下を抑制する。
【解決手段】画素部の特定の領域に含まれる複数の画素の一部に対する画像信号の入力と、当該一部とは異なる複数の画素の一部に対する光の供給とを並行して行う。これにより、当該領域に含まれる複数の画素の全てに対して画像信号が入力された後に、それらに対して光を供給する期間を設ける必要がなくなる。すなわち、当該領域に含まれる複数の画素の全てに対して画像信号が入力された直後から、それらに対する次の画像信号の入力を開始することが可能となる。したがって、画像信号の入力頻度を向上すること（フレーム周波数を向上すること）が可能となる。その結果、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置において生じる表示の変化（劣化）を抑制することが可能である。 （もっと読む）

【課題】微細化による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の領域と、第１の領域の側面に接した一対の第２の領域と、一対の第２の領域の側面に接した一対の第３の領域と、を含む酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に第１の領域と重畳した第１の電極と、を有し、第１の領域は、ＣＡＡＣ酸化物半導体領域であり、一対の第２の領域及び一対の第３の領域は、ドーパントを含む非晶質な酸化物半導体領域であり、一対の第３の領域のドーパント濃度は、一対の第２の領域のドーパント濃度より高い半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】駆動トランジスタのゲート端子をソース端子と同じ電位にして、画素に入力され
た信号を消去するとき、駆動トランジスタにわずかに電流が流れてしまうことがある。す
ると、表示不良をおこしてしまう。製造コストの増加を抑制しつつ、歩留まりの向上を図
った表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】消去用の走査線の電位を上げたら、それに応じて駆動トランジスタのゲート
端子の電位も上がるようにする。例えば、走査線と駆動トランジスタのゲート端子とを整
流素子を介して接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の高集積化を図り、単位面積あたりの記憶容量を増加させる。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板に設けられた第１のトランジスタと、第１のトランジスタ上に設けられた第２のトランジスタとを有する。また、第２のトランジスタの半導体層は、半導体層の上側で配線と接し、下側で第１のトランジスタのゲート電極と接する。このような構造とすることにより、配線及び第１のトランジスタのゲート電極を、第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極として機能させることができる。これにより、半導体装置の占有面積を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】青色として優れた色純度を与える広いバンドギャップを有したベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン化合物の提供。更にベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン化合物を用いた信頼性の高い発光素子、発光装置及び電子機器の提供。
【解決手段】（Ｇ１）で表されるベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン化合物。但し、式中、Ａｎは、下記一般式（Ａｎ−１）又は（Ａｎ−２）で表されるアントリル基を表し、α^１及びα^２は、下記一般式（α−１）〜（α−３）で表される、置換又は無置換のフェニレン基のいずれか一を表し、Ｒ^１〜Ｒ^９は、水素、又は炭素数１〜４のアルキル基のいずれか一を表す。また、一般式（Ｇ１）中、ｎ及びｍは０又は１である。
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